根據(jù)SEMI全球晶圓廠預測報告的最新情況，19個新的晶圓廠和生產(chǎn)線預計于2016年和2017年開始建設。雖然半導體晶圓廠設備支出2016年起步緩 慢，但預計到今年年底將獲得新的動力。相比2015年，2016年預計將有1.5％的增長，2017年預計將有13％的增長。

　　晶圓廠設備支出─-包括新設備，二手設備以及專屬（In-house）設備--在2015年下降了2％。然而，3D NAND，10nm Logic和Foundry segments將推動設備支出在2016年達到360億美金，比2015年增長1.5％，并于2017年達到407億美金，增長13％。向前沿技術轉換 的現(xiàn)有晶圓廠以及在年前開始建設的新的晶圓廠都會有設備采購。

　　下圖顯示了2016年和2017年哪些地區(qū)預計將建設新的晶圓廠和生產(chǎn)線， 根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，這些項目有60％或更高的概率。有些項目已經(jīng)展開，也有一些項目可能會延遲或推到下一年。2016年5月31日公布的SEMI的全球 晶圓廠預測報告（The SEMI World Fab Forecast report），提供了有關該熱潮的更多細節(jié)。

　　按照晶圓尺寸，12個新的晶圓廠和生產(chǎn)線是300mm （12-inch），4個是200mm，3個LED晶圓廠（150mm 100mm和50mm）。不包括LED，所有這些晶圓廠和生產(chǎn)線開工建設后2016年潛在產(chǎn)能估計最高可達每月21萬片（300mm等同），2017年每 月33萬片（300mm等同）。

　　除了宣布19個新的晶圓廠和生產(chǎn)線的建設計劃，SEMI全球晶圓廠預測提供了關于現(xiàn)有的晶圓廠和生產(chǎn)線相關的建設開支，例如：當潔凈室向更大的晶片尺寸或不同的產(chǎn)品類型轉換。

　　此外，過渡到前沿技術（平面和3D技術）使現(xiàn)有工廠的產(chǎn)能減少。為了彌補這種減少，更多舊的晶圓廠開始轉換，同時也有更多新的晶圓廠和生產(chǎn)線可能會開始施工。

　　外資晶圓廠在華設廠很容易理解，中國地方政府紛紛引進外資合資建廠則匪夷所思。

　　過往經(jīng)驗也證明了這一點，三星在西安設廠，Intel在大連，臺積電在南京都是獨資工廠，其中三星在西安很成功，Intel在大連不如人意，不過沒關系，Intel可以升級做Flash，轉型就好，至于臺積電人家資金多得多，即使南京想投資也不會要。

　　不過另一股風潮卻令人擔心。

　　聯(lián)電在廈門設廠，廈門參與了投資，GF在重慶設廠也獲得了當?shù)卣馁Y金注入，此外還有力晶合肥廠。

　　計劃中的還包括聯(lián)電泉州DRAM工廠，合肥力晶DRAM工廠都是當?shù)卣顿Y。

　　說地方政府不適合投資晶圓廠道理很簡單，晶圓廠投資規(guī)模大、周期長，想盈利很難，目前全球晶圓代工三星、臺積電兩強爭霸，無論GF、聯(lián)電還是其它處境都不妙，一個本身盈利難以保證的晶圓代工廠如何能保證未來在大陸的投資會盈利？

　　武漢新芯轉型前已經(jīng)掙扎多年，成都SMIC合營廠在賣給德州儀器之后立刻得以盤活，都是教訓。

　　大陸發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，地方政府愿意出資本身是好事，不過把海量資金投入到很難盈利的晶圓代工領域卻非常不靠譜，二三線廠商風險更大，稍微運作不當就會跌入財務黑洞無法自拔，何況一旦地方政府領導換屆，投資重點隨時可能發(fā)生轉移。

　　晶圓代工不是太陽能，有很高的技術門檻，三星、臺積電不愿意合資，是不希望發(fā)生技術泄露，二三線廠商愿意合資是希望大陸分擔投資風險，地方政府又何必趟這渾水？

　　大陸想發(fā)展晶圓代工或建設晶圓廠，還是要自力更生，北京扶植中芯國際戰(zhàn)略沒錯，中央政府和武漢市政府共同建設新芯也沒錯，只有有了中央政府的資金注入，地方政府投入晶圓廠才有底氣，當然即使有了中央政府的投資，最好還是市場化運作，否則風險依舊很高。

　　發(fā)展晶圓代工或投資存儲器需要全國一盤棋，需要市場化運作，更需要具體操盤人的大智慧，case by case的投資只會給地方政府帶來災難，也不可能帶動當?shù)丶呻娐返拇蟀l(fā)展，地方政府要發(fā)展晶圓代工或存儲器，最好納入中央政府的布局，否則只會給后人帶 來無窮無盡的財政負擔。