本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯κ惺跥aN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:262551 安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性
2025-06-13 10:01:291353 
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達 300℃以上(傳統(tǒng) Si 器件為150
2025-12-05 10:05:177282 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:366224 2014年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(INTERNEPCON Japan)展會時間2014年1月15-17日展會地點日本東京展館名稱有明國際展覽中心（TOKYO BIG SIGHT
2013-03-27 10:25:32
2016年印度國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展ELECTRONICS FOR YOU EXPO 2016） 【展會時間】2016年1月11日-13日 【展會地點】印度 班加羅爾 【展館名稱】班
2015-09-16 09:48:40
展覽日期：2016年1月11 - 13日主辦單位：EFY集團中國組團機構(gòu):北海展覽展覽地點：印度 班加羅爾展覽周期：一年一屆 展覽會概況：“印度國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展”將于2016年1月
2015-09-30 11:39:19
2016年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(INTERNEPCON Japan)【展會時間】2016年1月13-15日【展會地點】日本 東京【展館名稱】有明國際展覽中心（TOKYO BIG
2015-09-16 09:47:46
2016年泰國國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(Nepcon Thailand) 【展會時間】2016年6月24-27日 【展會地點】泰國 曼谷 【展館名稱】曼谷BITEC展覽中心
2015-10-15 16:25:27
盡管自20世紀(jì)70年代以來，與器件相關(guān)的SiC材料研究一直在進行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品質(zhì)因素是有抱負的材料和器件科學(xué)家繼續(xù)推進SiC
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
（Ⅰ）、（Ⅱ）兩部分。第一部分為一般磁性、非金屬磁性和材料及磁共振。主要介紹一般和非金屬磁性、微波磁學(xué)、磁光學(xué)、磁電子學(xué)、磁記錄、各種磁共振（鐵磁、順磁、核磁共振和M ***auer效應(yīng)）。第二部分為金屬磁性
2019-07-30 08:04:09
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
手機零件材料及技術(shù)要求
2013-05-05 21:57:51
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
2019年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會一、 展會情況介紹【展會名稱】2019年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(INTERNEPCON Japan)【展會時間】2019年1月
2018-09-27 09:35:59
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對汽車級離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件，并強調(diào)了成功設(shè)計必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動汽車和混合動力汽車提供動力
2019-08-11 15:46:45
要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。印象中的Sic應(yīng)該運用于大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對節(jié)能和小型化貢獻巨大的功率元器件。③“數(shù)說”碳化硅碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
概述了國內(nèi)外納米磁性材料及器件研究與開發(fā)的進展。具體介紹納米磁性粒子、鐵基納米晶軟磁合金、稀土永磁快淬磁粉、人工格、納米磁性絲、射頻用復(fù)合軟磁材料的制備工藝、
2009-06-25 10:22:46
12 電子鎮(zhèn)流器用磁性材料及器件的選擇和制作要點:根據(jù)電子鎮(zhèn)流器的基本電路原理，分析了種種照明燈中主要功能磁性器件和功能磁性器件的實際工作狀態(tài)和環(huán)境。
2009-08-23 11:22:4040 元器件資料及封裝圖片完整資料下載
2010-04-02 15:59:573737 軟磁材料及其半成品1．序言2． 材料及其應(yīng)用2.1 含72—83%鎳的鎳鐵合金2.2 含54—68%鎳的鎳鐵合金2.3 含45—50%鎳的鎳鐵合金2.4 含35—40%鎳的鎳鐵合金2.5 接近30%鎳
2010-04-08 10:23:5517 展會簡介：印度國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會由世界著名的展覽公司之一德國慕尼黑展覽公司主辦，是國際最大的電子元器件展——慕尼黑電子元器件展（electronica）
2006-04-15 17:25:521510 2005中國國際平面顯示器件、設(shè)備材料及零部件展覽會
2006-04-15 17:28:351051 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432711 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:2081 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4413375 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:523387 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵GaAs 砷化鎵GaAs 砷化鎵的電子
2017-12-07 14:37:192680 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438319 
引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:025379 SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸，則功率器件的工作溫度將會提升到一個全新的高度。SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導(dǎo)率，而硅材料
2018-05-11 17:00:0610043 
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412108 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:009411 文章簡要回顧了半導(dǎo)體的研究歷史，介紹了半導(dǎo)體材料與相關(guān)應(yīng)用，闡述了半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件的工作原理，并展示了半導(dǎo)體自旋電子學(xué)及低維窄禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀與發(fā)展前景。
2018-11-29 17:04:1713275 關(guān)鍵詞：導(dǎo)熱材料 , EMI屏蔽 近日，世強與Parker Chomerics（美國固美麗）簽訂代理協(xié)議。此后，世強及世強元件電商將代理銷售Parker Chomerics導(dǎo)熱材料及EMI屏蔽材料等
2019-03-13 14:05:021025 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:502235 
為幫助行業(yè)人士高效、快速了解顯示行業(yè)，新材料在線?獨家策劃了《2019年顯示行業(yè)關(guān)鍵材料及市場研究報告》，為您全面介紹行業(yè)概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、上游關(guān)鍵原材料、本行業(yè)競爭格局及材料重點應(yīng)用領(lǐng)域。目錄如下：
2019-07-23 11:08:534556 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
是 21 世紀(jì)的關(guān)鍵前沿技術(shù)之一，歐美發(fā)達國家為促進納米材料和技術(shù)的發(fā)展制定了多個科研計劃，投入巨額研發(fā)經(jīng)費，并在多個領(lǐng)域取得重要成果。 目前國內(nèi)規(guī)模較大的納米應(yīng)用產(chǎn)品主要集中在納米粉體材料及其相關(guān)產(chǎn)品。而納米生物
2020-10-10 17:20:169490 
碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 納米材料電學(xué)測試方案將在本文中闡述，包括《納米線/碳納米管測試方案》、《二維/石墨烯材料測試方案》。納米材料電學(xué)測試SMU 應(yīng)用場景、測試特點及選型原則的示意圖，結(jié)合被測納米材料或納米電子器件的類型
2021-04-03 09:26:004202 
第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢
2021-05-03 16:18:0013732 
的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0964 【滲漏治理】煤粉集塵器堵漏的材料及步驟
2022-05-25 17:17:270 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:231598 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠未達到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:282834 介紹碳化硅功率二極管，包括碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）、碳化硅PiN二極管（PiN），碳化硅結(jié)/肖特基二極管（JBS），然后介紹碳化硅聚碳場效應(yīng)管、DMOSFET和幾種MESFET，第三部分是關(guān)于碳化硅雙極器件，如BJT和IGBT。最后，討論了SiC功率器件開發(fā)過程中的挑戰(zhàn)，特別是其材料生長和封裝。
2022-11-04 09:56:011166 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:472665 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102964 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4818 一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:583239 
剛性PCB用材料及PTFE與FR4混壓工藝介紹
2022-12-30 09:21:092 點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:491930 
眾所周知，硅（Si）材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。硅材料從沙子中提煉，構(gòu)筑了遠比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今，碳化硅（SiC）材料作為一種衍生技術(shù)進入了市場——相比硅材料，它可以實現(xiàn)更高
2023-12-21 10:55:021266 磁性元件是一種以磁性材料為基礎(chǔ)制造的電子元器件，通過其特殊的磁性特性，可在電子電路中起到傳感、存儲、變換等作用。磁性元件的材料基本上由磁性金屬或磁性陶瓷構(gòu)成。下面將詳細介紹磁性元件的材料及其應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-23 16:54:145702 碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場強度等特點。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時比傳統(tǒng)硅基器件體積更小，效率更高，耗能更低。
2024-04-18 11:02:361729 
成為分布式能源系統(tǒng)的重要組成部分。而SiC器件作為一種具有優(yōu)異性能的半導(dǎo)體材料，其在微型逆變器中的應(yīng)用正日益受到業(yè)界的關(guān)注。 SiC器件以其高溫穩(wěn)定性、高開關(guān)頻率和低損耗等特性，在微型逆變器中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。其優(yōu)異的性能不
2024-05-29 14:46:471206 
SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細探討SiC器件在電源中的應(yīng)用，包括其優(yōu)勢、具體應(yīng)用場景、技術(shù)挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。
2024-08-19 18:26:082419 SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，如高絕緣擊穿場強度、寬禁帶、高熱導(dǎo)率等，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:586012 SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 。本文通過對比Si，4H-SiC和GaN的材料特性，系統(tǒng)的闡述SiC MOS卓越性能的材料本源。 參見圖一對于平面MOS來說其導(dǎo)通電阻主要由三部分組成，即溝道電阻（Rch）, 器件外延層電阻 （Repi）和襯底電阻Rsub。其中器件外延層電阻和器件耐壓有著強相關(guān)的關(guān)系。表一列出30V，100V和
2024-09-23 15:14:001546 
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個角度對這些環(huán)氧材料的詳細分析：1.熱管理導(dǎo)熱性能：環(huán)氧樹脂需要具備良好的導(dǎo)熱性能，以有效散熱，防止器件過熱
2024-10-18 08:03:072236 
與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。
2024-11-14 14:55:093481 
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊等
2024-11-25 16:28:542900 隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體材料，因其卓越的電學(xué)
2024-11-25 16:30:082707 BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 拿到一個ST的宣傳材料，該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案，也找了文章了解了一下原理。資料有限，標(biāo)題的問題沒找到答案。有哪位大神愿意分享一下呢?
2025-03-01 14:37:152091 
在芯片工藝不斷演進的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測試》的直播中，大家就新型存儲技術(shù)、先進材料電學(xué)表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲作為新一代非易失性存儲的代表，其器件性能的測試與優(yōu)化自然也成為了焦點之一。
2025-08-11 17:48:371173 
BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
2025-09-01 16:16:110
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