閃存巨頭再度發(fā)力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會(huì)上連續(xù)公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構(gòu)建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時(shí)配合TLC（即三層單元）設(shè)計(jì)。

　　64層 V-NAND

　　64層TLC V-NAND最初公布于今年8月底，其能夠提供超越當(dāng)前256 Gbit 48層技術(shù)的存儲(chǔ)容量。目前512 Gbit（64 GB）芯片已經(jīng)完成，意味著其能夠?qū)SD存儲(chǔ)容量翻倍。三星方面指出，這套方案的IO速度為每秒800 Mbit。

　　西部數(shù)據(jù)/東芝也擁有自己的64層3D NAND技術(shù)，名為BiCS，目前正處于實(shí)驗(yàn)性階段，芯片容量為256 Gbit。

　　三星方面可能會(huì)利用其64層V-NAND芯片打造一款8 TB且尺寸大于M.2的SSD產(chǎn)品。其物理尺寸為22毫米x 110毫米。在利用此款產(chǎn)品的情況下，企業(yè)級(jí)服務(wù)器能夠在1U空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)256 TB NAND存儲(chǔ)容量。標(biāo)準(zhǔn)的M.2尺寸則可能用于構(gòu)建搭載同款芯片的三星4 TB產(chǎn)品。

　　首款采用64層V-NAND芯片的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2016年第四季度推出，據(jù)猜測(cè)其可能是一款采用BGA尺寸設(shè)計(jì)的平板型設(shè)備。

　　32 TB SSD

　　三星還將推出一款面向企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)場(chǎng)景的2.5英寸SAS連接SSD產(chǎn)品，其中包含32個(gè)1 TB組件堆棧，每套堆棧由16個(gè)512 Gbit芯片堆疊而成。換句話來(lái)說(shuō)，我們將迎來(lái)一款對(duì)分層式閃存芯片進(jìn)行分層疊加的存儲(chǔ)方案。

　　三星公司目前的最高容量SSD產(chǎn)品為2.5英寸15.36 TB PM1633a。此款驅(qū)動(dòng)器當(dāng)中包含32套封裝堆棧，每套堆棧容納有512塊256 Gbit 48層V-NAND芯片。此前的PM1633產(chǎn)品則采用32層128 Gbit芯片，總體容量為3.84 TB。

　　這款32TB SSD將沿用512 Gbit芯片所采用的基礎(chǔ)雙層布局，其最終定名為PM1643，預(yù)計(jì)將于2017年年內(nèi)發(fā)售。

　　SSD容量宣傳之戰(zhàn)已然打響

　　三星公司認(rèn)為，其將能夠在2020年推出100 TB SSD產(chǎn)品; 這可能代表著再進(jìn)行兩輪V-NAND技術(shù)升級(jí)，即將其2 Tbit芯片提升為128層結(jié)構(gòu)--但這純粹只是我們的猜測(cè)。

　　希捷公司則公布了一款3.5英寸60 TB SSD產(chǎn)品，其可能塞進(jìn)了1250塊384 Gbit美光32層TLC芯片。

　　東芝公司則在探討利用QLC（即四層單元）閃存打造100 TB SSD的可能性。

　　1TB BGA

　　三星公司還擁有一款1TB BGA（即球柵陣列），其容量達(dá)到東芝采用48層BICS技術(shù)的TLC NAND 512 GB BG1 BGA封裝方案的兩倍。

　　三星的BGA產(chǎn)品采用TLC閃存、LPDDR4移動(dòng)DRAM與一款三星控制器。其連續(xù)讀取/寫(xiě)入性能分別為每秒1.5 GB與每秒900 MB。其容量?jī)H為1克，而且應(yīng)該會(huì)采用FO-PLP（即無(wú)風(fēng)扇板極封裝）并于明年年內(nèi)推出。其尺寸據(jù)信為11.5毫米x 13毫米。

　　Z-SSD

　　三星方面將于今年年內(nèi)推出一款1 TB Z-NAND SSD產(chǎn)品，其采用的3D V-NAND芯片擁有“獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)”，同時(shí)搭配經(jīng)過(guò)調(diào)整的控制器，能夠提供遠(yuǎn)超其它V-NAND SSD的速度表現(xiàn)。其延遲水平僅相當(dāng)于其它V-NAND SSD的四分之一--三星公司將其稱為“極低”--連續(xù)讀取性能則為三星PM963 NVMe SSD的1.6倍。

　　下面來(lái)看三星公司對(duì)于Z-SSD技術(shù)的描述：

　　三星的Z-SSD采用V-NAND基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)并配合一套獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)及控制器，能夠最大程度提升性能水平，其延遲與連續(xù)讀取性能水平分別達(dá)到三星PM863 NVMe SSD的四分之一與1.6倍。

　　與V-NAND共享基本結(jié)構(gòu)證明其同樣屬于NAND并采用分層設(shè)計(jì)，但以上內(nèi)容由韓語(yǔ)直接翻譯而來(lái)，所以準(zhǔn)確性仍然有待商榷。

　　PM963的最高連續(xù)讀取傳輸帶寬為每秒1.6 GB，而新一代Z-SSD的同項(xiàng)參數(shù)則可提升至每秒2.56 GB。

　　不過(guò)要弄清其延遲水平則相對(duì)困難，因?yàn)槿欠矫鎵焊鶝](méi)有公布過(guò)PM963的延遲。美光9100 NVMe SSD的寫(xiě)入延遲為30納秒，同等比較之下這可能意味著Z-SSD的延遲為7.5納秒--與英特爾的Optane XPoint 7納秒延遲基本相當(dāng)。

　　三星的Z-SSD方案：對(duì)于1 TB存儲(chǔ)容量來(lái)說(shuō)，這樣的體積似乎確實(shí)有點(diǎn)太大了，再加上相當(dāng)夸張的散熱片設(shè)計(jì)。

　　三星公司將其性能水平定位在SSD與DRAM之間，這明顯代表著其將成為Xpoint的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。三星方面計(jì)劃利用其處理各類高密度實(shí)時(shí)分析處理場(chǎng)景下，同時(shí)亦適合作為各類工作負(fù)載的高性能處理方案。

　　其中“獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)”可能代表著其采用SLC芯片（即單層單元），這意味著其在基礎(chǔ)層面擁有遠(yuǎn)超MLC（即二層單元）或者TLC（三層單元）產(chǎn)品的讀取與寫(xiě)入速度。不過(guò)利用SLC閃存實(shí)現(xiàn)XPoint級(jí)別的速度表現(xiàn)仍然可能性很低--事實(shí)上，根本不可能。

　　Z-SSD將于2017年年內(nèi)發(fā)布2 TB與4 TB兩種容量版本。