想做一個(gè)0—60V的可調(diào)直流電路,一直找不到合適的解決方案。請(qǐng)教各位給出一個(gè)優(yōu)質(zhì)的解決方案
2015-11-28 15:44:47
(SOT)-23,漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?!霸谶@些電路板上,你有空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他承認(rèn)有,于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
60V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)3V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)1.8V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)5V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)3.3V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)3V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)1.8V降壓芯片。1
2020-11-18 10:00:48
產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2019-10-24 09:26:59
?:60V太陽(yáng)能電池降壓至24V,兼容鋰電池組BMS系統(tǒng)?。
四、綜合成本優(yōu)勢(shì)
芯片采購(gòu)成本?:SL3037B國(guó)產(chǎn)化方案單價(jià)較TPS54240降低?30%-40%??;
系統(tǒng)維護(hù)成本?:外圍電路簡(jiǎn)化減少故障率
2025-03-07 16:24:10
60V轉(zhuǎn)24V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)20V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)15V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)12V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)9V降壓芯片60V轉(zhuǎn)24V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)20V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)15V穩(wěn)壓芯片 ,60V轉(zhuǎn)
2020-11-18 10:58:57
60V轉(zhuǎn)24V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)20V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)15V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)12V降壓芯片,60V轉(zhuǎn)9V降壓芯片60V轉(zhuǎn)24V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)20V穩(wěn)壓芯片,60V轉(zhuǎn)15V穩(wěn)壓芯片 ,60V轉(zhuǎn)
2020-11-18 10:53:17
60V轉(zhuǎn)24V,60V轉(zhuǎn)20V,60V轉(zhuǎn)15V ,60V轉(zhuǎn)12V,60V轉(zhuǎn)9V,60V轉(zhuǎn)5V,60V轉(zhuǎn)3.3V,60V轉(zhuǎn)3V,60V轉(zhuǎn)24V芯片,60V轉(zhuǎn)20V芯片,60V轉(zhuǎn)15V芯片 ,60V轉(zhuǎn)
2020-10-07 18:24:04
/0.6A穩(wěn)壓芯片
DCDC60V降壓12V/0.6A穩(wěn)壓芯片是一種常見(jiàn)的電源管理芯片,它可以將輸入的60V直流電壓降低到12V,并輸出0.6A的電流。這種芯片通常采用PWM控制技術(shù),具有高效率
2023-11-21 15:30:37
60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)設(shè)備體積?!盩I推薦使用無(wú)鉛(SnAgCu)SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏,但體積更小的第四類焊錫膏則是更優(yōu)
2018-08-29 15:28:55
(SOT)-23,漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?!霸谶@些電路板上,你有空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他承認(rèn)有,于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
+-60v量程多路AD電路怎樣設(shè)計(jì)?ADC是不是都自帶采保電路(S/H),如ad7738?AD7738到底有無(wú)PGA?指南和PDF文件不一致.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器有什么不同?AD7738 的MUX是模擬開(kāi)關(guān),還是多路復(fù)用器?謝謝您
2018-11-22 09:03:32
的非常寬的結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍.特征:?溝槽型Power MV MOSFET技術(shù)-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對(duì)快速切換應(yīng)用程序進(jìn)行優(yōu)化?VDS:-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET-IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE60P04Y 新潔能 -4A -60V MOS管,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場(chǎng)效應(yīng)管品牌:新潔能
2020-11-06 15:30:13
以及過(guò)溫保護(hù)電路,減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。OC6700B采用ESOP8封裝。散熱片內(nèi)置接SW腳。特點(diǎn)? 寬輸入電壓范圍:2.6V~60V? 內(nèi)置60V功率MOS? 高效率:可高達(dá)95%? 最大
2020-05-22 09:55:05
以及過(guò)溫保護(hù)電路,減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。OC6700B采用ESOP8封裝。散熱片內(nèi)置接SW腳。特點(diǎn)? 寬輸入電壓范圍:2.6V~60V? 內(nèi)置60V功率MOS? 高效率:可高達(dá)95%? 大工
2020-05-23 09:57:20
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
概述SL3039 是一款內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。SL3039在5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.8 A峰值輸出電流,并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。SL3039
2021-11-16 09:36:36
?:支持10V-100V輸入,可直接處理72V/60V/48V/36V等高電壓輸入場(chǎng)景。
?高電流輸出?:內(nèi)置功率MOSFET,峰值輸出電流達(dá)3A,效率超過(guò)90%。
?多重保護(hù)機(jī)制?:集成短路保護(hù)、過(guò)熱
2025-08-06 15:47:43
、SL3062的核心優(yōu)勢(shì)?
高集成度與BOM成本優(yōu)化?
SL3062內(nèi)置60V MOSFET和自舉二極管,相比LTC3864需外置驅(qū)動(dòng)及MOS的方案,可減少5-10個(gè)外圍元件,PCB面積縮小30%以上,顯著
2025-03-26 15:24:29
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
大的負(fù)載電流都會(huì)采用兩個(gè)功率6 x 5封裝,算上導(dǎo)線和打卷標(biāo)的面積,以及兩個(gè)器件的位置擺放,占用的面積超過(guò)60mm2。這種雙芯片功率封裝的尺寸是6.0mm x 3.7mm ,在電路板上占用的面積
2013-12-23 11:55:35
我這邊用示波器測(cè)的60V的電源,輸出紋波好大,不知道是測(cè)試問(wèn)題還是電源的問(wèn)題,示波器圖片如下:
2014-12-30 18:35:44
產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2020-12-17 14:47:30
,高輸出功率下?lián)p耗的降低,會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。 英飛凌通過(guò)推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET,為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。 通過(guò)對(duì)測(cè)量曲線進(jìn)行直接比對(duì),結(jié)果顯示
2018-12-06 09:46:29
簡(jiǎn)化48V至60V直流饋電三相逆變的方法
2020-11-27 06:43:34
小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:44
2304 Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管,擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:39
2762 效率。MAX17503內(nèi)置兩個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān),無(wú)需使用外部肖特基二極管,與其它工業(yè)應(yīng)用高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器相比,熱耗降低50%,具有更高效率。器件輸入電壓范圍為4.5V至60V,輸出電流可達(dá)2.5A。MAX17503可節(jié)省50%的占用空間,元件數(shù)量減少75%。
2013-09-24 15:43:09
1508 
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開(kāi)關(guān)低90%,同時(shí),使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝,其負(fù)載開(kāi)關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:36
1795 )-23,漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?!霸谶@些電路板上,您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò),于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息。
2016-10-24 16:33:37
1276 關(guān)鍵詞:MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源,延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電
2018-10-13 11:03:01
728 60V 轉(zhuǎn) 24V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 20V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 15V 降壓芯片 ,60V 轉(zhuǎn) 12V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 9V 降壓芯片 60V 轉(zhuǎn) 24V 穩(wěn)壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 20V
2020-10-19 08:00:00
41 60V 轉(zhuǎn) 5V 穩(wěn)壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 3.3V 穩(wěn)壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 3V 穩(wěn)壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 1.8V 穩(wěn)壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 5V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 3.3V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 3V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 1.8V 降壓芯片。
2020-10-19 08:00:00
32 60V轉(zhuǎn)5V,60V轉(zhuǎn)12V的降壓芯片規(guī)格書(shū),0.1A-10A
2020-11-25 17:54:42
42 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:21
1914 
LT3596:60V LED Driver數(shù)據(jù)盤(pán)
2021-04-26 12:12:35
9 60V同步降壓-升壓LED驅(qū)動(dòng)器
2021-05-10 16:17:02
13 60V零漂移
2021-05-14 21:27:11
0 ±60V故障保護(hù)3.3V/5V CAN收發(fā)器
2021-05-16 11:30:13
3 60V電池煤氣表
2021-05-16 15:54:07
1 超堅(jiān)固±60V PROFIBUS收發(fā)器
2021-05-18 15:36:28
3 高精度60V煤氣表的檢定
2021-05-18 16:50:19
1 60V轉(zhuǎn)3V 3.3V 5V 12V 15V電源芯片和LDO選型(現(xiàn)代電源技術(shù)題庫(kù))-60V轉(zhuǎn)3V,60V轉(zhuǎn)3.3V,60V轉(zhuǎn)5V,60V轉(zhuǎn)15V
2021-09-15 12:40:25
38 有,于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見(jiàn)圖1),是專為諸如信息
2022-01-27 14:51:08
1298 NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:34
2966 
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:25
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX700CN
2023-02-09 18:50:56
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENE
2023-02-15 18:45:36
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENE
2023-02-15 18:46:07
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN37ENE
2023-02-15 18:46:54
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBK
2023-02-15 19:51:48
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AK
2023-02-16 20:08:33
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40SNA
2023-02-16 20:54:00
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:05
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:55
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:15
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKM
2023-02-17 19:40:02
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:40
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:27
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:44
2 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM950ENE
2023-02-20 19:52:11
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA
2023-02-20 19:53:52
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENEA
2023-02-20 19:54:17
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:03
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:43
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA
2023-02-20 19:59:07
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:40
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:17
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:02
0 N 溝道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-60YS
2023-02-22 18:57:20
0 N 溝道 60 V、14.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60PS
2023-02-22 19:04:31
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE
2023-02-23 19:04:35
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENE
2023-02-23 19:05:10
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:27
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW
2023-02-27 19:17:36
0 N 溝道 LFPAK 60 V、11.1 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-60YS
2023-03-01 18:51:27
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM
2023-03-02 23:00:47
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB
2023-03-02 23:01:06
1 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK
2023-03-02 23:02:47
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA
2023-03-03 19:33:31
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:17
0 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:48
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA
2023-03-03 19:35:23
0 如果要把60V的直流電壓改成5V輸出,可以選用DC-DC降壓電路來(lái)實(shí)現(xiàn),這里分享一款采用高壓DC-DC降壓IC設(shè)計(jì)的60V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓電路,最高輸入電壓可以達(dá)到80V,一起來(lái)看下。
2023-05-30 16:17:07
12211 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 14:32:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 13:49:35
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-02 11:25:41
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 14:49:20
0 強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級(jí)MOSFET,此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:49
2164 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測(cè)試EVM.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-21 10:41:16
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:28:35
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:29:17
0 這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32
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這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET,同時(shí)大幅減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:10:20
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這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET,同時(shí)顯著減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:15:15
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、20mΩ低側(cè) MOSFET,可在12V至60V寬工作輸入電壓范圍內(nèi)提供5A連續(xù)負(fù)載電流。PL86051開(kāi)關(guān)頻率可在50kHz至500kHz范圍內(nèi)進(jìn)行編程,從而可以靈活地調(diào)整效率和尺寸。對(duì)于低電壓
2025-08-22 15:30:22
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評(píng)論