在2012年的國際超紫外光 （EUV ） 微影技術(shù)研討會上，專家們一致認(rèn)為，過去幾十年來一直扮演半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎的摩爾定律（Moore“s Law ），正由于下一代超紫外光（EUV）微影技術(shù)的延遲而失去動力。

　　為了因應(yīng)14nm以下制程，EUV系統(tǒng)需要比今天更強大20倍的光源，專家們表示，他們希望到2014年能有200W的EUV光源，但要達(dá)到這個目標(biāo)可能會需要更長時間。

　　過去一年來，比利時魯汶的IMEC研究人員已經(jīng)透過采用較低功率的光源，制造了約3，000片使用EUV技術(shù)的晶圓。然而，對這部價值數(shù)百萬美元的系統(tǒng)來說，若與英特爾（Intel）、三星（Samsung）、臺積電（TSMC）等業(yè)界廠商相比，其制造商用化晶圓的速度仍然慢上了15 ~30倍。

　　過去三年內(nèi)，研究人員已經(jīng)將光源功率提高了20倍。但為了達(dá)到量產(chǎn)要求，他們必須在未來兩年內(nèi)再作出類似的改善──這是IMEC先進微影技術(shù)方案總監(jiān)Kurt Ronse在日前于布魯塞爾舉辦的EUV高峰會中所做出的結(jié)論。該組織還表示，在2016年希望能開發(fā)出500~1，000W的EUV光源。

　　“EUV的延遲阻礙了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前進腳步，”Ronse說?！氨M管他們?nèi)詫⒅Q為14nm，但它可能更像是16或17nm，”他表示。

　　微縮腳步趨緩

　　在14nm世代，若沒有EUV，SRAM單元便無法直接微縮50%，Ronse說。這是因為多重圖案在究竟能實現(xiàn)多少功能方面仍然有其局限性。

　　“若EUV能順利到位，他們就可以迎頭趕上，”Ronse說。業(yè)界已經(jīng)投入很多資源發(fā)展光源了，所以，未來必然會出現(xiàn)解決方案，但很難肯定是否會在兩年內(nèi)出現(xiàn)，”他說。

　　英特爾與臺積電都入股ASML共同發(fā)展EUV系統(tǒng)，金額達(dá)數(shù)十億美元。

　　英特爾近期也表示，預(yù)計明年可進入14nm，2015年還可望使用現(xiàn)有的浸入式微影技術(shù)朝10nm前進。如果沒有EUV，英特爾認(rèn)為可能必須在一個晶片上寫入多達(dá)五層的浸入式圖案，而雖然這會花費更多時間和金錢，但對該公司說仍然劃算。

　　IMEC現(xiàn)已運用ASML NXE 3100 EUV系統(tǒng)獲得60%以上的生產(chǎn)時間。由于使用舊的光源，因此“在一開始的六個月以內(nèi)，我們經(jīng)歷了相當(dāng)長一段平均時間降到50%~10%之間的振蕩期，”他表示。

　　根據(jù)試驗結(jié)果，IMEC已使用EUV獲得了16nm半間距的解析度?！癊UV可能不會被用在晶片的所有層，但會用在一些關(guān)鍵層以及和浸入式技術(shù)對齊的部份，”Ronse說。

　　對齊是一個問題。IMEC目前已能在晶片上達(dá)到6nm以內(nèi)的EUV和浸入式層對齊準(zhǔn)度。但目標(biāo)是對齊準(zhǔn)度必須在2至3nm以內(nèi)，“他說。