淺談MOS管開(kāi)通過(guò)程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施

在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開(kāi)通過(guò)程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。

米勒效應(yīng)的成因

在講這個(gè)之前需要先回顧下MOS的開(kāi)通過(guò)程。

圖一

從t1開(kāi)始時(shí)刻，Vgs開(kāi)始上升的時(shí)候，Vds和Id保持不變，這個(gè)過(guò)程中驅(qū)動(dòng)電流ig為Cgs充電，Vgs上升。一直到t1結(jié)束，Vgs上升到Vg(th)，也就是門(mén)極開(kāi)啟電壓時(shí)候。在整個(gè)t1時(shí)間，MOS處于截止區(qū)。

從t2時(shí)刻開(kāi)始，MOS就開(kāi)始導(dǎo)通了，標(biāo)志就是Id開(kāi)始上升。電流從原來(lái)的電感出來(lái)流經(jīng)二極管，現(xiàn)在開(kāi)始要慢慢的向MOS換流。所以MOS的漏極電流Id在逐漸上升，二極管的電流在逐漸減小，但是電流之和始終等于電感電流，在開(kāi)關(guān)開(kāi)通的這個(gè)過(guò)程中可以認(rèn)為電感電流是沒(méi)有變化的。

這個(gè)時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動(dòng)電流仍然是為Cgs充電。在t2這段時(shí)間里，Id只是在線性上升，到t2結(jié)束時(shí)刻，Id上升到電感電流，換流結(jié)束。在電感電流上升的這個(gè)過(guò)程中Vds會(huì)稍微有一些下降，這是因?yàn)橄陆档膁i/dt在雜散電感上面形成一些壓降，所以側(cè)到的Vds會(huì)有一些下降。從t2開(kāi)始時(shí)刻，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。

在Id上升至最大（t2結(jié)束），即刻就進(jìn)入了米勒平臺(tái)時(shí)期。米勒平臺(tái)就是Vgs在一段時(shí)間幾乎維持不動(dòng)的一個(gè)平臺(tái)。前面說(shuō)了，從t2開(kāi)始時(shí)刻，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)，在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。

其中Gm是跨導(dǎo)。那么可以看出，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，也就是MOS和二極管換流結(jié)束后，Id就等于電感電流了，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變，也就是維持米勒平臺(tái)的電壓。

從t2結(jié)束驅(qū)動(dòng)的電流ig為Cgd充電（從另一個(gè)方向來(lái)說(shuō)，可以叫放電），然后Vds就開(kāi)始下降了。由于超級(jí)結(jié)在開(kāi)通伊始的縱向擴(kuò)散，比較小的GD電容，所以Vds一開(kāi)始下降的比較快，縱向擴(kuò)散完成后，變成橫向擴(kuò)散，GD電容變大，所以Vds下降的斜率變緩。那么米勒平臺(tái)什么時(shí)候結(jié)束呢？

米勒平臺(tái)要想結(jié)束，必須進(jìn)入線性區(qū)，不然繼續(xù)在飽和區(qū)待下去，就會(huì)被和Id“綁”在一起，所以當(dāng)MOS進(jìn)入線性區(qū)之后，米勒平臺(tái)結(jié)束。根據(jù)MOS的特性曲線，在Vds下降到等于此時(shí)的Vgs-Vg(th)這個(gè)值的時(shí)候，MOS進(jìn)入線性區(qū)（t4開(kāi)始時(shí)刻）。此時(shí)Vds的大小會(huì)由Rds*Id決定，驅(qū)動(dòng)電流開(kāi)始繼續(xù)為Cgs和Cgd充電。而Vgs也開(kāi)始恢復(fù)繼續(xù)上升，MOS基本導(dǎo)通。

下面來(lái)詳細(xì)說(shuō)明下米勒平臺(tái)形成的過(guò)程。

圖二

在t2開(kāi)始的時(shí)刻，處在飽和區(qū)的MOS轉(zhuǎn)移特性公式，真實(shí)為Ich=Vgs*Gm，Ich為溝道電流，即上圖中DS之間的電流。于是當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流為Cgs充一點(diǎn)電，Vgs增加Δvgs，那么Ich增加Δich，而Ich增加的部分只能由Cds放電提供，（因?yàn)閺碾娐分械膩?lái)的那部分電流已經(jīng)固定），于是Cds放電為Ich提供增加的電流。于是Vds就下降，也就是Vgd會(huì)下降，那么Δigd=Cgd*ΔVgd/Δt，igd就會(huì)增加，然后igs就會(huì)下降，所以Vgs就不能增加，只能這樣動(dòng)態(tài)的維持在米勒平臺(tái)附近?？梢钥闯鲞@是一個(gè)負(fù)反饋的過(guò)程。所以Cgd也叫反饋電容。

米勒電容在MOS開(kāi)通過(guò)程中帶來(lái)的問(wèn)題

1. dv/dt 限制

當(dāng)MOS管 DS兩端電壓迅速上升的時(shí)，通過(guò)Cgd所產(chǎn)生電流在MOS管GS兩端寄生電阻上產(chǎn)生的壓降大于開(kāi)啟電壓時(shí)，會(huì)使MOS打開(kāi)。所以在使用前需要根據(jù)實(shí)際情況計(jì)算相關(guān)參數(shù)，以保證在各類工況下都不出來(lái)MOS誤打開(kāi)的情況。這里面又分三種情況：

（1）可以看到通過(guò)Cgs和Cgd兩個(gè)電容分壓可得到GS兩端電壓

圖三

所以，最DS極兩端里高電壓應(yīng)為：

在低壓應(yīng)用中一般由這個(gè)等式即可判定MOS是否會(huì)存在誤打開(kāi)的動(dòng)作

（2）高壓應(yīng)用中還需要確定MOS的本身dv/dt 極限。這一特性對(duì)應(yīng)于在外部驅(qū)動(dòng)阻抗為零的理想情況下，設(shè)備在不開(kāi)機(jī)的情況下所能承受的最大dv/dt。

圖四

這個(gè)公式所計(jì)算得到的結(jié)果在評(píng)估MOS在特定應(yīng)用中的適應(yīng)性很重要。

（3）實(shí)際應(yīng)用中，還需要考慮驅(qū)動(dòng)的寄生電阻及所外加的驅(qū)動(dòng)電阻。

圖五

需要注意的是MOS管的開(kāi)啟電壓是一個(gè)與溫度正相關(guān)的參數(shù)，在計(jì)算上述公式時(shí)要考慮到開(kāi)啟電壓隨溫度的偏移量。

2. 米勒振蕩

我們知道，MOS管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一個(gè)反相器，也可以理解為一個(gè)反相工作的運(yùn)放，所以當(dāng)輸入電阻較大時(shí)，開(kāi)關(guān)速度比較緩慢，圖二中Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是當(dāng)開(kāi)關(guān)速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比如310V下，通過(guò)Cgd的電流比較大，強(qiáng)的積分很容易引起振蕩，這個(gè)振蕩叫米勒振蕩。

如下圖中藍(lán)色線

圖六

因?yàn)镸OS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個(gè)電容足夠大，并且前段信號(hào)變化快，后端供電電壓高，三者結(jié)合起來(lái)，就會(huì)引起積分過(guò)充振蕩，要想解決解決這個(gè)米勒振蕩，在頻率和電壓不變的情況下，一般可以提高M(jìn)OS管的驅(qū)動(dòng)電阻，減緩開(kāi)關(guān)的邊沿速度，其次比較有效的方式是增加Cgs電容。在條件允許的情況下，可以在Cds之間并上低內(nèi)阻抗沖擊的小電容，或者用RC電路來(lái)做吸收電路。

一般Si MOS的Vgs電壓工作范圍為正負(fù)20V，超過(guò)這個(gè)電壓，柵極容易被擊穿，所以在米勒振蕩嚴(yán)重的場(chǎng)合，需要加限壓的穩(wěn)壓二極管。但更嚴(yán)重的問(wèn)題來(lái)自米勒振蕩容易引起MOS管的二次開(kāi)關(guān)或多次開(kāi)關(guān)引起的MOS損耗加劇，最終可能燒毀。

米勒振蕩的應(yīng)對(duì)

1. 減緩驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度

a. 提高M(jìn)OS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開(kāi)關(guān)速度越緩。

b. 在MOS管GS之間并聯(lián)瓷片電容，一般容量在1nF~10nF附近，看實(shí)際需求。調(diào)節(jié)電阻電容值，提高電阻和電容，降低充放電時(shí)間，減緩開(kāi)關(guān)的邊沿速度，這個(gè)方式特別適合于硬開(kāi)關(guān)電路，消除硬開(kāi)關(guān)引起的振蕩，但是這兩種措施都會(huì)引起MOS損耗的上升，取值需要結(jié)合實(shí)際電路應(yīng)用。

2. 加強(qiáng)關(guān)閉能力

a. 差異化充放電速度，采用二極管加速放電速度