碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些？

近年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)，這主要?dú)w功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移動(dòng)速度和更寬的能帶間隙，且碳化硅材料導(dǎo)熱能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時(shí)間接近零的特點(diǎn)，使得在PFC電路（功率因數(shù)校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進(jìn)一步的提升。

PFC電路

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件憑借其優(yōu)良的性能，常用于大功率元器件中，其碳化硅的寬禁帶 (3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(4.9W/cm·K)使得功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快，并且在設(shè)備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D06065KS的重復(fù)（非重復(fù)）峰值反向電壓為650V，工作結(jié)溫范圍是-55℃-175℃，完全滿足PFC的電路環(huán)境。

在大功率PFC電路中，二極管可能需要并聯(lián)使用以擴(kuò)大容量，器件的電流均勻分配問題需要考慮，二極管的前向電壓和導(dǎo)通電阻的特性是關(guān)鍵。B1D06065KS所特有的正溫度系數(shù)的特性能保證器件并聯(lián)時(shí)的均流要求。

假設(shè)由于某些原因，兩個(gè)二極管出現(xiàn)電流不均勻的狀態(tài)，其中一個(gè)二極管分配的電流較大，則它的導(dǎo)通電阻、正向壓降就相應(yīng)的增大，阻礙電流的進(jìn)一步增大，從而促進(jìn)電流的再一次分配最后達(dá)到電流平衡狀態(tài)。

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS提供內(nèi)絕緣TO-220封裝封裝，是在內(nèi)部集成一個(gè)陶瓷片用于絕緣和導(dǎo)熱，該工藝可以簡化生產(chǎn)步驟，提高生產(chǎn)質(zhì)量和整機(jī)的長期可靠性，可有效解決產(chǎn)業(yè)界痛點(diǎn)的絕緣和導(dǎo)熱問題。內(nèi)絕緣 TO-220 封裝外形跟普通鐵封TO-220產(chǎn)品基本一致，但其背面散熱器不再是二極管的陰極，屬于懸浮電位，具有優(yōu)越的性能和極高的工作效率。?

審核編輯：劉清

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MOSFET(230975) MOSFET(230975)
PFC(110644) PFC(110644)
肖特基二極管(37602) 肖特基二極管(37602)
碳化硅(51891) 碳化硅(51891)

評(píng)論

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度

2020-03-13 13:42:49

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC

2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。　　碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏

2020-09-24 16:22:14

B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管

Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器

2021-11-09 16:36:57

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，碳化硅

2023-03-14 14:05:02

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管?！　∑鋬?yōu)點(diǎn)是：　　(1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件

2019-01-11 13:42:03

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快

2019-10-24 14:21:23

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

），P阱與N-形成的PiN會(huì)投入工作，減小浪涌時(shí)刻VF的增長，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力?！　D（4）二極管正向與電流密度關(guān)系圖　　基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結(jié)構(gòu)?！　?5

2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。　　碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上

2023-02-28 16:34:16

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電

2023-04-11 15:29:18

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些？

200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在

2020-06-28 17:30:27

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管

2016-11-04 15:50:11

STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二極管新能源電動(dòng)汽車解決方案

小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì)：?基本上

2021-11-06 09:26:20

Si與SiC肖特基二極管應(yīng)用對(duì)比優(yōu)勢(shì)

電阻率?！　?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管的兩種內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)如圖1所示，在高摻雜N+陰極電極和低摻雜N-外延層之間插入了一個(gè)N型摻雜層。這一層叫作電場終止層，主要用器件在阻斷狀態(tài)下承受電場。這使得外延層可以

2019-01-02 13:57:40

介紹二極管的反向恢復(fù)時(shí)間和碳化硅二極管

是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不

2023-02-15 14:24:47

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管

2023-02-22 15:27:51

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET

2023-02-28 16:48:24

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

》 Gen3　　02　　電源效率對(duì)比　　碳化硅肖特基二極管應(yīng)用在1500W電源的PFC電路中（位置如下圖）。　　測試條件：　　輸入電壓 100V、220V　　輸出電壓 48V 輸出電流30A　　圖（3

2023-02-28 17:13:35

如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管？

）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用SiC肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著降低

2023-02-07 15:59:32

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)

2023-02-20 15:15:50

C3D16060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固可靠。將碳化硅二極管

2022-05-29 10:28:06

C3D20060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固可靠。將碳化硅二極管

2022-05-29 10:32:40

C6D06065Q分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度

2022-05-29 19:27:15

C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案

2022-05-29 19:36:12

C3D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案

2022-05-29 19:45:27

C3D06065A分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能系統(tǒng)；太陽能（PV

2022-05-29 19:57:02

C6D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能系統(tǒng)；太陽能（PV

2022-05-29 20:05:08

C6D06065A分立碳化硅肖特基二極管

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2022-05-29 20:09:11

C3D06065I分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065I為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能系統(tǒng)；太陽能（PV

2022-05-29 20:28:03

C4D02120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-02 18:25:12

C4D02120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-02 18:29:57

C4D05120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-02 18:35:42

C4D05120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-02 18:40:17

C4D08120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-02 18:44:47

C4D08120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-02 18:48:49

E4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-02 18:54:09

C4D10120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 14:24:29

C4D10120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:14:54

C4D10120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:21:10

C4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:25:26

C4D15120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:30:26

C4D15120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:37:08

C4D15120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:43:35

E4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:49:31

E4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 18:54:14

C4D20120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 19:01:56

C4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 19:07:00

C4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 19:12:16

E4D20120G分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 19:18:42

C4D30120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 19:34:40

C4D40120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅

2022-06-03 19:46:36

CPW3-0600-S002B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW3-0600-S002B是600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

2022-06-05 11:50:51

CPW3-0600-S003B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW3-0600-S003B是600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

2022-06-05 16:59:38

CPW3-0600-S004B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW3-0600-S004B是600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

2022-06-05 17:04:50

CPW2-0600-S006B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0600-S006B是600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

2022-06-05 17:13:08

CPW2-0600-S008B裸片碳化硅肖特基二極管

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2022-06-05 17:20:01

CPW2-0600-S010B裸片碳化硅肖特基二極管

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2022-06-05 17:26:29

碳化硅肖特基二極管B1D10065E TO-252-2

碳化硅肖特基二極管B1D10065E TO-252-2

2022-11-03 15:41:13

碳化硅肖特基二極管降低能源成本和空間要求

相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

2018-07-06 15:11:35

5264

英飛凌首推車用碳化硅產(chǎn)品：肖特基二極管

據(jù)外媒報(bào)道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會(huì)上，英飛凌（Infineon）推出了首款車用碳化硅產(chǎn)品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個(gè)品牌名CoolSiC。

2018-09-21 14:36:50

5349

碳化硅二極管-碳化硅二極管應(yīng)用及產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

存在完全沒有雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體，所以應(yīng)用中PIN二極管的I層或多或少摻有少量的p型或n型雜質(zhì)。目前研究的碳化硅PIN二極管主要采用臺(tái)面(Mesa)結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)，其剖面結(jié)構(gòu)分別如圖1所示：當(dāng)PIN二極管

2018-11-20 15:28:07

1867

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>

2020-11-17 15:55:05

6966

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及其應(yīng)用的說明

。它與硅半導(dǎo)體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。其優(yōu)點(diǎn)是：（1）碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。（2）碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具

2021-01-13 09:42:41

2238

森國科推出多款快充PFC電路專用碳化硅二極管（SiC JBS）

森國科針對(duì)大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號(hào)為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。

2021-03-10 16:24:21

3243

碳化硅肖特基二極管B1D30120HC的特點(diǎn)

二次側(cè)整流二極管通常使用FRD（快速恢復(fù)二極管）和SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）等，本文提到的基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒有開關(guān)損耗，而且VF具有正向溫度系數(shù)，有利于提高車載充電機(jī)實(shí)際的效率。

2022-07-26 14:43:34

1889

碳化硅肖特基功率二極管G3S06505D產(chǎn)品規(guī)格書

碳化硅肖特基功率二極管G3S06505D產(chǎn)品規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-08-30 11:01:18

碳化硅肖特基功率二極管G3S06510B產(chǎn)品規(guī)格書

碳化硅肖特基功率二極管G3S06510B產(chǎn)品規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-08-30 15:43:57

碳化硅肖特基功率二極管G3S06560B產(chǎn)品規(guī)格書

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2022-08-30 15:39:41

碳化硅肖特基功率二極管G3S12002D產(chǎn)品規(guī)格書

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2022-08-30 15:18:22

碳化硅肖特基功率二極管G3S12020B產(chǎn)品規(guī)格書

碳化硅肖特基功率二極管G3S12020B產(chǎn)品規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-08-30 09:51:09

碳化硅肖特基功率二極管G3S17020B產(chǎn)品規(guī)格書

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2022-08-30 15:12:46

碳化硅肖特基功率二極管GAS06540B產(chǎn)品規(guī)格書

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2022-08-31 11:32:57

碳化硅肖特基功率二極管GAS06520D產(chǎn)品規(guī)格書

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2022-08-31 10:40:44

碳化硅肖特基功率二極管G5S12010D產(chǎn)品規(guī)格書

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2022-08-31 10:06:54

碳化硅肖特基功率二極管GRS06501AT產(chǎn)品規(guī)格書

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2022-08-31 09:55:10

碳化硅二極管是什么意思碳化硅二極管如何測量好壞

　　碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能

2023-02-10 17:45:17

3674

碳化硅二極管的使用方法和檢測方法

　　碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當(dāng)電壓通過碳化硅二極管時(shí)，電子會(huì)從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設(shè)備中，用于控制電流和電壓。

2023-02-15 15:13:42

1713

碳化硅二極管的區(qū)別和應(yīng)用市場

碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。

2023-02-15 15:21:40

1513

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠

2023-02-21 10:04:11

3177

SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管常用規(guī)格介紹

SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片

2023-02-21 10:12:24

4172

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件

2023-02-21 13:38:16

3523

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用

能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時(shí)間接近零的特點(diǎn)，使得在PFC電路（功率因數(shù)校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進(jìn)一步的提升。

2023-04-17 16:36:42

1137

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。

2023-05-18 12:46:40

864

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動(dòng)汽車等。

2023-06-02 14:10:32

1819

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動(dòng)、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。

2023-06-04 16:09:00

4311

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。

2023-06-07 17:10:34

2338

7.4 結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和

7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)

2022-02-15 11:20:41

5478

基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC可pin to pin替換科銳C4D30120D

基本半導(dǎo)體的碳化硅肖特基二極管B1D30120HC，該器件不僅可pin-pin替代市面上WOLFSPEED（原科銳）的C4D30120D，而且性能更優(yōu)，其典型參數(shù)對(duì)比如

2022-08-16 10:14:23

2556

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D10065Q用于升壓電源模塊

在升壓電源模塊中，會(huì)用到肖特基二極管，但常規(guī)硅二極管一般耐壓低、損耗大。要想實(shí)現(xiàn)更高的380V電壓，硅二極管就不是很合適了。本文主要提到國產(chǎn)廠家基本半導(dǎo)體的碳化硅肖特基二極管B2D10065Q。升壓

2022-10-17 14:38:59

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碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)你知道嗎

今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管

2022-12-14 11:36:05

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碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析

碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性。下面是對(duì)碳化硅二極管

2023-12-21 11:31:27

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碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要

2023-12-29 09:54:29

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為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長，BASiC基本公司

2025-02-06 11:51:05

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PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-12 16:09:58

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險(xiǎn)，主要源于以下多維度原因： ? ? 1. 碳化硅二極管技術(shù)門檻低導(dǎo)致市場同質(zhì)化與價(jià)格戰(zhàn) 碳化硅二極管（如肖特基二極管）技術(shù)相對(duì)成熟，結(jié)構(gòu)簡單，進(jìn)入門檻較低。國內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致產(chǎn)能過剩

2025-02-28 10:34:31

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