本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進(jìn)行分析和改善。
2023-08-29 14:14:25
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和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和
關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極
管的恢復(fù)特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極
管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
完全釋放干凈。當(dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時，串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會對開關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時的等效電路如下圖所示：通過對上圖的分析，可以得出需要滿足
2018-07-13 09:48:50
的電荷可以在死區(qū)時間內(nèi)被完全釋放干凈?！ ‘?dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時，串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會對開關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時的等效電路如下圖所示
2018-11-21 15:52:43
驅(qū)動電流幾乎為零，但在開通和關(guān)斷動態(tài)過程中，仍需要一定的驅(qū)動電流。假定開關(guān)管飽和導(dǎo)通需要的柵極電壓值為VGS，開關(guān)管的開通時間TON包括開通延遲時間TD和上升時間TR兩部分。 開關(guān)管關(guān)斷過程
2019-06-14 00:37:57
本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通過程
2025-02-26 14:41:53
常見的作用有以下幾點(diǎn)。1:去除電路耦合進(jìn)去的噪音，提高系統(tǒng)的可靠性。2：加速MOSFET的導(dǎo)通，降低導(dǎo)通損耗。3：加速MOSFET的關(guān)斷，降低關(guān)斷損耗。4：降低MOSFET DI/DT，保護(hù)MOSFET
2025-05-06 17:13:58
完全釋放干凈。當(dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時，串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會對開關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時的等效電路如下圖所示：通過對上圖的分析，可以得出需要滿足
2018-07-18 10:09:10
性負(fù)載兩端連接了一個簡單的飛輪二極管，以在MOSFET將其“關(guān)斷”時消散電動機(jī)產(chǎn)生的任何反電動勢。由齊納二極管與二極管串聯(lián)形成的鉗位網(wǎng)絡(luò)也可用于允許更快地切換以及更好地控制峰值反向電壓和壓
2021-09-13 08:27:30
和熱量造成的失效。什么是dV/dt失效本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位
2022-07-26 18:06:41
溫度依賴性。下面是實(shí)測例。下一篇計劃介紹ID-VGS特性。關(guān)鍵要點(diǎn):?MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)提供導(dǎo)通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間、下降時間。?開關(guān)特性受測量條件和測量電路的影響較大，因此一般確認(rèn)提供條件。?開關(guān)特性幾乎不受溫度變化的影響。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
第四部第四講講解mosfet的開關(guān)過程，當(dāng)Vgs大于開啟電壓時，Id與Vgs逐漸增大。當(dāng)Id增大至所需最大電流時，平臺電壓形成，Vgs與Id成比例(未完全導(dǎo)通)。當(dāng)mosfet完全導(dǎo)通時，Vgs
2018-10-24 14:55:15
，MOSFET Q1門極驅(qū)動信號關(guān)斷，諧振電感電流開始流經(jīng)MOSFET Q2的體二極管，為MOSFET Q2產(chǎn)生ZVS條件。這種模式下應(yīng)該給MOSFET Q2施門極信號。由于諧振電流的劇增，MOSFET
2019-09-17 09:05:04
MOS管的開通/關(guān)斷原理
2021-03-04 08:28:49
了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-28 08:37:47
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
問題，因此，需要增加緩沖吸收電路來抑制 SiC 模塊關(guān)斷過程中因振蕩帶來的尖峰電壓過高的問題 。文獻(xiàn) [7-11] 通過對雙脈沖電路進(jìn)行仿真和實(shí)驗研究，給出了緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計方法，但都是以關(guān)斷
2025-04-23 11:25:54
）開通損耗會更低?！ 。?）關(guān)斷過程分析 圖8 MOSFET關(guān)斷過程分析 在MOSFET器件的關(guān)斷過程，其模型如圖8所示，其數(shù)學(xué)模型如下： 以TO-247-3為例，在MOSFET關(guān)斷過程中，漏極電流
2023-02-27 16:14:19
一個下拉電阻。作用：確保給GS電容提供放電回路——確保關(guān)斷，低態(tài)。這樣MOSFET就只有兩態(tài)，不是高就是低。另外，下拉電阻，也可以防止雷擊，靜電。實(shí)際上，對于晶體管來說，如果沒有一個完整的額回路，是不
2021-05-10 09:52:22
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
，反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。MOSFET的損耗主要有以下部分組成：MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷過程中都會產(chǎn)生
2019-09-25 07:00:00
開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些
2017-04-15 15:48:51
48V的，驅(qū)動信號開通MOSFET電壓Vgs=20V，關(guān)斷電壓Vgs=-4V，為何會燒MOSFET，而且燒了兩次都是電流流經(jīng)的第一個管子，還請經(jīng)驗豐富的工程師不吝賜教。下圖是實(shí)物接線圖
2016-09-06 12:51:58
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
目前想設(shè)計一個關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關(guān)斷，帶負(fù)載時GS極始終存在4V電壓無法關(guān)斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
）開關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。（4）驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)
2019-02-21 06:30:00
通后，還會發(fā)生二次擊穿。二次擊穿并不全是因為雪崩發(fā)生，過高dV/dt、流過內(nèi)部P體區(qū)電流過大，內(nèi)部P體區(qū)橫向電阻過大，也有可能導(dǎo)致寄生三極管導(dǎo)通。
另外，在高溫條件下，在大電流關(guān)斷過程中，也會發(fā)生寄生
2025-11-19 06:35:56
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
有關(guān)，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理（1）：開通和關(guān)斷過程實(shí)驗電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3
2021-09-05 07:00:00
理想MOSFET 來等效。三個結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。七、功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理1）開通
2021-08-29 18:34:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時、開通上升時間，關(guān)斷延時和關(guān)斷下降時間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評估功率MOSFET的開關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
和關(guān)斷過程原理（1）：開通和關(guān)斷過程實(shí)驗電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3）：開關(guān)過程原理開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0
2018-10-25 16:11:27
，磁芯應(yīng)該開有氣隙,基于這種特殊的功率轉(zhuǎn)換過程，所以反激式轉(zhuǎn)換器可以轉(zhuǎn)換傳輸?shù)墓β视邢?，只是適合中低功率應(yīng)用，如電池充電器、適配器和DVD播放器。反激式轉(zhuǎn)換器在正常工作情況下，當(dāng)MOSFET關(guān)斷
2018-10-10 20:44:59
功率場效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅(qū)動功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，是目前開關(guān)電源中常用的開關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開關(guān)電源具有體積小、重量輕
2021-11-12 08:50:12
MOSFET需要一個柵極驅(qū)動來將電流從源極傳導(dǎo)至漏極，并且需要在AC正弦波變?yōu)樨?fù)值時快速關(guān)斷。通過將N溝道MOSFET與4個LM74670-Q1智能二極管整流控制器組合在一起，可以在在正弦波的負(fù)周期
2018-05-30 10:01:53
通壓降應(yīng)該只有幾伏，如圖2（a） 中的VDS所示。 圖3:低跨導(dǎo)MOSFET的導(dǎo)通階段 ?。?）關(guān)斷階段 如圖2（b）所示，保護(hù)電路工作后，開始將MOSFET關(guān)斷，在關(guān)斷過程中MOSFET消耗
2018-09-30 16:14:38
倍所引起的問題在MOSFET管的使用中也已不存在。
在關(guān)斷過程中，因為 MOSFET管電流下降速度很快，輸出端的下降電流和上升電壓在較低的電流下會發(fā)生重疊，從而減小了重疊損耗即交流開關(guān)損耗（1.3.4 節(jié))。這樣就可以簡化甚至不需要緩沖器了（第11章)。
2023-09-28 06:33:09
請問如何通過MOSFET上的導(dǎo)通時間tdon，上升沿時間tr，關(guān)斷時間toff，下降沿時間tf 來確定 MOSFET 的開關(guān)頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
和計算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
瞬態(tài)下的MOSFET操作時序 要分析快速開關(guān)MOSFET中的封裝寄生電感產(chǎn)生的影響，必須十分理解MOSFET工作處理。硬開關(guān)關(guān)斷通常出現(xiàn)在硬開關(guān)拓?fù)浜土汶妷洪_關(guān)拓?fù)渲?。本小?jié)將逐步分析MOSFET關(guān)斷
2018-10-08 15:19:33
尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。由于MOSFET管的電流下降速度很快，所以它的關(guān)斷損耗很小。雖然MOSFET管依然使用關(guān)斷緩沖電路，但它的作用不是減少關(guān)斷損耗，而是降低變壓器漏感尖峰電壓。本文主要
2018-11-21 16:22:57
）開關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。（4）驅(qū)動電路
2017-01-09 18:00:06
會產(chǎn)生振蕩，此時功率器件的損耗較大。當(dāng)振蕩幅值較高時，將使功率器件導(dǎo)通，從而造成功率開關(guān)管直通而損壞。目前常用的解決方法是在MOSFET關(guān)斷時在柵極施加反壓，以削弱振蕩的影響，但反壓電路卻占用空間
2018-08-27 16:00:08
` MOS管的快速關(guān)斷原理 R4是Q1的導(dǎo)通電阻沒有Q1就沒有安裝的必要了，當(dāng)?shù)碗娢粊頃rQ1為瀉放擴(kuò)流管?！ 」β蔒OS管怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn),怎樣實(shí)現(xiàn)？ 功率mosfet的三個端口，G
2019-01-08 13:51:07
，輸出二極管關(guān)斷過程的振蕩。由于輸出二極管在開關(guān)周期都是在接近峰值電流關(guān)斷，其反向恢復(fù)會在線路的雜散電感引起高頻振蕩（如圖5所示），這個振蕩一方面會帶來二極管過壓尖峰問題，另一方面會帶來電磁干擾加劇
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
，晶胞單元自動均流，達(dá)到平衡。相應(yīng)的，在MOSFET關(guān)斷過程中，離柵極管腳距離遠(yuǎn)的晶胞單元的電壓降低得慢，容易在導(dǎo)通電阻RDS(ON)的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域形成局部的過熱而損壞。對于多管的并聯(lián)工作過程，和上述
2016-09-26 15:28:01
盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對于MOSFET開關(guān)過程仍然有一些疑惑，本文先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
今天分析一下下面的這個電路，一個基于NPN三極管的MOSFET柵極自偏置關(guān)斷電路。電路很簡單，里面可是藏著不少門道，既有設(shè)計亮點(diǎn)，也有效率與延遲問題。咱們一邊分析，一邊看看器件選型和計算的門道，爭取
2025-03-19 13:48:08
理想，然而事實(shí)確實(shí)如此，那就沒有解決方法了嗎？方法肯定是有的，先賣個關(guān)子，等后面再說。今天我們先簡單聊聊IGBT的關(guān)斷過程，從根源上分析一下導(dǎo)致上述現(xiàn)象的原因。要想了解IGBT的關(guān)斷過程，有必要
2023-02-13 16:11:34
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計電路時MOSFET管出現(xiàn)損壞，請問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
大于額定值的情況？回復(fù)：是的。但是在高溫條件下，一些大電流的關(guān)斷，可能在關(guān)斷過程中，發(fā)生寄生三極管導(dǎo)通而損壞，雖然看不到過壓的情況，但是作者仍然將其定義為雪崩 UIS 損壞。 4、關(guān)于（2）中兩種情況
2020-03-24 07:00:00
幾乎為零，但在開通和關(guān)斷動態(tài)過程中，仍需要一定的驅(qū)動電流。假定開關(guān)管飽和導(dǎo)通需要的柵極電壓值為VGS，開關(guān)管的 開通時間TON包括開通延遲時間TD和上升時間TR兩部分?！ ￠_關(guān)管關(guān)斷過程中，CISS
2023-02-27 11:52:38
關(guān)斷過電壓鉗位電路
2008-08-22 10:15:212437 
具有能量恢復(fù)能力的關(guān)斷過電壓鉗位電路
2008-08-22 10:16:39985 
功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:1010824 
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在
2011-03-15 15:19:17
566 開通過程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通； -- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，在t1 時刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電；
2012-03-14 14:22:46288 為了使MOSFET整個開關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導(dǎo)通，然后續(xù)流的同步
2012-04-12 11:04:2363739 
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效
2013-09-26 14:54:2392 在帶變壓器的開關(guān)電源拓?fù)渲?，開關(guān)管關(guān)斷時，電壓和電流的重疊引起的損耗是開關(guān)電源損耗的主要部分，同時，由于電路中存在雜散電感和雜散電容，在功率開關(guān)管關(guān)斷時，電路中也會出現(xiàn)過電壓并且產(chǎn)生振蕩。如果尖峰
2017-12-07 09:41:0113380 
和開爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會引起處于關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問題的驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223 , MOSFET 的門極電壓Vgs減小至Miller平臺電壓Vmr, 漏源電壓Vds增大至Vds(max), 而漏源電流Ids保持不變. 由于Ib=Ids, BJT的集射極電流Ice受Ib控制, 所以,在IGBT關(guān)斷td(off)和Δt過程中, Ice電流仍然保持不變,
2018-12-22 12:41:5541292 
LTC4352 - MOSFET 理想二極管控制器在低壓應(yīng)用中為堅固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷
2021-03-19 01:23:139 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET的關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:53:1113 在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時間tr和下降時間tf來進(jìn)行描述。
2021-05-06 10:06:019694 
和計算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5954 當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時，由于此時開關(guān)頻率比較高，此時就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管，從理論上說，MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵極驅(qū)動電路。當(dāng)然電流更高的關(guān)斷電路可以更快
2022-04-11 08:03:0128970 
升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器具有從輸入到輸出的直接路徑（通過電感器和肖特基二極管），這使得完全關(guān)斷變得困難。本電路通過在輸入和輸出之間插入一個外部MOSFET，由RS-17112收發(fā)器（MAX232）控制，實(shí)現(xiàn)MAX3384轉(zhuǎn)換器的完全關(guān)斷。
2023-02-10 11:06:451980 
本文論述了功率MOSFET管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的雙重特性以及相對應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，功率MOSFET管在開通和關(guān)斷時要跨越這兩個區(qū)域的工作過程。
2023-02-16 11:22:592164 
實(shí)際的功率MOSFET 可用三個結(jié)電容，三個溝道電阻，和一個內(nèi)部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。
2023-02-17 18:11:013331 上一篇，我們寫了基于感性負(fù)載下，IGBT的開通過程，今天，我們就IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行一個敘述。對于IGBT關(guān)斷的可以基于很對方面進(jìn)行分析，而今
天我們從電壓電流對IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析。
2023-02-22 15:21:3314 , 同時還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關(guān)速度快的特點(diǎn)。很多情況，由
于對IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識不清, 對關(guān)斷時間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識不清, 導(dǎo)致無法解釋在使用過程中出現(xiàn)的電流拖尾長、
死區(qū)時間長等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT的性能; 導(dǎo)致IGBT因使用不當(dāng), 燒毀。今天我們就IGBT關(guān)斷時的
2023-02-22 14:57:546 最近一直在說MOS管的知識，就有朋友留言說能具體說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程嗎，那我們今天來說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過程。
2023-03-26 16:15:438583 
再次可以看到在關(guān)斷過程中也有類似的四個明顯不同的區(qū)間，但是它們都很大程度上受到柵極驅(qū)動器電路特性的影響。在通常的應(yīng)用中，柵極驅(qū)動電壓相對于柵極閾值會提高到較高水平，以便讓 MOSFET 充分導(dǎo)通得到最低的RDs(ON)。
2023-05-11 09:05:561054 
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導(dǎo)通特性
2023-05-25 17:11:506445 
8.2.12.5關(guān)斷過程，0
2022-03-10 10:26:03717 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:033281 寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)備，如功率放大器和開關(guān)電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:585125 和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT導(dǎo)
2023-10-19 17:08:0226499 第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401447 
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件，其關(guān)斷過程的分析對于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的優(yōu)勢，具有導(dǎo)通特性好
2024-07-26 18:03:566876 
功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，其開通和關(guān)斷過程原理對于理解其工作特性、設(shè)計高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下將對功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理進(jìn)行詳細(xì)闡述，內(nèi)容涵蓋MOSFET的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、開通和關(guān)斷過程的具體分析以及影響因素等。
2024-10-10 09:54:405059 BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31741 
SiC碳化硅MOSFET短路過流耐受時間較短的根本性物理分析與兩級關(guān)斷（2LTO）保護(hù)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報告：兩級關(guān)斷（Two-Level Turn-Off, 2LTO）技術(shù)逐漸確立為平衡SiC
2026-01-01 13:48:1024 
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