基本原理和結(jié)構(gòu)

電容式壓力傳感器的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。式中：ε0為真空中的介電常數(shù);t為絕緣層的厚度;εr為絕緣層的相對(duì)介電常數(shù);g為零載荷時(shí)電容器兩極板之間的初始距離;ω（x，y）為極板膜的中平面的垂向位移。

由公式可知，外界壓力通過(guò)改變電容的極板面積和間距來(lái)改變電容。隨著壓力慢慢增大，電容因極板間距減小而增大，此時(shí)電容值由非接觸電容來(lái)決定;當(dāng)兩極板接觸時(shí)，電容的大小則主要由接觸電容來(lái)決定。

傳感器的設(shè)計(jì)與制造

敏感薄膜是傳感器最核心的部件，其材料、尺寸和厚度決定著傳感器的性能。

目前敏感薄膜的材料多采用重?fù)诫sp型硅、Si3N4、單晶硅等。這幾種材料都各有優(yōu)缺點(diǎn)，其選擇與目標(biāo)要求和具體工藝相關(guān)。硅膜不破壞晶格，機(jī)械性能優(yōu)異，適于陽(yáng)極鍵合形成空腔，從簡(jiǎn)化工藝的目的出發(fā)，本方案選擇硅膜。

利用有限元分析軟件ANSYS對(duì)接觸式結(jié)構(gòu)的薄膜工作狀態(tài)進(jìn)行了模擬。材料為Si，膜的形狀為正方形，邊長(zhǎng)1000 μm，膜厚5 μm，極板間距10 μm。在1.01×105Pa的大氣壓力下，薄膜中央接觸部分及四個(gè)邊角基本不受應(yīng)力，四邊中央應(yīng)力最大為1.07 MPa，小于硅的屈服應(yīng)力7 MPa，其應(yīng)力分布如圖2所示。

整個(gè)制造流程都采用標(biāo)準(zhǔn)工藝，如圖3所示。先熱氧化100 nm的SiO2，既作為腐蝕Si的掩膜，又作為電容兩電極的絕緣層。利用各向異性腐蝕形成電容空腔和將來(lái)露電極的?？滩郏绻杵穸纫恢虑襅OH腐蝕速率均勻，此法可以在相當(dāng)程度上等效于自停止腐蝕。從玻璃上引出電容兩電極，然后和硅片進(jìn)行陽(yáng)極鍵合。鍵合片利用KOH腐蝕減薄后反應(yīng)離子深刻蝕露出測(cè)量電極。

關(guān)鍵工藝

4.1 KOH各向異性腐蝕

在各種各向異性腐蝕方法里面，KOH腐蝕簡(jiǎn)單實(shí)用，成本低廉。在硅片大面積、大深度腐蝕的情況下，KOH腐蝕容易影響硅片表面的形狀和光潔度，如何選擇合適的溶液配比起著重要的作用。在KOH質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%～40%，硅片電阻率為0.05 Ω？cm，80℃水浴恒溫的條件下，隨著KOH濃度的提高，腐蝕表面有著很明顯的變化：凸起的小丘逐漸由圓錐變成八棱錐進(jìn)而變成四棱錐，如圖4（a）所示，棱錐高度多為幾十微米，底邊長(zhǎng)一兩百微米;提高KOH濃度，小丘消失，出現(xiàn)四棱臺(tái)，如圖4（b）所示，棱臺(tái)深度多為幾個(gè)微米，底邊長(zhǎng)一兩百微米;再加大KOH濃度，小坑形狀發(fā)生變化，完整的四棱臺(tái)坑幾乎消失，多為斜坡?tīng)畹陌胨睦馀_(tái)小坑，如圖4（c）所示，坡高1～2μm，邊長(zhǎng)10μm以內(nèi)。

四棱錐和四棱臺(tái)的四個(gè)斜面對(duì)應(yīng)于腐蝕速率最低的（111）系列晶面。當(dāng)濃度較低時(shí)，（100）和（111）晶面的腐蝕速率比小，所以出現(xiàn)小丘;當(dāng)濃度增大時(shí)，（100）和（111）晶面的腐蝕速率比增大，所以出現(xiàn)小坑;濃度達(dá)到一定程度后，（100）和（111）晶面的腐蝕速率比趨于穩(wěn)定，依然出坑，而（110）和（111）晶面的腐蝕速率比增大，從而產(chǎn)生斜坡。只有調(diào)整KOH的濃度，得到匹配的（100）、（110）、（111）晶面的腐蝕速率，才能獲得較好的腐蝕表面。試驗(yàn)還表明，溫度主要影響腐蝕速率，對(duì)硅片腐蝕形貌影響不大。

4.2 陽(yáng)極鍵合

目前真空腔的形成多采用Si—Si鍵合或者陽(yáng)極鍵合。本方案采用陽(yáng)極鍵合，是因?yàn)殛?yáng)極鍵合比Si—Si鍵合的要求低。首先溫度只需要400～500℃，其次表面光潔度要求也相對(duì)較低。本工藝過(guò)程中存在金屬電極，不適于用高溫;鍵合面存在高約1400 nm，寬為20μm的電極引線，鍵合面的SiO2經(jīng)過(guò)一定程度的KOH各向異性腐蝕后粗糙度為100nm左右，經(jīng)過(guò)試驗(yàn)證明，鍵合情況良好（圖5），并具有良好的密封效果。

4.3 反應(yīng)離子深刻蝕

反應(yīng)離子深刻蝕（DRIE）能刻出非常深的垂直結(jié)構(gòu)，本試驗(yàn)用于最后硅薄膜的形成。DRIE的刻蝕效果（刻深為250 μm）沒(méi)有KOH腐蝕的平坦，刻蝕表面比較粗糙，表面顆粒起伏為幾個(gè)微米，如圖6。此外刻蝕存在不均勻性，75 mm硅片四周已經(jīng)刻到電極露出，而硅片中央的電極還沒(méi)有露出。深刻蝕的不均勻性與刻蝕表面的圖形有著密切的聯(lián)系，但其中的成因和機(jī)理目前還沒(méi)有具體合理的理論和解釋說(shuō)明。因而無(wú)法從理論上指導(dǎo)規(guī)劃刻蝕表面的形狀設(shè)計(jì)，更多的是依靠經(jīng)驗(yàn)手動(dòng)凋整。

試驗(yàn)結(jié)果與分析

制成的傳感器樣片。薄膜尺寸為2 mm×2 mm，膜厚理淪設(shè)計(jì)為10 μm，但由于硅片本身厚度存在±20 μm的起伏誤差，且經(jīng)過(guò)KOH各向異性腐蝕以及反應(yīng)離子深刻蝕之后已經(jīng)難以保證設(shè)計(jì)要求，實(shí)際膜厚10～30μm不等。

在室溫19.34℃的條件下，對(duì)壓力傳感器進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量設(shè)備為Druck的DPI610IS，測(cè)量電路采用了AD公司的AD7745電容測(cè)量芯片，精度能達(dá)到4 fF。測(cè)量曲線如圖7所示，測(cè)試精度為8.1‰。由于硅薄膜較厚，測(cè)量范圍內(nèi)的線性部分不多，此外電容電極的面積利用率不高使得電容的變化量也小，這些都是造成性能不高的主要原因，但由圖可以看出測(cè)量曲線存在很好的一致性和重復(fù)性。

結(jié)論

利用硅膜的良好機(jī)械特性，采用接觸式的結(jié)構(gòu)，通過(guò)簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn)的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片。經(jīng)過(guò)對(duì)傳感器的測(cè)試和分析，證明這種傳感器可應(yīng)用于氣象壓力的測(cè)量。如何改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝制造，提高傳感器的測(cè)量精度是下一步研究工作的重點(diǎn)。