絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用于新能源電動汽車、及電動車的交流電電動機的輸出控制。

傳統(tǒng)的BJT導通電阻小，但是驅(qū)動電流大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅(qū)動電流小的優(yōu)點。IGBT正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點：不僅驅(qū)動電流小，導通電阻也很低。

這種晶體管結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會透過把一個隔離的場效應晶體管（FET）結(jié)合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管作開關。

IGBT原理

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓 BVDSS 需要一個源漏溝道，而這個溝道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有 RDS(on) 數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。

雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了 RDS(on) 特性，但是在高耐壓的器件上，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。

較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低 VCE(sat) 的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。

內(nèi)部構(gòu)造

IGBT是一種由控制電路控制、是否導電的半導體。G是柵極，也就是控制極，C是集電極，E是發(fā)射極。

例如控制電路指示為通，我們給G電極高電平，那么 IGBT就會導通，IGBT就是導體，有電流通過；如果控制電路指示為斷，我們給G電極低電平，那么 IGBT就會截止，則IGBT就是絕緣體，沒有電流通過。