近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:11
3203 國際整流器公司推出堅固型600 V三相柵極驅動器IC，主要應用于包括永磁電機驅動的家電、工業(yè)驅動、微型變頻器驅動和電動汽車驅動等在內的高、中和低壓電機驅動應用。
2016-06-21 18:20:36
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅動芯片，內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路，用來驅動雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
如果控制側涉及到人的活動，那么高功率側和低電壓控制電路之間需要電流隔離。它能防范高壓側的任何故障，因為盡管有元件損壞或失效，隔離柵仍會阻止電力到達用戶。圖6.采用ADuM4121隔離式柵極驅動器的半橋
2021-07-09 07:00:00
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區(qū)時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
及輸出驅動電路，專用于無刷電機控制器、電源 DC-DC 中的驅動電路。EG2106 高端的工作電壓可達 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 10V～20V。該芯片輸入通道 HIN 內建了一個
2022-09-13 13:22:59
FAN73832 是一款半橋、柵極驅動 IC，帶關斷和可編程死區(qū)時間控制功能，能驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
IRS26302D：保護式600V三相柵極驅動器
2016-06-21 18:26:25
確保高壓側電源開關的正確驅動。驅動器使用2個獨立輸入。特性：高壓范圍：高達600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅動電源范圍為10 V至20 V高和低驅動輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠性的半橋柵極驅動器,穩(wěn)健可靠的電平轉換技術同時擁有高運行速度和低功耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側柵極驅動器的干凈電平轉換。該器件內置VDD欠壓鎖定和輸入直通防止功能
2025-12-05 11:18:21
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601A馬達驅動600V單相雙NMOS半橋柵極驅動芯片
SA2601A是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅動芯片，專為高壓、高速驅動N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601水泵半橋柵極驅動芯片 SOP8，原裝
型號：SA2601
封裝： SOP8
品牌：矽塔科技
SA2601A特性：
懸浮絕對 電壓600V
電源電壓工作
2024-04-01 17:32:59
一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅動器，專為驅動MOSFET和IGBT設計。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅動電流以及全電壓范圍內的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
一、概述：高性能半橋驅動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器，具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
： SLM2184SCA-13GTR的核心價值在于其高集成度（SOP8小封裝）、高壓能力（600V）、強勁的驅動電流（950mA） 以及內置的智能保護功能（死區(qū)時間、UVLO、關斷引腳）。它為開發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅動系統(tǒng)提供了一個高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅動 #半橋驅動 #門極驅動
2025-08-26 09:15:40
：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器，專為驅動半橋或類似拓撲中的高邊和低邊開關而設計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
在高電壓開關電源設計中，選擇一款耐壓可靠、抗干擾性強且兼容性好的半橋驅動器至關重要SiLM2004ECA-DG 正是為應對此類挑戰(zhàn)而生的高性能解決方案。采用專有高壓IC工藝和鎖存免疫CMOS技術
2025-07-30 08:49:53
逆變器、UPS不間斷電源
工業(yè)自動化設備中的功率驅動部分
總結SiLM2186CA-DG (SOP8) 是一款在性能、可靠性和兼容性方面表現均衡的高壓半橋驅動器，600V耐壓、3A灌電流能力
2025-08-23 09:36:06
在工業(yè)風機、家電壓縮機或通用電機驅動等高壓應用中，一個簡潔可靠的半橋驅動電路是系統(tǒng)穩(wěn)定運行的基礎。SiLM2206CJ半橋門極驅動器，集成了關鍵的自舉二極管，支持高達600V的母線電壓，在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅動設計，內部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設計，具備優(yōu)異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
在工業(yè)電機控制、新能源逆變器及大功率開關電源等高壓應用領域，系統(tǒng)設計長期面臨著高壓干擾、驅動效率低下以及高邊驅動設計復雜的核心痛點。為應對這些挑戰(zhàn)，600V半橋門極驅動芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
在搞伺服驅動、光伏逆變器或者工業(yè)電源時，驅動電路是不是總讓你頭疼？高壓下的噪聲干擾、開關損耗帶來的發(fā)熱，還有高邊驅動那麻煩的隔離電源設計，都是實實在在的挑戰(zhàn)。SiLM2285半橋門極驅動器，就是沖著
2026-01-04 08:59:29
600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285，超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優(yōu)勢，解決工業(yè)開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題，實現對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
、4A輸出的半橋門極驅動器，旨在通過增強抗擾性、提升驅動效率并簡化設計，幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統(tǒng)在高功率場景下穩(wěn)定運行。產品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達600V
2025-12-23 08:36:15
結構。
總結：SiLM2285 600V/4A半橋門極驅動器，通過超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅三大核心優(yōu)勢，有效解決了高壓高功率應用中的關鍵痛點。其寬電壓兼容、精準時序、多重保護特性，為工業(yè)自動化
2025-08-08 08:46:25
。核心價值與特性：
高度集成，精簡設計：
單芯片集成 8路獨立半橋柵極驅動器，輕松驅動多種電機或負載。
內置寬共模范圍電流檢測放大器，支持高邊和低邊采樣，提供精準的電流反饋，簡化外部電路。
集成電源管理
2025-07-31 08:46:17
許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，以展現
2018-07-03 16:33:25
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅動器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關損耗地驅動大功率MOSFET。高側和低側兩個通道完全獨立，其導
2025-03-03 11:27:14
Brian Kennedy許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細
2018-10-23 11:49:22
隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極
2018-10-16 16:00:23
許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，以
2018-09-26 09:57:10
軟啟動保護和掉電保護? 帶高壓線電壓保護? 600V 軌兼容的高側柵極驅動器? -0.3A/0.8A 高側和低側門極驅動? 封裝形式：SOP16L2. 描述EG6599 是一款專用于諧振半橋拓撲結構的雙端
2022-09-15 13:50:21
柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設備接口。該驅動器輸出具有最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖設計。
2021-09-14 07:29:33
L6390，用于工業(yè)應用的高壓半橋柵極驅動器。三相功率級三L6390半橋柵極驅動器之一的應用電路
2019-07-08 12:28:25
驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區(qū)時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產生損害
2019-12-06 13:13:21
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設計，配有高端和低端驅動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
這些挑戰(zhàn)的核心。概述：專為高壓高效應用優(yōu)化的驅動核心SiLM22868是一款面向工業(yè)與新能源領域的單芯片半橋門極驅動器。其核心價值在于，在標準的SOP8封裝內，集成了600V耐壓、4A對稱驅動電流
2025-12-03 08:25:35
4-A、600V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅動芯片SOP8，原裝現貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅動芯片是一種用于驅動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601A雙NMOS半橋柵極驅動芯片 600V單相，原裝現貨 SA2601A是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅動芯片，專為高壓、高速驅動N型功率MOSFET
2024-04-01 17:43:40
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔雙NMOS半橋柵極驅動芯片，原裝現貨 SA2601A是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅動芯片，專為高壓、高速驅動N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:46:31
芯朋微電子ID7S625 600V高壓半橋驅動芯片 一、概述ID7S625半橋驅動芯片是一款基于P襯底、 P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器
2024-08-15 15:12:20
SCALE驅動器的半橋接線電路
2010-02-18 21:55:541756 
IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC
美國國際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:321234 帶 600V半橋柵極驅動器的鎮(zhèn)流器控制IC 應用：照明 IR2153 IR53H420 IR64HD420 IR2156 IR21571 IR21592 IR21593 IR2166 IR2167
2011-02-09 09:28:47
29 線性LED驅動器半橋LLC電路
2011-03-31 15:16:102603 
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
2011-10-21 09:45:211990 本文將詳細闡述實現隔離式半橋柵極驅動器設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2012-12-17 15:12:468862 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:113617 
許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2017-02-10 07:57:418497 
高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側和低側的輸入，以及具有內部死區(qū)時間的兩個輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側通道可驅動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3759 本文開始介紹了ir2104特點與ir2104技術參數，其次介紹了ir2104引腳圖及功能說明，介紹了ir2104絕對最大額定值、推薦工作條件及電氣特性，最后介紹了ir2104功能框圖及ir2104半橋驅動器應用電路圖。
2018-03-04 13:56:19251020 
隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2019-02-23 10:53:588351 
FD2606S 是高壓、高速半橋柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓
2020-04-25 08:00:0071 三相驅動器（如三相600V單芯片柵極驅動器STDRIVE601）的易用性、可用性和經濟性是這一發(fā)展的主要原因所在。STDRIVE601具有穩(wěn)健性、簡單性和節(jié)省成本的特點，同時可確保系統(tǒng)受保護并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:541654 MASTERGAN4 是一種先進的功率系統(tǒng)級封裝，在半橋配置中集成了瑪瑙驅動器和兩個增強型 GaN 功率晶體管。集成功率 GaN 具有 650 V 漏源阻斷電壓和 225 mΩ RDS（ON），而嵌入式柵極驅動器的高端可由集成自舉二極管輕松供電。
2021-06-12 09:24:002131 
WD0412具有耐壓600V，高低邊懸浮隔離，輸入輸出同框，電源輸入范圍10V-20V，信號輸入電平3.3V、5V、15V兼容，交叉?zhèn)鲗ьA防邏輯，輸出傳輸延時匹配，內置欠壓保護、高低邊死區(qū)時間，避免同時導通等特點。
2022-05-11 11:13:082157 
隔離式半橋柵極驅動器用于許多應用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器。本文將詳細討論這些設計概念，探討隔離式半橋柵極驅動器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。
2023-01-17 11:08:464711 
ROHM擁有超過220款機型的電機驅動器IC，包括有刷直流電機、步進電機、單相無刷直流電機、三相無刷直流電機（包括高電壓）。其中三相無刷直流電機驅動器約有20款可承受250V和600V高電壓的高耐壓
2023-02-09 10:19:173219 
FAN73893MX是單片三相半橋柵極驅動 IC，設計用于高壓、高速驅動 MOSFET和 IGBT，工作電壓高達 +600 V。Fairchild 的高
壓工藝和共模噪聲消除技術可以保證高端驅動器
2023-02-24 14:58:510 電子發(fā)燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 驪微電子是芯朋微一級代理商，提供ID2304D高壓半橋驅動芯片600V，可兼容代換L6388，更多驅動產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2021-12-29 14:25:4910 供應ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅動IC，提供ID7U603規(guī)格書關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:11:047 電子發(fā)燒友網站提供《實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:57:327 電子發(fā)燒友網站提供《4.0 A隔離式半橋柵極驅動器ADuM7223應用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:13:237 帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G（3x310引腳DFN封裝）半橋柵極驅動器，可驅動12個額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:071575 
電子發(fā)燒友網站提供《穩(wěn)健、緊湊型 100V 半橋柵極驅動器LM5108數據表 .pdf》資料免費下載
2024-03-28 13:57:230 開關電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅動器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專用于驅動功率MOSFETs或IGBTs。
2024-04-18 17:13:002195 新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅動功率MOSFET和IGBT。產品型號
2024-07-27 08:14:36869 
LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅動器，具有高低邊輸出，用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:024 TOLL新推出強電流能力，高瞬態(tài)負壓、高引腳耐壓，600V高壓半橋驅動TMI87162， 該產品使用于電器電機驅動（空調、洗衣機、冰箱、洗碗機），風機，通用逆變器，電動自行車，電動工具等應用市場
2024-11-25 12:04:301114 
PT5619 在同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET和 IGBT 的柵極驅動. 特點·Feature //內置死區(qū)時間 //內置直通保護
2024-12-24 14:12:55734 用于 GaN 功率開關的高壓和高速半橋柵極驅動器產品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160 UCC27714 是一款 600V 高側、低側柵極驅動器，具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力，旨在驅動功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個以地為參考的通道 （LO） 和一個浮動通道
2025-02-26 10:52:531307 
內容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術，能夠穩(wěn)定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態(tài)負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 LM5109B 器件是一款高性價比的高壓柵極驅動器，旨在驅動 同步降壓或半橋中的高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET 配置。浮動的 高側驅動器能夠在高達 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-21 10:16:27870 
LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。浮動高壓側驅動器能夠在高達 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131046 
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅動芯片，內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路，用來驅動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:031 rms隔離，采用窄體16引腳SOIC封裝，ADuM4224則提供5000 V rms隔離，采用寬體16引腳SOIC封裝。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術融為一體，具有優(yōu)于脈沖變壓器和柵極驅動器組合等替代器件的出色性能特征。
2025-06-04 13:45:571007 
Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅動器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅動器，在高達150V的輸入電壓下工作，具有獨立于電源的三態(tài)脈寬調制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714 
Texas Instrument LM2005半橋柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。集成自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-08-08 14:36:111002 
Texas Instrument LM2101半橋柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。SH 引腳上的 – 1V DC和–19.5V
2025-08-08 14:45:091002 
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅動器設計用于驅動高側和低側N溝道MOSFET，具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅動器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定，在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965 
Texas Instruments LM2103半橋驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器，設計用于驅動半橋或同步降壓配置中的高側和低側N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅動器用于雙或單PWM輸入應用。
2025-08-15 15:03:49915 
Texas Instruments LM2105半橋柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。集成的自舉二極管無需使用外部分立式二極管，從而節(jié)省電路板空間并降低系統(tǒng)成本。
2025-08-21 09:35:57808 
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅動器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準通道 （LO） 和一個浮動通道 （HO
2025-10-10 15:05:041378 
DRV8106-Q1是一款高度集成的半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。它使用用于高側的集成倍增器電荷泵和用于低側的線性穩(wěn)壓器產生適當的柵極驅動電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 18:18:11700 
STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅動器設計用于N溝道增強模式GaN，高側驅動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅動器具有大電流能力、短傳播延遲和出色的延遲匹配
2025-10-15 10:41:20437 
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅動器設計用于N溝道增強模式GaN，高側驅動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅動器具有大電流能力、短傳播延遲和出色的延遲匹配
2025-10-15 10:46:11522 
DRV870xD-Q1 器件是小型半橋柵極驅動器，使用兩個外部 N 溝道 MOSFET，用于驅動單向有刷直流電機或螺線管負載。
PWM接口允許與控制器電路進行簡單的接口。內部檢測放大器提供可調
2025-10-16 14:35:31467 
DRV870xD-Q1 器件是小型半橋柵極驅動器，使用兩個外部 N 溝道 MOSFET，用于驅動單向有刷直流電機或螺線管負載。
PWM接口允許與控制器電路進行簡單的接口。內部檢測放大器提供可調
2025-10-16 14:39:58461 
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅動器是用于N溝道增強模式GaN的高壓半橋柵極驅動器。高側驅動器部分設計能夠承受高達600V的電壓軌，并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30655 
STDRIVEG610具有 單輸入控制 和 引導操作，只需極少的外部組件即可實現高效的高側和低側切換。該設備支持高達600V 的高側驅動器，并在低端和高端均包含欠壓鎖定 (UVLO) 保護，以確保安全運行
2025-10-17 14:12:56390 
onsemi FAD8253MX-1半橋柵極驅動器IC是一款單片式器件，專為高壓、高速驅動、工作電壓高達+1200V的IGBT而設計。onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高驅動器在高dV
2025-11-25 16:50:18607 
PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠 性的半橋柵極驅動器穩(wěn)健可靠的電平轉換技術 同時擁有高運行速度和低功耗特性，并且可提 供從控制輸入邏輯到高側柵極驅動器的干凈 電平轉換。該器件內置 VDD
2025-12-05 17:38:010
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