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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源設(shè)計(jì)應(yīng)用>新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積

新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積

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IR新型DirectFET MOSFET

國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET-IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
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ROHM新品 | 適用于工業(yè)設(shè)備和基站電機(jī)的新一代雙極MOSFET

`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60VMOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
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2021-11-16 09:36:36

SL3041 DC100V耐壓芯片 降壓72V 60V 48V 36V供電降壓恒壓

?:支持10V-100V輸入,可直接處理72V/60V/48V/36V等高電壓輸入場(chǎng)景。 ?高電流輸出?:內(nèi)置功率MOSFET,峰值輸出電流達(dá)3A,效率超過(guò)90%。 ?多重保護(hù)機(jī)制?:集成短路保護(hù)、過(guò)熱
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SL3062替代LTC3864:60V耐壓降壓芯片 國(guó)產(chǎn)化替換方案

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2025-03-26 15:24:29

Vishay SQ2361 汽車P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
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示波器測(cè)量的電源60V的紋波太大求解決

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2023-02-20 19:03:400

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM950ENE

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM950ENE
2023-02-20 19:52:110

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA
2023-02-20 19:53:520

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENEA
2023-02-20 19:54:170

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA
2023-02-20 19:59:070

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020

N 溝道 LFPAK 60V,15.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-60YS

N 溝道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-60YS
2023-02-22 18:57:200

N 溝道 60V,14.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60PS

N 溝道 60 V、14.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60PS
2023-02-22 19:04:310

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE
2023-02-23 19:04:350

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENE

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENE
2023-02-23 19:05:100

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW
2023-02-27 19:17:360

N 溝道 LFPAK 60V,11.1mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-60YS

N 溝道 LFPAK 60 V、11.1 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-60YS
2023-03-01 18:51:270

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM
2023-03-02 23:00:470

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB
2023-03-02 23:01:061

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK
2023-03-02 23:02:470

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA
2023-03-03 19:33:310

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA
2023-03-03 19:35:230

60V轉(zhuǎn)5V的穩(wěn)壓電路

 如果要把60V的直流電壓改成5V輸出,可以選用DC-DC降壓電路來(lái)實(shí)現(xiàn),這里分享一款采用高壓DC-DC降壓IC設(shè)計(jì)的60V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓電路,最高輸入電壓可以達(dá)到80V,一起來(lái)看下。
2023-05-30 16:17:0712211

–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數(shù)據(jù)表

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2024-03-26 14:32:010

60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表

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2024-03-27 13:49:350

30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表

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2024-04-02 11:25:410

雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表

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2024-04-07 14:49:200

強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級(jí)MOSFET

強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級(jí)MOSFET,此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492164

超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測(cè)試EVM

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2024-12-21 10:41:160

BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 11:28:350

2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 11:29:170

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787

CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET,同時(shí)大幅減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:10:20607

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET,同時(shí)顯著減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:15:15674

PL86051 60V,5A,同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊(cè)

、20mΩ低側(cè) MOSFET,可在12V60V寬工作輸入電壓范圍內(nèi)提供5A連續(xù)負(fù)載電流。PL86051開(kāi)關(guān)頻率可在50kHz至500kHz范圍內(nèi)進(jìn)行編程,從而可以靈活地調(diào)整效率和尺寸。對(duì)于低電壓
2025-08-22 15:30:220

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