功率晶體管（GTR）
2009-12-10 14:22:43
9447 在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內(nèi)，性能強大的IDEV系列能夠提供高達2.2kW的連續(xù)波（CW）輸出功率，而且只采用一個陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機等大功率應用所需的射頻功率晶體管的總數(shù)量。
2021-08-13 11:24:033606 
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
有興趣的朋友可以看看啊恩智浦KW41Z有獎創(chuàng)意征集令高能來襲http://www.eeworld.com.cn/huodong/201611_NXPKW41ZActivity1/index.html
2017-01-15 21:02:05
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
電子，雷達和微波應用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
鎵技術的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
極800W輸出功率匹配50歐姆100％設備RF屏蔽C級操作單電源IB1011M800功率晶體管IB1011S1000功率晶體管IB1011S1500功率晶體管IB1011S190功率晶體管
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
和Si-VDMOS射頻和微波功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對特定雷達應用進行了優(yōu)化，其中需要對尺寸，重量，頻率和功率性能變量進行管理。 這些固態(tài)預匹配晶體管適用于高達
2019-04-15 15:12:37
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
IGN450M160功率晶體管IGN0450L1250功率晶體管IGN0450M1500功率晶體管IGN0912CW10功率晶體管IGN0912CW150功率晶體管IGN0912CW300功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡、雷達、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32
商業(yè)和軍事應用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機成為可能。產(chǎn)品型號：MRF151G產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號輸出級。產(chǎn)品型號：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。?產(chǎn)品型號：NPA1003QA產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPA1003QA產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT D模放大器適合線性和飽和應用20至1500兆赫的寬帶
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
`產(chǎn)品型號：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優(yōu)化散熱增強的行業(yè)標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
T2G6003028-FS射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹T2G6003028-FS報價T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?！芳夹g根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在學習單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關于數(shù)字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數(shù)字晶體管的情況）關于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
轉(zhuǎn)換器在穩(wěn)態(tài)周期內(nèi)的工作和損耗擊穿3KW LLC 諧振轉(zhuǎn)換器根據(jù)上述損耗分析，可以對不同的初級晶體管和不同的開關頻率進行比較，以評估效率和功率密度的性能。設計了一個輸出為48V的3KW半橋LLC諧振
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
描述1500W東芝最終晶體管PCB在這篇文章中，我設計了 1500W 電路最終晶體管板。它可以產(chǎn)生清晰的4OHM LOAD和2OHM LOAD輸出。PCB
2022-07-22 06:00:48
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423328 
大功率晶體管驅(qū)動電路的設計及其應用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動電路的設計，分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:404644 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06415 
晶體管開關的作用
（一）控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:521462 晶體管的開關作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優(yōu)點，主要是；
2009-11-06 16:58:423970 恩智浦確立LED驅(qū)動器的新標桿
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今天宣布其市電LED驅(qū)動器解決方案產(chǎn)品系列取得三項重大進展：SSL2101 LED驅(qū)動器IC成功完成加速壽命測試，
2009-11-10 08:52:09366 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381185 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:224769 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261974 射頻與微波晶體管振蕩器設計
2013-09-12 16:04:25326 智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代產(chǎn)品，首發(fā)的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點 LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術上達到了新的里程碑，在
2016-11-25 16:16:471320 
全球最大的射頻功率晶體管供應商恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652 功率晶體管快速關斷研究
2017-09-12 11:13:567 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 應用的KW級固體放大器提供方便。而在十年前，半導體業(yè)只能供應峰值功率100W的射頻晶體管，為了獲得1000W的峰值功率，末級放大器的驅(qū)動級需要采用功率分配器，由10個功率晶體管構(gòu)成5組獨立的推挽電路，再經(jīng)功率合成器合成額定的輸出功率。
2017-11-25 15:30:223774 
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 安譜隆半導體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波（CW），比目前市場上同類產(chǎn)品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:002066 醫(yī)療領域的許多全新技術開發(fā)都需要使用可控射頻功率來提供多種高級治療。微波消融（破壞腫瘤）、電外科（切除、凝結(jié)、脫水和電灼組織）、透熱法（治療類風濕關節(jié)炎）和熱瑪吉（緊致皮膚）等手術中使用了不同頻率下不同大小的射頻功率。本次會議將介紹恩智浦針對這些應用開發(fā)的創(chuàng)新射頻功率解決方案。
2018-06-29 08:30:003025 醫(yī)療領域的許多全新技術開發(fā)都需要使用可控射頻功率來提供多種高級治療。微波消融（破壞腫瘤）、電外科（切除、凝結(jié)、脫水和電灼組織）、透熱法（治療類風濕關節(jié)炎）和熱瑪吉（緊致皮膚）等手術中使用了不同頻率下不同大小的射頻功率。本次會議將介紹恩智浦針對這些應用開發(fā)的創(chuàng)新射頻功率解決方案。
2018-06-28 17:00:003770 固態(tài)技術為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來了增強的控制功能和可靠性，人們對此早有認識，但射頻功率晶體管缺少開發(fā)工具來幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢。全球最大的射頻功率晶體管供應商恩智浦半導體（NASDAQ
2018-06-30 09:18:004559 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是SPTECH硅NPN功率晶體管2KW8629的數(shù)據(jù)手冊免費下載。
2020-01-03 08:00:001 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 據(jù)報道，恩智浦斥資1億美元，用于擴建5G手機網(wǎng)絡晶體管和RF功率放大器的生產(chǎn)線在美國亞利桑那州錢德勒工廠（Chandlerfactory）日前正式投入運營。
2020-10-11 10:02:012370 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1500規(guī)格書
2021-12-17 11:16:2910 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1500W東芝最終晶體管PCB.zip》資料免費下載
2022-07-21 11:39:534 功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。
2023-02-14 11:59:271357 功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時，應該根據(jù)實際應用來選擇合適的參數(shù)。
2023-02-17 14:29:373679 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術（功率電子技術）領域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:242247 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設計和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:594138 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優(yōu)點，廣泛應用于各種電子設備和系統(tǒng)中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管的開關特性
2024-06-28 09:13:591660
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