寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類(lèi)材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
5697 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013830 
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，近年來(lái)成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展，但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒(méi)有很好解決。氫終端金剛石由于具有典型的二維空穴氣被廣泛應(yīng)用于微波
2023-08-17 09:47:183244 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）金剛石是自然界中天然存在的最堅(jiān)硬的物質(zhì)，與此同時(shí)，實(shí)際上金剛石還是一種絕佳的半導(dǎo)體材料。作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料，金剛石具備擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、耐高溫、抗輻照等性能，在輻射探測(cè)
2023-10-07 07:56:204353 
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
半導(dǎo)體制冷片新技術(shù)應(yīng)用類(lèi)金剛石基板，提高制冷效率，屬于我司新技術(shù)應(yīng)用方向，故歡迎此方面專(zhuān)家探討交流，手機(jī)***，QQ6727689，周S！詳細(xì)見(jiàn)附件！
2013-09-05 15:33:52
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
應(yīng)用，這樣就使得以較低成本生成單晶和多晶金剛石。這些新合成方法支持全面開(kāi)發(fā)利用金剛石的光學(xué)、熱學(xué)、電化、化學(xué)以及電子屬性。目前金剛石已廣泛應(yīng)用于光學(xué)和半導(dǎo)體行業(yè)。本文主要討論金剛石的熱學(xué)優(yōu)勢(shì)，介紹
2019-05-28 07:52:26
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
0 引言人造金剛石是一種重要的工業(yè)原材料，幾乎涉及國(guó)計(jì)民生的各個(gè)領(lǐng)域。我國(guó)目前是金剛石生產(chǎn)和出口大國(guó)，產(chǎn)量約占世界產(chǎn)量的2/3。但是，國(guó)產(chǎn)金剛石工業(yè)產(chǎn)值卻只占世界工業(yè)產(chǎn)值的1/3，這主要是由于質(zhì)量
2013-11-18 10:56:40
如何采用D型和E型金剛石型MOSFET開(kāi)發(fā)邏輯電路？
2021-06-15 07:20:40
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專(zhuān)業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠(chéng)摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
`（一）類(lèi)金剛石（DLC）涂層的性能星弧涂層開(kāi)發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先地位的DLC（類(lèi)金剛石）涂層是采用離子束技術(shù)和過(guò)濾型陰極弧技術(shù)獲得的。涂層硬度高、摩擦系數(shù)低并且化學(xué)穩(wěn)定性好，可應(yīng)用于精密模具、刀具和有
2014-01-24 15:59:29
采用電子輔助化學(xué)氣相沉積法(EA-CVD)制備摻氮金剛石薄膜，研究了不同氮?dú)饬髁繉?duì)金剛石膜的生長(zhǎng)速率、表面形貌和膜品質(zhì)的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在較低的氮?dú)饬髁肯拢?b class="flag-6" style="color: red">金剛石膜的生
2009-05-16 01:48:49
23 ; 金剛石具有多種超凡的性能，是滿足光學(xué)應(yīng)用要求的理想材料。它具有迄今為止最高的熱導(dǎo)率，表現(xiàn)出最廣泛的光譜傳輸范圍，它是非常穩(wěn)健的。鉆石的傳輸從225納米的紫外
2023-05-24 11:26:37
PLC在金剛石液壓合成機(jī)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
隨著國(guó)內(nèi)外基建行業(yè)技術(shù)水平的迅猛發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)金剛石粉末鋸片、砂輪、磨料等人造金剛石制品
2009-06-19 12:56:51959 
應(yīng)用，這樣就使得以較低成本生成單晶和多晶金剛石。這些新合成方法支持全面開(kāi)發(fā)利用金剛石的光學(xué)、熱學(xué)、電化、化學(xué)以及電子屬性。 目前金剛石已廣泛應(yīng)用于光學(xué)和半導(dǎo)體行業(yè)。本文主要討論金剛石的熱學(xué)優(yōu)勢(shì)，介紹金剛石散熱片的工作原理，簡(jiǎn)要
2017-11-18 10:55:460 寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2017-11-25 16:19:434426 
聚晶金剛石在要求耐磨性高、尺寸精度高并保持接觸良好的場(chǎng)合取得了很好的效果。用聚晶金剛石取代天然金剛石制作半自動(dòng)砂輪架的球式支座，壽命為2500h，效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于傳統(tǒng)材料。聚晶金剛石修整筆可以用來(lái)修整幾乎所有的砂輪，包括立方氮化硼砂輪。
2018-07-23 15:47:0010985 Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能，減少浪費(fèi)。金剛石上的GaN晶片是通過(guò)GaN
2018-07-26 17:50:4816140 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009041 ? 以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來(lái)不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率
2018-11-05 09:52:20750 應(yīng)用，這樣就使得以較低成本生成單晶和多晶金剛石。這些新合成方法支持全面開(kāi)發(fā)利用金剛石的光學(xué)、熱學(xué)、電化、化學(xué)以及電子屬性。目前金剛石已廣泛應(yīng)用于光學(xué)和半導(dǎo)體行業(yè)。本文主要討論金剛石的熱學(xué)優(yōu)勢(shì)，介紹金剛石散熱片的工作原理，簡(jiǎn)要
2020-11-05 10:40:002 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》。 ? 據(jù)多個(gè)媒體報(bào)道，這項(xiàng)研究首次通過(guò)納米力學(xué)新方法，通過(guò)超大均勻的彈性應(yīng)變調(diào)控，從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu)，為實(shí)現(xiàn)下一代金剛石基微電子芯片提供了一種全新的方法，為彈性應(yīng)變工程及單晶金剛石器件的應(yīng)
2021-01-11 10:21:304232 金剛石芯片關(guān)鍵技術(shù)獲得突破：從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu),金剛石,芯片,碳化硅,半導(dǎo)體,納米
2021-02-20 14:39:236501 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國(guó)國(guó)防
2021-02-01 11:28:4629 21 世紀(jì)初，以金剛石、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為主的第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)入大眾的視野，其中金剛石更是憑借其特有的性質(zhì)成為備受關(guān)注的芯片材料，甚至被業(yè)界評(píng)為“終極半導(dǎo)體材料”。 據(jù)IT之家
2021-02-05 09:38:484072 第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類(lèi)半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱(chēng)為寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。
2021-12-23 15:11:383438 摘要 金剛石具有優(yōu)良的物理和電子性能，因此使用金剛石的各種應(yīng)用正在開(kāi)發(fā)中。此外，通過(guò)蝕刻技術(shù)控制金剛石幾何形狀對(duì)于這類(lèi)應(yīng)用至關(guān)重要。然而，用于蝕刻其他材料的傳統(tǒng)濕法工藝對(duì)金剛石無(wú)效。此外，目前用于
2022-01-21 13:21:541813 
在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車(chē)的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 的操作。 將 GaN 與其他材料集成在技術(shù)上具有挑戰(zhàn)性。很難將金剛石和GaN與導(dǎo)熱界面和界面處的低應(yīng)力結(jié)合。該建模使GaN器件能夠充分利用單晶金剛石的高導(dǎo)熱性，從而為大功率解決方案實(shí)現(xiàn)出色的冷卻效果。由于其他標(biāo)準(zhǔn)過(guò)程中的熱膨脹系數(shù)不同
2022-08-08 11:35:183194 
隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來(lái)，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341760 
隨著硅基電子器件逐漸接近其理論極限值，近年來(lái)對(duì)寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究成為國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的新熱點(diǎn)。氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">禁帶寬度都在3個(gè)電子伏以上，在室溫下不可能將價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶。
2022-12-01 16:15:101257 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 不是每種金剛石都能造芯**
金剛石生長(zhǎng)主要分為HTHP法（高溫高壓法）和CVD法（化學(xué)氣相沉積法），二者生長(zhǎng)方法側(cè)重在不同應(yīng)用，未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，二者會(huì)呈現(xiàn)出互補(bǔ)的關(guān)系。
對(duì)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，CVD法是金剛石薄膜的主要制備方法，而HPHT金剛石單晶也會(huì)在CVD合成法中充當(dāng)襯底主要來(lái)源。
2023-02-02 16:50:163640 
目前來(lái)說(shuō)，金剛石在半導(dǎo)體中既可以充當(dāng)襯底，也可以充當(dāng)外延（在切、磨、拋等加工后的單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過(guò)程），單晶和多晶也均有不同用途。
在CVD生長(zhǎng)技術(shù)、馬賽克拼接技術(shù)、同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)
2023-02-02 16:58:141678 半導(dǎo)體材料基于這些優(yōu)勢(shì)， 寬禁帶半導(dǎo)體尤其是金剛石在高頻高壓條件下具有廣泛且不可替代的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和前景。 隨著大尺寸、高質(zhì)量以及大范圍、高靈活度的金剛石沉積技術(shù)的逐步開(kāi)發(fā)， 有望使大規(guī)模集成電路和高速集成電路的發(fā)展進(jìn)入一
2023-02-07 14:13:162687 金剛石半導(dǎo)體是指將人造金剛石用作半導(dǎo)體材料的技術(shù)和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導(dǎo)率、電絕緣性、硬度和化學(xué)穩(wěn)定性，因此金剛石半導(dǎo)體可以用于制造高功率、高頻率和高溫環(huán)境下工作的電子器件，例如微波器件、功率放大器和高速晶體管等。
2023-02-14 14:04:226981 金剛石半導(dǎo)體是一種由金剛石構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，它具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電磁屏蔽性能和較高的耐腐蝕性，可以用于制造電子器件，如晶體管等。
2023-02-16 16:03:373571 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車(chē)、光伏、機(jī)車(chē)牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。
2023-02-27 12:17:541084 目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰(shuí)才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:041962 ）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
金剛石是一種“終極材料”，在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能；其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長(zhǎng)光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及可控的電阻和導(dǎo)電性。這些特性使金剛石可用于各種應(yīng)用，如散熱器、加工工具、光學(xué)元件、音頻元件和半導(dǎo)體。
2023-05-23 12:41:383267 
金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)異的特性，作為功率器件材料備受期待。
2023-06-05 18:17:272926 
與傳統(tǒng)上用于半導(dǎo)體的硅和其他材料相比，金剛石可以承受更高的電壓，可以以更高的速度和頻率運(yùn)行，并且可以用于外層空間等高輻射環(huán)境。金剛石半導(dǎo)體作為下一代功率半導(dǎo)體的發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁。
2023-06-12 15:17:512706 
的材料，在室溫下具有晶體材料最高的熱導(dǎo)率，寬的透光范圍，最堅(jiān)硬的材料，可壓縮性最小，并且對(duì)大多數(shù)物質(zhì)表現(xiàn)出化學(xué)惰性，就足以使得其備受推崇，所以金剛石常常被有時(shí)被稱(chēng)為“
2022-08-04 11:49:032665 
（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。什么是寬禁帶？物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:466543 
? 人造鉆石生產(chǎn)的進(jìn)步，使新的光子學(xué)技術(shù)成為了可能，但這些新技術(shù)在服務(wù)量子應(yīng)用方面仍然存在許多挑戰(zhàn)。 過(guò)去十余年中，受到一系列關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)和市場(chǎng)需求的推動(dòng)，許多利用金剛石特殊物理特性的商用、新興光子
2023-06-28 11:03:251453 金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:232593 
金剛石、氧化鎵、氮化鋁等具有更寬的禁帶寬度，被稱(chēng)為超寬禁帶半導(dǎo)體，未來(lái)有可能用來(lái)制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫能力的功率器件，因此研發(fā)熱度一直不減。
2023-07-19 09:56:093174 
材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能，而在高功率、高頻、高溫領(lǐng)域有至關(guān)重要的應(yīng)用。金剛石，已被認(rèn)為是目前最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一。
2023-07-19 10:29:541450 
基于業(yè)界長(zhǎng)期的研發(fā)活動(dòng)，如今金剛石半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)始逐步邁向?qū)嵱没５嬲占巴茝V金剛石半導(dǎo)體的應(yīng)用，依然需要花費(fèi)很長(zhǎng)的時(shí)間，不過(guò)已經(jīng)有報(bào)道指出，最快在數(shù)年內(nèi)，將會(huì)出現(xiàn)金剛石材質(zhì)的半導(dǎo)體試用樣品。業(yè)界對(duì)金剛石半導(dǎo)體的關(guān)注程度越高，越易于匯集優(yōu)勢(shì)資源、加速研發(fā)速度。
2023-07-31 14:34:082132 金剛石對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)說(shuō)是一種很有前景的材料，但將其切成薄片具有挑戰(zhàn)性。
2023-08-02 11:07:162105 半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。
2023-08-07 14:39:401623 
關(guān)鍵詞：金剛石，半導(dǎo)體封裝，散熱材料，高端國(guó)產(chǎn)材料引言：基板是裸芯片封裝中熱傳導(dǎo)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，高密度組裝、小型化特性愈發(fā)明顯，組件熱流密度越來(lái)越大，對(duì)新型基板材料的要求越來(lái)越高
2023-07-31 22:44:318773 
×10-6/℃。它不僅在半導(dǎo)體、光學(xué)方面表現(xiàn)搶眼，還有很多其他優(yōu)秀的特性。雖然金剛石本身并不適合用來(lái)制作封裝材料，而且成本也較高，但它的熱導(dǎo)率可是比其他陶瓷基板材料高出幾十甚至上百倍！這也讓很多大公司都爭(zhēng)先恐后地投入研究。
2023-09-22 17:00:491671 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見(jiàn)，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱(chēng)為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
該公司使用一種稱(chēng)為異質(zhì)外延的工藝來(lái)沉積碳原子，并在可擴(kuò)展的基底上制造單晶金剛石。以前已經(jīng)生產(chǎn)過(guò)金剛石晶片，但它是基于壓縮金剛石粉末，缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-08 16:07:131591 運(yùn)用異質(zhì)外延工藝，Diamond Foundry以可擴(kuò)展的基底制造單晶金剛石，這是一項(xiàng)前所未有的技術(shù)突破。過(guò)去已有技術(shù)用于生產(chǎn)金剛石晶片，但這些晶片基于壓縮金剛石粉末制備，缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-10 16:04:032430 摘要：隨著半導(dǎo)體封裝載板集成度的提升，其持續(xù)增加的功率密度導(dǎo)致設(shè)備的散熱問(wèn)題日益嚴(yán)重。金剛石-銅復(fù)合材料因其具有高導(dǎo)熱、低膨脹等優(yōu)異性能，成為滿足功率半導(dǎo)體、超算芯片等電子封裝器件散熱需求的重要候選材料
2023-12-04 08:10:065106 表面改性技術(shù)可有效改善金剛石與基體材料間的結(jié)合狀態(tài)，解決其表面惰性強(qiáng)、難潤(rùn)濕、界面熱阻大、熱導(dǎo)率小，以及超細(xì)顆粒比表面能大、易團(tuán)聚等問(wèn)題。
2023-12-21 15:36:012983 熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要，而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
2023-12-24 10:03:432193 
金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類(lèi)型，大致可分為單形和聚形，每種類(lèi)型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類(lèi)型及應(yīng)用。
2024-01-02 15:47:274907 金剛石，以其無(wú)比的硬度和璀璨的光芒而聞名，也打開(kāi)了其作為半導(dǎo)體的新視角，為下一代電子元件提供了新的可能。金剛石特有的特性，包括高導(dǎo)熱性和電絕緣特性，使其在一些特殊的電子和功率器件應(yīng)用中具有極大的吸引力，特別是在高功率和高溫環(huán)境中。
2024-02-27 17:14:001433 
2024年3月21日，總部位于哈瑙的家族企業(yè)和科技公司賀利氏，向位于中國(guó)的高端工業(yè)金剛石材料供應(yīng)商化合積電（廈門(mén)）半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“化合積電”）投資數(shù)百萬(wàn)歐元。
2024-03-22 16:25:541798 半導(dǎo)體則由氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁帶寬度：功率半導(dǎo)體的禁帶寬度相對(duì)較窄，通常在1eV左右，而寬禁半導(dǎo)體的禁帶寬度較大，通常在3eV以上。 導(dǎo)電性能：功率半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能較好，適用于高功率、高電流的場(chǎng)合。而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類(lèi)材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中，半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202 異質(zhì)外延金剛石技術(shù)。詳細(xì)介紹了GaN 材料的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域及面臨的挑戰(zhàn)，對(duì)上述集成技術(shù)的研究現(xiàn)狀和優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了歸納，展望了金剛石與GaN 功率器件集成技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向。1.引言GaN 作為第三代半導(dǎo)體
2024-11-01 11:08:071751 金剛石，這種自然界中已知硬度最高、熱導(dǎo)率最優(yōu)的材料，近年來(lái)在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出了前所未有的潛力。從散熱片到紅外窗口，再到半導(dǎo)體材料，金剛石的多重身份正逐步揭開(kāi)其作為未來(lái)科技核心材料的神秘面紗。
2024-11-22 11:43:142288 
隨著電子器件功率密度的不斷提升，尤其是在5G通信、電動(dòng)汽車(chē)、高功率激光器、雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域，對(duì)高效散熱解決方案的需求日益迫切。金剛石多晶材料憑借其超高的熱導(dǎo)率、優(yōu)異的機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，成為高
2024-11-27 16:54:562123 的加工效果存在哪些巨大差異。 微秒激光：脈寬較寬，適用于粗加工 特點(diǎn)與應(yīng)用：微秒激光脈寬較寬，通常適用于粗加工。例如，筆者課題組使用波長(zhǎng)為 1064nm 的 Nd:YAG 型微秒精密激光切割機(jī)完成了金剛石熱沉結(jié)構(gòu)的加工。 加工效果
2024-11-29 11:36:102265 
隨著科技的飛速發(fā)展和全球?qū)Ω咝阅?、高效?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件需求的不斷增長(zhǎng)，半導(dǎo)體襯底材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，其重要性日益凸顯。其中，金剛石作為潛在的第四代“終極半導(dǎo)體”材料，因其卓越的物理化學(xué)
2024-12-04 09:18:083283 
金剛石因其優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能，展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景。然而，目前工業(yè)上通過(guò)高溫高壓法批量生產(chǎn)的單晶金剛石尺寸通常小于10毫米，這極大限制了其在許多領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，實(shí)現(xiàn)大尺寸金剛石的合成
2024-12-18 10:38:372230 
區(qū)的擴(kuò)張計(jì)劃注入了新的活力。 Diamond Foundry在2022年成功制造了全球首個(gè)4英寸單晶金剛石晶圓，標(biāo)志著其在金剛石半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重大突破。隨后，公司在2023年啟動(dòng)了西班牙特魯希略制造廠的建設(shè)工作。該工廠預(yù)計(jì)將于明年正式投產(chǎn)，專(zhuān)注于生產(chǎn)半導(dǎo)體級(jí)金剛石晶圓。 據(jù)了解，該金剛石晶圓制
2024-12-27 11:16:341028 在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，熱管理材料的需求日益增長(zhǎng)，特別是在電子封裝、高功率設(shè)備等領(lǐng)域。金屬基金剛石增強(qiáng)復(fù)合材料，以其獨(dú)特的性能，成為了這一領(lǐng)域的新星。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討三種金剛石增強(qiáng)復(fù)合材料
2024-12-31 09:47:322042 金剛石的優(yōu)異性能與廣闊前景 金剛石，因其優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性能，被譽(yù)為“材料之王”，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景： 機(jī)械性能：極高的硬度和耐磨性，使其成為切削工具和耐磨涂層的理想材料
2025-01-03 13:46:261408 ，金剛石近結(jié)散熱技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為提升 GaN 器件散熱能力的有效解決方案。以下將詳細(xì)介紹該技術(shù)的三種主要途徑及其優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)。 ? 金剛石襯底鍵合集成散熱技術(shù) 源于美國(guó) DARPA 于 2012 年?duì)恳?NJTT 項(xiàng)目，眾多國(guó)際研發(fā)機(jī)構(gòu)投身其中。其
2025-01-16 11:41:411729 
近日，鉆石巨頭戴爾比斯旗下材料企業(yè) Element Six 宣布推出面向先進(jìn)半導(dǎo)體器件散熱應(yīng)用的一類(lèi)銅-金剛石復(fù)合材料。
2025-02-05 15:14:451404 在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天，大尺寸晶圓的高效制備成為推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵因素。而在眾多半導(dǎo)體材料中，金剛石憑借其超寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異電學(xué)性質(zhì)，被視為 “終極半導(dǎo)體”，在電真空器件、高頻
2025-02-07 09:16:061041 
單晶金剛石被譽(yù)為“材料之王”，憑借超高的硬度、導(dǎo)熱性和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體、5G通信、量子科技等領(lǐng)域大放異彩。 硬度之王： 擁有超高的硬度，是磨料磨具的理想選擇。 抗輻射性強(qiáng)： 在半導(dǎo)體和量子信息
2025-02-08 10:51:361373 
電力電子和射頻電子。事實(shí)上，金剛石材料本身屬于絕緣體，摻雜是實(shí)現(xiàn)金剛石電性能的重要途經(jīng)。硼摻雜單晶金剛石兼具p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和金剛石自身優(yōu)良的物理和化學(xué)性能，是制備高溫、大功率半導(dǎo)體元器件的優(yōu)選材料。 ? 硼
2025-02-19 11:43:021410 
獲悉，近日，北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司銷(xiāo)售總監(jiān)梁浩先生出席了由DT新材料主辦的“第八屆國(guó)際碳材料大會(huì)暨產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)”，并分享了《精密磨拋技術(shù)在金剛石材料加工中的應(yīng)用》的報(bào)告主題演講。 梁浩總監(jiān)圍繞
2025-02-20 11:09:141988 
【DT半導(dǎo)體】獲悉，金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。每個(gè)碳原子以 sp3雜化的方式與其周?chē)?4 個(gè)碳原子相連接
2025-03-08 10:49:581328 
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導(dǎo)體的潛力 金剛石MOSFET被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的重要發(fā)展方向，尤其在高壓、高溫、高頻等極端環(huán)境下展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。其特性與碳化硅（SiC）MOSFET相比
2025-03-27 09:48:36686 
合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力，被譽(yù)為"超級(jí)材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能，適用于半導(dǎo)體、傳感器和光學(xué)等廣泛領(lǐng)域。卓越特性與應(yīng)用價(jià)值電子工業(yè)
2025-04-24 11:32:091186 
一、金剛石：半導(dǎo)體領(lǐng)域的“終極材料” 為什么選擇金剛石？ 超強(qiáng)散熱：金剛石熱導(dǎo)率高達(dá)2000W/m·K，是銅的5倍，為5G基站、電動(dòng)汽車(chē)功率模塊（如SiC、GaN）提供“冷靜”保障，大幅提升器件壽命
2025-12-24 13:29:06162 
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