硅晶片清洗方式的詳細(xì)說(shuō)明

引言

半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見(jiàn)的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴?，空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面，給半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來(lái)了許多令人頭痛的問(wèn)題。

為了正常工作，硅晶片必須完全沒(méi)有任何污染物。然而，去除這些污染物并不是最簡(jiǎn)單的任務(wù)，因?yàn)楣杈浅Ｒ姿?。因此，半?dǎo)體制造企業(yè)必須堅(jiān)持精心制定的清潔計(jì)劃，確保晶圓表面恢復(fù)到清潔狀態(tài)，同時(shí)保持最小的損壞風(fēng)險(xiǎn)。

為了最有效地清洗硅片，硅酮制造商推薦以下清洗步驟:

第一步:溶劑清洗

半導(dǎo)體制造企業(yè)使用溶劑成功去除硅片表面的油和有機(jī)殘留物。雖然溶劑確實(shí)能去除這些污染物，但溶劑本身也會(huì)在晶片表面留下殘留物。由于這個(gè)原因，實(shí)施了雙溶劑方法以確保晶片回到無(wú)污染狀態(tài)。溶劑清洗方法概述如下:

?準(zhǔn)備兩個(gè)浴槽，一個(gè)玻璃容器裝有丙酮，另一個(gè)裝有甲醇。

?將丙酮容器放在加熱板上，將丙酮加熱至不超過(guò)55°c的溫度。

?一旦變暖，將硅片浸泡在丙酮浴中10分鐘。

?丙酮浴完成后，取出硅片并將其放入甲醇容器中5分鐘。

?時(shí)間一到，將晶片從甲醇中取出，在去離子水中沖洗。

?用氮?dú)獯蹈晒杵?/p>

第二步:清潔RCA-1

·???????? 通過(guò)混合5份去離子水和1份氫氧化銨(27%)開(kāi)始準(zhǔn)備RCA槽。

·???????? 將RCA容器放在加熱板上，將溶液加熱至大約70°c的溫度。