制的區(qū)別：首選，要清楚的是：三極管是電流驅(qū)動(dòng)的，較低的電壓就可以驅(qū)動(dòng)三極管，但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的，驅(qū)動(dòng)電壓較高，但是驅(qū)動(dòng)的功率小。
2023-02-21 14:38:01
21369 
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，也被稱為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管)，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 15:53:4518154 
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。
2023-10-18 10:28:0716414 
OC門與OD門是分別通過(guò)三極管和MOS管搭建，首先來(lái)初步了解一下這兩種器件的區(qū)別。
2023-11-13 16:43:489390 
MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）和IGBT（Insulated-GateBipolarTransistor）是兩種常用的功率
2025-01-15 17:06:402332 
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
調(diào)整。一般而言，IGBT的正壓驅(qū)動(dòng)在15V 左右，而Mosfet 建議在10—12V 左右；驅(qū)動(dòng)電壓負(fù)壓的作用主要是防止關(guān)斷中的功率開(kāi)關(guān)管誤導(dǎo)通，同時(shí)增加關(guān)斷速度。因?yàn)?IGBT 具有拖尾電流的特性，而且
2022-09-16 10:21:27
像IGBT或MOS管，他的CE有的會(huì)加續(xù)流二極管，這時(shí)在CE端加RCD緩沖電路還有作用嗎！！
2019-04-23 04:30:30
區(qū)別：1.MOS管損耗比三極管小，導(dǎo)通后壓降理論上為0。2.MOS管為電壓驅(qū)動(dòng)型，只需要給電壓即可，意思是即便串入一個(gè)100K的電阻，只要電壓夠，MOS管還是能夠?qū)ā?.MOS管的溫度特性要比
2021-10-29 08:38:08
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2022-04-01 11:10:45
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2020-07-19 07:33:42
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下MOS管和可控硅有什么區(qū)別？`
2019-11-06 17:12:57
誰(shuí)來(lái)闡述一下mos管和三級(jí)管之間的區(qū)別？
2019-10-28 14:55:40
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
逆變焊機(jī)，分MOS管，IGBT單管，IGBT模塊。mos管，看著就像三極管，很小，一般都是電磁爐什么的在用。一般160的TIG
2012-07-09 14:09:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
逆變焊機(jī)，分MOS管，IGBT單管，IGBT模塊。mos管，看著就像三極管，很小，一般都是電磁爐什么的在用。一般160的TIG
2012-07-09 10:17:05
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
的變流器即可。在該平臺(tái)上得到的信息可以充分反映變流器的實(shí)際情況。三、實(shí)驗(yàn)前的計(jì)算我們以FF1000R17IE4為被測(cè)對(duì)象，做一次計(jì)算：前期回顧：深度剖析！MOS和IGBT究竟區(qū)別在哪？（二）深度剖析！MOS和IGBT究竟區(qū)別在哪？（一）`
2021-05-17 09:49:24
)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
2021-05-14 09:24:58
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 編輯
三極管與MOS管的區(qū)別`
2012-10-28 14:35:30
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
`推薦課程：張飛軟硬開(kāi)源：基于STM32的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極 型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器 件。IGBT 作為
2021-02-24 10:33:18
MOS管在制作生產(chǎn)時(shí)，這個(gè)反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管就自動(dòng)復(fù)合而成，不需要人為特意去另裝這個(gè)PN結(jié)。但是IGBT在制作生產(chǎn)時(shí)，這個(gè)反并聯(lián)二極管不是自動(dòng)復(fù)合而成，是沒(méi)有的，需要單獨(dú)再并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二極管。請(qǐng)問(wèn)我的理解對(duì)嗎？請(qǐng)大家指導(dǎo)，謝謝！
2019-09-09 04:36:22
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
，中間腳為負(fù)，P-MOS的話是右邊腳為負(fù)，中間腳為正），如果兩個(gè)方向都不通就是IGBT簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)，用萬(wàn)用表的二極管導(dǎo)通檔測(cè)量管子的中間腳和右邊腳，如果能通的話就是MOS管，不通就是IGBT了，這已經(jīng)是
2012-07-10 09:48:58
什么是高低端MOS管？它們的區(qū)別是什么？請(qǐng)各位大神指教，希望能分享相關(guān)資料，非常感謝！
2016-09-01 09:51:08
絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:155131 我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別？下面我們從實(shí)例出發(fā)解析兩者的區(qū)別
2013-04-01 09:39:3918204 三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)的區(qū)別
2017-01-22 21:11:02
74 減低；MOS就是MOSFET的簡(jiǎn)稱了；IGBT和MOS是全控器件，是電壓型驅(qū)動(dòng)，即通過(guò)控制柵極電壓來(lái)開(kāi)通或關(guān)斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅(qū)動(dòng)，即給柵極通一定的電流，可以是可控硅開(kāi)通，但是一旦開(kāi)通
2017-05-14 10:09:4255704 
IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件， 兼有
2017-05-14 11:10:5339418 
在低壓下 igbt相對(duì)mos管在電性能和價(jià)格上都沒(méi)有優(yōu)勢(shì)，所以基本上看不到低壓igbt，并不是低壓的造不出來(lái)，而是毫無(wú)性價(jià)比。在600v以上，igbt的優(yōu)勢(shì)才明顯，電壓越高，igbt越有優(yōu)勢(shì)，電壓越
2017-05-24 09:19:5320879 
呢？具有30年經(jīng)驗(yàn)的MOS管廠家這就為大家分享。 區(qū)別一：導(dǎo)通特性 N溝MOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)
2019-02-22 16:02:017656 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
2019-02-24 10:25:0818582 讓我們來(lái)看看MOS管，分辨一下他們?cè)趺?b class="flag-6" style="color: red">區(qū)別，怎么用吧。我們?cè)诠P記本主板維修中見(jiàn)到的MOS管幾乎都是絕緣柵增強(qiáng)型，這里也就只說(shuō)說(shuō)它的那些事兒吧。而且，我們不談原理，只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來(lái)看
2019-10-30 16:57:3863 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5616239 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MOS管和IGBT的選料參考資料免費(fèi)下載。
2020-04-07 08:00:0016 MOS管相比三極管來(lái)講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí)，發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件，如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求，MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過(guò)熱。
2020-06-26 17:03:0083632 
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-09-09 14:40:3813172 
場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。
2020-10-02 17:42:0028182 來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷
2022-11-29 18:10:255257 MOS管和IGBT管都可以作為開(kāi)關(guān)元件使用，它們?cè)谕庑巍⑻匦詤?shù)上也比較相似，那它們到底有什么區(qū)別呢？ 什么是MOS管？ MOS管是MOSFET管的簡(jiǎn)稱，是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以簡(jiǎn)化
2021-02-14 10:16:0015579 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOS管和IGBT管的定義與辨別資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-26 08:44:5323 MOS管中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性、電壓控制電流等特性。IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。
2022-02-09 10:02:5831 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2022-02-09 11:04:537 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙。
2022-02-21 16:56:433290 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:1512101 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2022-07-11 09:09:143678 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極型功率管的簡(jiǎn)稱，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件
2022-10-19 17:11:183846 MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，是場(chǎng)效應(yīng)管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2022-10-21 13:25:3830437 
MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。
2022-11-23 15:31:1010913 
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，為什么有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-01-30 15:00:353717 上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:5014701 MOS管、三極管、IGBT之間的因果關(guān)系 區(qū)別與聯(lián)系最全解析 大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說(shuō)IGBT是由
2023-02-22 14:44:3228 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)
2023-02-22 13:59:501 MOS管和插件MOS管的另一個(gè)區(qū)別在于它們的封裝形式不同。MOS管的封裝形式一般是直接焊接在電路板上，而插件MOS管的封裝形式則是安裝在插座上，然后將插件MOS管插入插座中，才能與電路板連接。
2023-02-22 16:29:154266 
MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
2023-02-23 09:15:261 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型：分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
2023-02-23 16:03:254 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ ?什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:456 了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵
場(chǎng)效
2023-02-24 10:36:266 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2023-03-03 10:47:522196 
MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別?這兩種元件本身就可以看作一個(gè)基本單元，一個(gè)獨(dú)立的器件，就算拆開(kāi)外殼，用肉眼也找不出什么差別，從工作原理上理解又謷牙詰屈，這次從一個(gè)簡(jiǎn)單的觸摸燈電路來(lái)感受一下二者功能上的區(qū)別。
2023-03-29 10:10:091500 IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫
2023-05-17 15:11:542484 igbt和mos管怎么區(qū)分 一說(shuō)到開(kāi)關(guān)，大家都不陌生，如我們家里的燈開(kāi)關(guān)、家用電器的開(kāi)關(guān)等，這些開(kāi)關(guān)都是可以用手控制的，按一下就開(kāi)，按一下又關(guān)。 然而，在電子電路中，本來(lái)各種電子元器件就很小，要再裝
2023-05-17 15:12:412073 MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（
2022-04-08 16:38:145976 
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！1、什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:517172 
igbt和mos管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:017166 小、開(kāi)關(guān)速度快、耐高壓等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于交流調(diào)制、交流變頻等電力電子設(shè)備中。在IGBT被廣泛應(yīng)用的同時(shí)，許多工程師也對(duì)其進(jìn)行了深入研究，一般認(rèn)為IGBT單管和雙管在性能上有所不同，接下來(lái)我們將詳細(xì)講解IGBT單管和雙管的區(qū)別。 1.定義： 單管IGBT指的是僅具有一個(gè)MOS管和一個(gè)BPT（雙極晶體管）的I
2023-08-25 15:11:226358 mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:2518495 晶體
管和
mos管的
區(qū)別是什么？ 晶體
管（transistor）和
MOS管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）都是半導(dǎo)體器件，它們?cè)?/div>
2023-08-25 15:29:319194 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:156348 MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。
2023-10-08 16:26:182151 
MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓MOS管和低壓MOS管。
2023-10-16 17:21:518363 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:284751 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用的時(shí)候有什么區(qū)別.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 10:07:046 場(chǎng)效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管? 場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）和絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar
2023-11-22 16:51:1412122 igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:383221 igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，用途廣泛，在各種電子設(shè)備中都會(huì)使用。雖然它們有一些相似之處，但也存在一些顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹這兩種器件的特點(diǎn)和區(qū)別
2023-12-19 09:25:1615286 開(kāi)關(guān)管和MOS管是電子電路中常見(jiàn)的兩種半導(dǎo)體器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和工作原理上有很多相似之處，但也存在一些區(qū)別。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)管和MOS管的區(qū)別進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解開(kāi)關(guān)管和MOS管的基本概念
2023-12-28 15:53:377956 絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區(qū)和N+區(qū)）。
2024-02-06 10:29:193670 
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但IGBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
2024-03-13 11:46:212713 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。本文將對(duì)IGBT和MOS管進(jìn)行詳細(xì)的分析和比較，以便讀者能夠更深入地理解它們之間的區(qū)別。
2024-05-12 17:11:005914 MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮?、能量轉(zhuǎn)換、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，但它們的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及應(yīng)用場(chǎng)景存在顯著差異
2024-06-09 14:24:001737 
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和IGBT（Insulated Gate Bipolar
2024-07-26 18:07:198287 的導(dǎo)電特性。它們的主要區(qū)別在于控制電流的方式。 IGBT的工作原理是基于雙極型晶體管（BJT）和MOSFET的組合。IGBT具有一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。柵極通過(guò)施加電壓來(lái)控制IGBT的導(dǎo)通和截止。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時(shí)，IGBT導(dǎo)通，電流從集電極流向發(fā)射極。IGB
2024-08-07 17:16:571676 開(kāi)關(guān)管既是mos管也是IGBT管。開(kāi)關(guān)管是一種電子器件，用于控制電流的開(kāi)關(guān)。在電子電路中，開(kāi)關(guān)管起著至關(guān)重要的作用。 一、開(kāi)關(guān)管的基本概念 1.1 定義 開(kāi)關(guān)管是一種半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流
2024-08-07 17:21:066782 在現(xiàn)代電子技術(shù)中，功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵組件。MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是兩種廣泛使用的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)谠S多應(yīng)用中都有各自
2024-11-05 13:42:272587 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論