（文章來源：百家號）
? ? ? ? 憶阻器是一類新的電路 - 它們可以結(jié)束硅時代并永遠改變電子器件。自2008年惠普首次開發(fā)出帶有二氧化鈦薄膜的工作原型以來，工程師們一直在尋求完善該模型，現(xiàn)在，密歇根理工大學的研究人員已經(jīng)制造出一種基于二硫化鉬納米片的理想憶阻器。

查爾斯和Carroll McArthur材料科學與工程教授Yun Hang Hu領導了這項研究，該研究于今年1月在Nano Letters上發(fā)表，基于硅的晶體管是計算機芯片的主要組成部分，它使用電子流動。如果晶體管中的電子流被中斷，則所有信息都會丟失。然而，憶阻器是具有記憶功能的電子設備; 它們的阻力取決于內(nèi)部狀態(tài)變量的動態(tài)演變。換句話說，憶阻器可以記住流過材料的電荷量，即使在電源關(guān)閉時也能保留數(shù)據(jù)。

憶阻器可用于制造超高速存儲芯片，以更少的能耗消耗更多數(shù)據(jù)”胡說。

此外，晶體管受二進制代碼限制 - 所有的零和零運行互聯(lián)網(wǎng)，Candy Crush游戲，F(xiàn)itbits和家用電腦。相比之下，憶阻器以類似于人類大腦的方式運行，使用多個級別，實際上每個數(shù)字在0和1之間。憶阻器將導致計算機革命，并提供創(chuàng)造人類人工智能的機會。

與具有固定電阻的電阻器不同，憶阻器具有與電壓相關(guān)的電阻?！焙忉屨f，并補充說材料的電性能是關(guān)鍵?！皯涀杵鞑牧媳仨毦哂锌呻S電壓可逆地變化的電阻，他的研究表明，二硫化鉬納米片對于憶阻器很有前景。該材料的成功歸結(jié)為工程原子結(jié)構(gòu)，理想的憶阻器是對稱的。在兩個象限中，電流和電壓之間的關(guān)系是均勻的，舍入的并且相等。實際上，憶阻器通常表現(xiàn)出不平衡的電流 - 電壓特性。然而，胡的二硫化鉬憶阻器確實顯示出理想的對稱性。這將使材料更加可預測和一致，因為它是為電子產(chǎn)品開發(fā)的。

為了實現(xiàn)這種對稱性，胡和他的研究團隊開始使用塊狀二硫化鉬，也稱為礦物輝鉬礦，用作工業(yè)潤滑劑。然后他們操縱原子，結(jié)構(gòu)排列，稱為不同的晶相。具有2H相的塊狀材料很好地作為常規(guī)電阻器，并且為了使其成為憶阻器，該團隊剝離了分子層。該剝離過程產(chǎn)生具有1T相的二硫化鉬納米片。具有1相的納米片表現(xiàn)出相對于憶阻器所需的電壓的電阻的可逆變化。研究人員最終將納米片分散在銀箔的兩面，形成對稱的憶阻器。

這種材料正處于這個應用的最初階段，”胡說，并補充說新材料和更好的憶阻器可以從根本上改變計算機的構(gòu)建方式。它將從更小更快的計算機芯片開始，但隨后他在辦公室里做手勢?！斑@些憶阻器材料將非常通用，有一天，這塊白板和那個咖啡杯可能是電腦，擁有對稱的憶阻器材料使我們更接近那一天。