工程學(xué)會(huì)重慶市造船工程學(xué)會(huì)重慶兩江半導(dǎo)體研究院重慶集成電路技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟重慶市機(jī)器人與智能裝備產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會(huì)協(xié)辦單位: 陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) 浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)天津市集成
2019-12-10 18:20:16
芯片業(yè)務(wù)注入上市公司。三安光電子公司湖南三安致力于第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發(fā)。南大光電在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司三甲基鎵產(chǎn)品可以作為生產(chǎn)氧化鎵的原材料。
2023-03-15 11:09:59
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
2021-06-08 07:09:36
(個(gè)別的第三位)能存活下來。對(duì)于全球設(shè)備制造商最關(guān)鍵的問題是兼并市場(chǎng)的回報(bào)率太低。產(chǎn)業(yè)的發(fā)展實(shí)際上不存在帶強(qiáng)制性理由,以及不會(huì)無故的把錢送至您手中。預(yù)計(jì)在未來半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)中可能有兩個(gè)領(lǐng)域會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)勁
2010-02-26 14:52:33
半導(dǎo)體器件等前所未有的應(yīng)用推動(dòng)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，新的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)、新的材料性能、新的設(shè)計(jì)和測(cè)試方法、新的生產(chǎn)工藝和新的半導(dǎo)體芯片技術(shù)繼續(xù)對(duì)測(cè)試設(shè)備和技術(shù)提出挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體材料的突破帶來了一場(chǎng)技術(shù)革命，引領(lǐng)了
2020-12-08 10:18:29
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
。電路集成度越高，挑戰(zhàn)半導(dǎo)體制造工藝的能力，在可接受的成本條件下改善工藝技術(shù)，以生產(chǎn)高級(jí)程度的大規(guī)模集成電路芯片。為達(dá)到此目標(biāo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已變成高度標(biāo)準(zhǔn)化的，大多數(shù)制造商使用相似的制造工藝和設(shè)備。開發(fā)
2020-09-02 18:02:47
基礎(chǔ)設(shè)施，推動(dòng)5G大規(guī)模的商用部署。這也是8月份國務(wù)院印發(fā)《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》后，對(duì)軟件產(chǎn)業(yè)的又一重要扶持。值得注意的是，就在工信部部長發(fā)言的前一天，媒體報(bào)道第三代半導(dǎo)體
2020-09-24 15:17:16
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠?jī)r(jià)帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。不同類型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時(shí)，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴(kuò)散，在
2013-01-28 14:58:38
的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)域，長三角、環(huán)渤海地區(qū)，以及新興的東北工業(yè)區(qū)都形成了較為完整的激光產(chǎn)業(yè)帶。產(chǎn)業(yè)升級(jí)激光加工設(shè)備需求更大隨著制造業(yè)向高端化、智能化的轉(zhuǎn)型升級(jí)，激光設(shè)備加工應(yīng)用市場(chǎng)隨之不斷擴(kuò)增。摩爾定律創(chuàng)始人
2019-05-13 05:50:35
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
模塊化，按最初的定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
中國大力發(fā)展高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的宏觀指導(dǎo)下，集成電路產(chǎn)業(yè)作為高技術(shù)的代表成為各省市的重點(diǎn)規(guī)劃發(fā)展方向。 從各地近年的IC產(chǎn)業(yè)布局來看，近幾年中西部地區(qū)投資環(huán)境不斷改善，以及東部沿海地區(qū)半導(dǎo)體制造成本不斷上升
2010-04-01 13:49:07
電子制造業(yè)的核心器件之一，還獨(dú)立成為電子電力學(xué)科。作為制造業(yè)大國，功率半導(dǎo)體器件在中國大陸的工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體器件分類從發(fā)展歷程看，功率半導(dǎo)體器件先后
2019-02-26 17:04:37
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)生產(chǎn)過剩、效益下滑，而IC設(shè)計(jì)業(yè)卻獲得持續(xù)的增長。特別是96、97、98年持續(xù)三年的DRAM的跌價(jià)、MPU的下滑，世界半導(dǎo)體工業(yè)的增長速度已遠(yuǎn)達(dá)不到從前17％的增長值，若再依靠高投入提升
2020-02-12 16:11:25
的“國有超大規(guī)模集成電路實(shí)驗(yàn)室”和垂直一體化經(jīng)營模式相對(duì)抗。隨著PC制造產(chǎn)業(yè)鏈在***崛起，大口徑晶圓和大規(guī)模集成電路的微細(xì)工藝，使得巨額設(shè)備投資的折舊成為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的最大成本。剝離半導(dǎo)體制造業(yè)，注重
2018-08-30 16:02:33
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
，對(duì)制造周期的快速反應(yīng)能力等等，都對(duì)半導(dǎo)體和集成電路行業(yè)的生產(chǎn)規(guī)劃增加了難度。對(duì)任何IC廠商，提高生產(chǎn)效率有三種方法：建立一個(gè)更有效的工廠，更新已有工廠或改變工廠的操作。包括英特爾，摩托羅拉在內(nèi)的多家
2009-08-20 18:35:32
請(qǐng)教，關(guān)于MIP705半導(dǎo)體集成電路的應(yīng)用，請(qǐng)有識(shí)之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
醫(yī)療將帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展 英特爾的首席執(zhí)行官貝瑞特表示，通過發(fā)現(xiàn)癌癥和微芯片
2008-08-20 11:31:38
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
新冠疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的影響到底如何？有什么后果？如何去應(yīng)對(duì)？
2021-06-18 07:23:15
：2019全球電子生產(chǎn)設(shè)備博覽會(huì)（重慶）2019全球觸摸屏與顯示產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（重慶）同期活動(dòng)論壇： 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)新論壇半導(dǎo)體與互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇半導(dǎo)體與智慧汽車技術(shù)發(fā)展論壇半導(dǎo)體與光通訊技術(shù)發(fā)展論壇
2018-11-20 09:23:55
、汽車電子產(chǎn)品等等是未來發(fā)展熱點(diǎn)。應(yīng)聘指南針——半導(dǎo)體行業(yè)人才需求分析按照目前國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)的格局，IC企業(yè)主要分為設(shè)計(jì)和加工兩類企業(yè)，設(shè)計(jì)公司負(fù)責(zé)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，而加工企業(yè)則包括芯片生產(chǎn)、封裝、測(cè)試三
2008-09-23 15:43:09
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導(dǎo)電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院?jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體三、什么是集成電路集成電路（integrated
2020-02-18 13:23:44
）從febless發(fā)展成為集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體化的國家級(jí)高新科技企業(yè),“SLKOR”品牌在半導(dǎo)體行業(yè)聲譽(yù)日隆，產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵點(diǎn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化，薩科微乘電子元器件“國產(chǎn)替代”的東風(fēng)，，立志成為
2022-05-31 14:00:20
“在全省新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換重點(diǎn)工程十強(qiáng)產(chǎn)業(yè)和濟(jì)南市十大千億級(jí)產(chǎn)業(yè)中,新材料產(chǎn)業(yè)是其中的重點(diǎn),而寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又是新材料產(chǎn)業(yè)中的核心產(chǎn)業(yè)之一,它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,據(jù)國內(nèi)外權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),到2025年,全球
2018-07-23 15:40:00
963 近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，填補(bǔ)我國高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012150 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引發(fā)全球矚目，攪動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-07-27 15:02:126757 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009041 半導(dǎo)體是集成電路的基礎(chǔ)，目前集成電路已經(jīng)占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的80%，近幾年隨著集成電路的蓬勃發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更加凸顯了半導(dǎo)體在工業(yè)生產(chǎn)上的重要作用。為更好了解半導(dǎo)體領(lǐng)域及其專利發(fā)展
2018-08-29 17:03:296705 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機(jī)車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 近日，2018中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開。會(huì)上，國家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253990 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引人矚目，攪動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-12-18 10:06:534663 先行區(qū)的橋頭堡。小鎮(zhèn)總占地面積約4900畝，將分“科技創(chuàng)新孵化區(qū)”、“產(chǎn)業(yè)先進(jìn)智造區(qū)”和“半導(dǎo)體生態(tài)科技城”三大功能區(qū)，打造寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)先高地。
2019-05-17 17:18:524422 半導(dǎo)體器件制造平臺(tái)。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。
2020-07-06 08:54:551214 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351905 第三代半導(dǎo)體指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一階段是以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體材料;
2020-11-06 17:20:404691 
因眾所周知的原因，近兩年國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，還特意推出產(chǎn)業(yè)基金扶持產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)企業(yè)，作為基金持倉中市值最高的企業(yè)，三安光電（600703）全面布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)有望持續(xù)受益于國產(chǎn)替代，成為全球領(lǐng)先
2020-11-19 17:28:244096 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 三安光電獲補(bǔ)助款1.84億元三安光電公告稱，公司全資子公司泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“三安半導(dǎo)體”）收到泉州半導(dǎo)體高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)南安分園區(qū)管理委員會(huì)《關(guān)于撥付泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
2020-12-24 16:55:293236 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:46
29 2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。 公告顯示，根據(jù)三安光電與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽訂的《項(xiàng)目
2021-02-02 15:30:292634 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場(chǎng)，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、北京郵電大學(xué)、三安光電有限公司等知名企業(yè)及高?？蒲性核餐窒?b class="flag-6" style="color: red">寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最新進(jìn)展。
2021-12-23 14:06:342830 
對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534542 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391948 隨著硅基電子器件逐漸接近其理論極限值，近年來對(duì)寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究成為國際競(jìng)爭(zhēng)的新熱點(diǎn)。氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">禁帶寬度都在3個(gè)電子伏以上，在室溫下不可能將價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶。
2022-12-01 16:15:101257 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 ）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
！（詳情請(qǐng)戳：報(bào)名|工業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體開發(fā)者論壇）快掃描下方二維碼報(bào)名活動(dòng)，并獲取詳細(xì)論壇議程吧?。ㄕ搲癁橛⑽难葜v）新品通用分立功率半導(dǎo)體測(cè)試評(píng)估平臺(tái)型號(hào)為EVAL_
2022-04-01 10:32:161356 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:541658 
寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測(cè)功能，推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
的性能已經(jīng)逐漸達(dá)到了極限。而氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，使得其成為電力電子器件的理想材料。尤其是在充電器領(lǐng)域，氮化鎵的應(yīng)用更是具有顯著的優(yōu)勢(shì)。
2023-10-11 16:30:48874 代半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021785 
11月13日， 三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:331268 據(jù)了解，三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。
2024-01-12 10:36:491269 近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會(huì)，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進(jìn)會(huì)在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會(huì)和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時(shí)刻。
2024-04-03 09:23:101093 會(huì)上，臨港新片區(qū)管委會(huì)聯(lián)動(dòng)萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561150 功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 半導(dǎo)體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。英飛凌提供廣泛的寬禁帶產(chǎn)品系列和組合，包括硅材料、碳化硅和
2024-06-18 08:14:18788 
半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施
2024-06-28 09:30:591876 在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341391 下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261672 功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中，半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202 ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">電力電子系統(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785 
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸成為
2025-02-15 11:15:301613 
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇學(xué)習(xí)總結(jié)》系列-文字原創(chuàng)，素材來源：Infineon-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語
2025-07-24 06:20:481455 
9月12日，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”）與賽晶亞太半導(dǎo)體科技(浙江)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“賽晶半導(dǎo)體”）在湖南三安成功舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式。雙方基于在新型功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)中
2025-09-12 15:45:31723 隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場(chǎng)深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 安世半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽(yù)。安世半導(dǎo)體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴(kuò)展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導(dǎo)體、IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930
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