1?三個(gè)極的判定

G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)?

S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是?

D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊

2?N溝道與P溝道判別

箭頭指向G極的是N溝道

箭頭背向G極的是P溝道

3?寄生二極管方向判定

不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：?要么都由S指向D，要么都有D指向S

4?MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能

信號(hào)切換?

電壓通斷

5?MOS管用作開(kāi)關(guān)時(shí)在電路中的連接方法

關(guān)鍵點(diǎn):?

確定那一極連接輸入端，那一極連接輸出端?

控制極電平為？V 時(shí)MOS管導(dǎo)通?

控制極電平為？V 時(shí)MOS管截止?

NMOS：

D極接輸入，S極接輸出。
????PMOS：

S極接輸入，D極接輸出。

反證法加強(qiáng)理解?

NMOS假如：

S接輸入，D接輸出。

由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開(kāi)關(guān)的作用。?

PMOS假如：

D接輸入，S接輸出。?

同樣失去了開(kāi)關(guān)的作用。

6?MOS管的開(kāi)關(guān)條件

N溝道

導(dǎo)通時(shí)，Ug> Us，Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通。?
P溝道

導(dǎo)通時(shí)，Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通。?
總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|

7?相關(guān)概念

BJT：
????Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件。

FET：
????Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件。
????按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）。

兩大類：

按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
????按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。?

總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

8?MOS管重要參數(shù)

封裝?

類型（NMOS、PMOS）?

耐壓Vds（器件在斷開(kāi)狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓）?

飽和電流Id?

導(dǎo)通阻抗Rds?

柵極閾值電壓Vgs(th)

9?從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳

無(wú)論是NMOS還是PMOS ，按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。?

或者這么記：?jiǎn)为?dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。?

這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。

管腳編號(hào)：

從G腳開(kāi)始，逆時(shí)針123。?

三極管的管腳編號(hào)同樣從B腳開(kāi)始，逆時(shí)針123。

10?用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS

借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S,黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值，說(shuō)明是N溝道，若情況相反是P溝道。

11?畫(huà)一個(gè)MOS管

編輯：黃飛

?