磁記錄是利用磁的性質(zhì)進(jìn)行信息的記錄的方式。在存儲(chǔ)和使用的時(shí)候通過特殊的方法進(jìn)行信息的輸入和讀出，從而達(dá)到存儲(chǔ)信息和讀出信息的目的。
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當(dāng)今世界正處于數(shù)據(jù)大爆炸的時(shí)期。據(jù)IDC預(yù)測(cè)，截至2025年，全球數(shù)據(jù)增量將從2020年的64ZB增加到近180ZB（1ZB等于1萬億GB）。越來越多的大公司正在將大數(shù)據(jù)提煉為洞察信息，并利用這些信息做出了更好的決策，從而在全球范圍內(nèi)取得市場(chǎng)成功的同時(shí)獲取更多的利潤(rùn)。因此，機(jī)械硬盤必須通過不斷提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的能力來滿足全球增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)。
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在這180ZB的數(shù)據(jù)增量中，其實(shí)只有很小一部分需要長(zhǎng)周期存儲(chǔ)。大部分?jǐn)?shù)據(jù)都是基于既定目的，用后即棄。有些數(shù)據(jù)則會(huì)短期保留至毫無用處之后，被新數(shù)據(jù)覆蓋。當(dāng)然，還有相當(dāng)一部分特定類型的數(shù)據(jù)是需要保留數(shù)年或數(shù)十年之久的。
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這些多樣化的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求會(huì)給云服務(wù)提供商、企業(yè)和消費(fèi)者的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶來極大的困難。為應(yīng)對(duì)這種情況，機(jī)械硬盤（以下文中簡(jiǎn)稱硬盤）必須提高存儲(chǔ)效率和容量。這是整個(gè)硬盤發(fā)展歷史上最振奮人心的時(shí)刻，引入了多種存儲(chǔ)技術(shù)和磁記錄格式，持續(xù)解決了業(yè)界所面臨的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。
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01 提升硬盤容量
存儲(chǔ)單位磁密度（ADC）
存儲(chǔ)單位磁密度（以下文中簡(jiǎn)稱磁密度）是指磁盤表面每平方英寸可存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量，通常以Gb/in2或Gbits/in2表示。它是驅(qū)動(dòng)硬盤容量增長(zhǎng)的核心因素。
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有很多種方法可以提高硬盤的容量，如采用更大物理尺寸的驅(qū)動(dòng)器可使用更多或更大的磁碟（例如2.5”盤vs3.5”盤，或增加垂直高度如7mmvs15mm的2.5”硬盤），在不增加磁密度的情況下提高硬盤的容量。增加硬盤內(nèi)碟片的周長(zhǎng)也可以獲得更多的物理面積來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)（例如將3.5”硬盤碟片的直徑從95mm增加到97mm）。雖然可以通過增加碟片數(shù)量提高硬盤的容量，但這是有物理空間限制的。隨著時(shí)間推移，增加磁密度已成為提高硬盤容量的最重要的驅(qū)動(dòng)因素。
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圖1中顯示了用于確定和衡量磁密度的兩種關(guān)鍵參數(shù)：每英寸磁道數(shù)（TPI）和每英寸位磁比特（BPI）。如圖所示，磁碟的存儲(chǔ)介質(zhì)上由很多同心圓磁道組成，每根磁道的磁軌都有固定的寬度，相鄰磁道的中心間距叫磁道間距。若以更緊密的方式排列磁道，減小磁道間距，可以增加TPI，從而提高磁密度。
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同樣，磁比特是分布在磁道上的最小磁紋理，磁比特紋理的寬度為磁道的寬度，長(zhǎng)度為讀磁頭能夠成功識(shí)別單一數(shù)值所需的最小距離。磁比特紋理沿磁道圓周依次排列。縮短磁比特紋理的長(zhǎng)度可以增加BPI，從而提高磁密度。
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TPI和BPI的提升本質(zhì)上是通過改變磁記錄的格式實(shí)現(xiàn)的。具體就是在磁碟介質(zhì)上使用更有效的磁比特排列方式，以及通過調(diào)整磁頭和磁碟介質(zhì)的磁性能等技術(shù)，從而縮小磁比特的實(shí)際物理尺寸。
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02磁記錄格式
物理/邏輯扇區(qū)大小
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對(duì)于早期的硬盤，并沒有標(biāo)準(zhǔn)化的扇區(qū)大小。硬盤只是一個(gè)簡(jiǎn)單的物理設(shè)備，硬盤控制邏輯存在于硬盤之外的主機(jī)中。扇區(qū)的字節(jié)數(shù)取決于硬盤制造商、操作系統(tǒng)或主機(jī)上的應(yīng)用程序，并且由主機(jī)負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)完整性的錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正機(jī)制。上世紀(jì)80年代，西部數(shù)據(jù)成功研發(fā)了電子集成驅(qū)動(dòng)器（IDE）接口，將磁盤控制器從物理上移到了硬盤內(nèi)部。并據(jù)此創(chuàng)建了用于主機(jī)與硬盤交互的標(biāo)準(zhǔn)化命令集。該指令集將邏輯扇區(qū)長(zhǎng)度定義為512字節(jié)（1字節(jié)=8比特）。
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512字節(jié)的扇區(qū)之外還需要一些額外的物理存儲(chǔ)空間，用于存儲(chǔ)額外的信息包括ECC糾錯(cuò)碼（用于校驗(yàn)是否正確的讀取了扇區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)）。隨著磁密度的提高，磁比特物理尺寸越來越小，數(shù)據(jù)讀取難度加大，讀取錯(cuò)誤變得更為常見了。為了識(shí)別和糾正讀取錯(cuò)誤，ECC算法隨著時(shí)間的推移不斷地改進(jìn)，變得越來越強(qiáng)大。
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隨著ECC算法性能和復(fù)雜度的提高，硬盤制造商決定將物理扇區(qū)的大小從512字節(jié)增加到4096字節(jié)（以下簡(jiǎn)稱4KB），從而提高效率。圖2中顯示了采用1個(gè)4KB扇區(qū)是如何小于8個(gè)512字節(jié)扇區(qū)總長(zhǎng)度的，這提高了存儲(chǔ)格式效率--硬盤總?cè)萘颗c用戶數(shù)據(jù)的比率。本質(zhì)上來說，可通過簡(jiǎn)單地增加扇區(qū)中位比特?cái)?shù)量來“免費(fèi)”地提高硬盤的磁密度。4KB物理扇區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)完成于2005年，并且于2011年正式推向市場(chǎng)。
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當(dāng)然，沒有東西是完全免費(fèi)的。為了匹配硬盤的4KB邏輯扇區(qū)這項(xiàng)變革，所有主機(jī)軟件都需要重寫，這是理想情況雖然實(shí)際上不可行。基于4KB物理扇區(qū)的硬盤需要與基于512B扇區(qū)的主機(jī)、操作系統(tǒng)和軟件生態(tài)系統(tǒng)向上兼容。因此4KB物理扇區(qū)的硬盤要具備模擬512B邏輯扇區(qū)的能力。并且主機(jī)軟件需要在寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候做好4KB物理扇區(qū)和邏輯扇區(qū)的邊界對(duì)齊，否則硬盤將被迫進(jìn)行“Read-Modify-Write”操作，這樣會(huì)嚴(yán)重影響磁盤的性能。
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圖3中概述了三種描述邏輯和物理扇區(qū)格式的方式。部分傳統(tǒng)硬盤和低容量硬盤繼續(xù)保持著512B物理扇區(qū)大小。由于物理和邏輯扇區(qū)的大小相同，這類硬盤被稱為512n（n=native）硬盤。隨著大多數(shù)高容量硬盤切換到4KB物理扇區(qū)，由于許多老舊的主機(jī)應(yīng)用程序無法適配4KB邏輯扇區(qū)，因此帶來了很多問題。通過對(duì)存儲(chǔ)生態(tài)進(jìn)行必要的改造，包括讓主機(jī)能夠讀寫512e（e=emulation）硬盤，由于該類硬盤物理扇區(qū)是4KB但可以模擬512B邏輯扇區(qū)，因此主機(jī)能夠在使用512B邏輯扇區(qū)的同時(shí)，將其寫入內(nèi)容與4KB物理扇區(qū)邊界對(duì)齊，從而避免進(jìn)行“Read-Modify-Write”操作。目前，很多新的主機(jī)軟件已經(jīng)能夠通過支持512e使用4KB物理扇區(qū)的硬盤，并且不會(huì)有任何性能損失。另外，確實(shí)已經(jīng)有一些主機(jī)應(yīng)用程序完全切換到了4KB邏輯扇區(qū)。用于這些應(yīng)用程序的硬盤稱為4Kn（n=native）硬盤，其邏輯和物理扇區(qū)大小均為4KB。目前，市面上512n、512e和4Kn三種硬盤是共存的狀態(tài)，型號(hào)和容量略有不同。
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03 磁道布局
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將數(shù)據(jù)寫到磁碟上和從磁碟中讀取數(shù)據(jù)所采用的物理機(jī)制和結(jié)構(gòu)是不同的。簡(jiǎn)單說，讀磁頭比寫磁頭窄，這意味著基于寫磁頭而設(shè)定的磁道寬度某種程度上犧牲了磁密度。
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硬盤傳統(tǒng)的架構(gòu)是基于寫磁頭的寬度，而寫磁頭的寬度是磁道間距的決定因素。圖4顯示了同心環(huán)磁道的寬度為寫磁頭的寬度，不同磁道間還會(huì)設(shè)有保護(hù)帶，以避免相鄰磁道干擾。這種記錄格式之前習(xí)慣上被稱為垂直磁記錄（PMR），但隨著下面將要介紹的疊瓦磁記錄格式的引入，現(xiàn)在通常用傳統(tǒng)磁記錄（CMR）來表示。由于CMR的保護(hù)帶以及讀寫磁頭的天然寬度差異會(huì)造成空間浪費(fèi)，因此它并不是最有效的硬盤磁片空間利用方式。CMR的優(yōu)點(diǎn)是系統(tǒng)可以隨意更改任何獨(dú)立的扇區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)，即所有數(shù)據(jù)都可以被原地改寫，這得益于磁道之間保護(hù)帶的存在。CMR格式下，每個(gè)數(shù)據(jù)塊都有對(duì)應(yīng)的邏輯地址（L.BA），該邏輯地址出廠時(shí)就會(huì)映射到一個(gè)預(yù)設(shè)的物理地址，當(dāng)然也有一些特殊的例外情況。CMR格式已經(jīng)被采用了幾十年了，因此這種格式的硬盤性能可預(yù)期的范圍已經(jīng)為用戶所熟知。并且操作系統(tǒng)、軟件和評(píng)測(cè)工具的性能設(shè)定通常是基于CMR硬盤進(jìn)行開發(fā)的。
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利用讀、寫磁頭的寬度差異，可以最大程度地提升磁密度。具體來說，讓寫磁頭對(duì)應(yīng)的寫磁道部分重疊，并確保非重疊部分的寫磁道略寬于讀磁頭加上保護(hù)帶的寬度，那么新的磁道間距將比CMR緊湊許多。這種結(jié)構(gòu)有些類似于屋頂上瓦片的疊放方式，因此被稱為疊瓦式磁記錄（SMR）。如果要修復(fù)某個(gè)屋頂上疊放的瓦片，那么必須將其上方的瓦片掀起才可以修復(fù)單個(gè)瓦片。SMR硬盤也是類似的概念，無法在不損壞重疊磁道的情況下改寫現(xiàn)有數(shù)據(jù)，如圖5所示。SMR會(huì)將硬盤碟片物理上劃分成了很多小塊分區(qū)（Zone），每個(gè)Zone的大小有數(shù)百兆字節(jié)，如需改寫某個(gè)Zone內(nèi)的某個(gè)扇區(qū)的現(xiàn)有數(shù)據(jù)，則需對(duì)整個(gè)Zone從頭進(jìn)行覆蓋寫入，直至目標(biāo)扇區(qū)位置的數(shù)據(jù)被改寫。
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從性能的角度來看，這樣做是非常不劃算的，所以改寫單個(gè)扇區(qū)數(shù)據(jù)的典型做法將是將數(shù)據(jù)寫入新的物理扇區(qū)，并將舊物理扇區(qū)的位置標(biāo)記為廢棄，同時(shí)將舊物理扇區(qū)之前對(duì)應(yīng)的邏輯扇區(qū)重映射到新物理扇區(qū)的位置。因此，SMR的數(shù)據(jù)的組織方式需要確保數(shù)據(jù)塊的邏輯地址與其物理位置之間沒有任何預(yù)設(shè)的映射關(guān)系，即保持一種動(dòng)態(tài)映射關(guān)系。這與固態(tài)硬盤（SSD）的架構(gòu)非常相似，其在寫入新數(shù)據(jù)之前必須先對(duì)寫入目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行塊擦除操作。SMR和SSD都會(huì)采用多種相同的管理技術(shù)，例如垃圾回收。
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業(yè)界共有兩類SMR硬盤，如圖6所示。第一種是硬盤自身管理的疊瓦盤（DM-SMR），其在主機(jī)上會(huì)被識(shí)別為傳統(tǒng)硬盤設(shè)備，硬盤內(nèi)部的固件用于管理邏輯地址和物理地址映射表以及垃圾回收等后臺(tái)活動(dòng)。DM-SMR硬盤通過被主機(jī)系統(tǒng)認(rèn)為是CMR盤實(shí)現(xiàn)向上兼容。第二種是分區(qū)存儲(chǔ)硬盤，也稱為主機(jī)管理的疊瓦盤（HM-SMR）。HM-SMR硬盤會(huì)被主機(jī)識(shí)別為一種新設(shè)備類型，并且需要一套新的命令集支持才可以訪問。SATA接口的HM-SMR指令集叫ZAC， SAS接口的HM-SMR指令集叫ZBC。其實(shí)分區(qū)存儲(chǔ)概念也已被用于SSD，該類SSD采用的標(biāo)準(zhǔn)叫ZNS（Zoned NameSpace） NVMe?標(biāo)準(zhǔn)。要使用HM-SMR硬盤，主機(jī)系統(tǒng)需要預(yù)先了解SMR盤的磁記錄結(jié)構(gòu)，并支持相應(yīng)的指令集。因此操作系統(tǒng)、文件系統(tǒng)和軟件應(yīng)用程序都要進(jìn)行SMR友好化改造。DM-SMR盤最適合用于PC個(gè)人電腦系統(tǒng)，或某些工作負(fù)責(zé)強(qiáng)度不大并且可以確保磁盤有足夠空閑時(shí)間做后臺(tái)整理操作的場(chǎng)景。由于HM-SMR盤需要對(duì)主機(jī)系統(tǒng)寫盤軟件進(jìn)行大規(guī)模改造，分區(qū)存儲(chǔ)設(shè)備最適用于企業(yè)和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景，因?yàn)檫@些應(yīng)用場(chǎng)景中的軟件堆棧和應(yīng)用程序可以專為分區(qū)存儲(chǔ)的管理而調(diào)整/優(yōu)化。
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隨著硬盤容量的不斷提高，SMR技術(shù)將會(huì)作為提高磁密度的有效方式之一。如需更廣泛的使用HM-SMR疊瓦盤，則要進(jìn)行大量的軟件適配工作，這一點(diǎn)與之前4KB物理扇區(qū)的變革非常相似，目的就是享受SMR盤帶來的更高磁密度紅利的同時(shí)，確保其使用性能不下降。通過針對(duì)這些軟件的適配和優(yōu)化，可以賦能HM-SMR盤為更多應(yīng)用場(chǎng)景提供所需的額外能力，諸如更大容量，更高性能。
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04 磁記錄技術(shù)
磁比特的方向
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在2006年， 硬盤磁記錄技術(shù)取得了一項(xiàng)重大進(jìn)步， 即從縱向磁記錄（LMR）到垂直磁記錄 （PMR）的演變。LMR的磁比特方向是沿著磁道表面平鋪在介質(zhì)上， 情況類似于端對(duì)端水平放置的條形磁鐵，磁比特的南北極沿磁道方向環(huán)形平鋪排列。這種方式會(huì)占用很大的盤片面積， 因此，LMR的磁密度上限只能做到每平方英寸100Gb左右（1 00Gb/in2）。
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PMR的磁比特方向是南北極垂直于碟片表面，類似于像多米諾骨 牌一樣垂直擺放的條形磁鐵的樣子。因?yàn)橹挥写疟忍氐囊粯O露出在磁碟表面， 這會(huì)大大節(jié)省物理空間，顯著提高 了磁密度。因此PMR技術(shù)可明顯增加BPI。
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隨著存儲(chǔ)技術(shù)的飛速發(fā)展， 這項(xiàng)2006年就引入的PMR技術(shù)始終在發(fā)揮著非常基礎(chǔ)的重要作用，本文中討論的所有其他新的磁記錄技術(shù)都?xì)w屬于PMR技術(shù)的分支。諸如CMR、SMR以及能量輔助磁記錄技術(shù)如ePMR、?MAMR和HAMR都是以PMR技術(shù)為基礎(chǔ)發(fā)展而來的，因?yàn)椋?這些新技術(shù)都采用了PMR所固有的垂直方式的結(jié)構(gòu)。
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05 進(jìn)一步提高磁密度的三角困境
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為實(shí)現(xiàn)更高的磁密度，需要平衡多種相互制約的因素，稱之為三角困境：
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·?如需提高磁密度，必須在確保信噪比（SNR）在可接受范圍內(nèi)的同時(shí)，縮小磁比特的物理尺寸。若做到了這些，那么翻轉(zhuǎn)磁性所需的能量也會(huì)減少，因此磁比特更容易被非預(yù)期的能量引起翻轉(zhuǎn)，從而意外改變數(shù)據(jù)。因此，為防止包括熱能在內(nèi)引起的磁性意外翻轉(zhuǎn)，必須采用更高磁阻的介質(zhì)材料。
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·?磁比特的大小取決于寫磁頭的大小，縮小寫磁頭尺寸可以得到較小物理尺寸的磁比特，然而較小的寫磁頭所產(chǎn)生的寫磁場(chǎng)也較弱。如果需要在高磁阻介質(zhì)上寫入數(shù)據(jù)，則必須使寫磁頭可以產(chǎn)生足以克服更高磁阻介質(zhì)的磁場(chǎng)。為提高寫磁頭的磁場(chǎng)強(qiáng)度，需要重新設(shè)計(jì)寫磁頭的幾何結(jié)構(gòu)，增加寫磁頭材料的磁矩，并使寫磁頭寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候的飛行高度更加貼近磁碟表面介質(zhì)。
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使用傳統(tǒng)的磁記錄技術(shù)，該三角困境越來越難以解決。磁頭的飛行高度已經(jīng)接近極限，寫磁頭的幾何形狀難以進(jìn)一步優(yōu)化，并且已經(jīng)使用了已知的具有最高磁矩的材料。更糟糕的是，進(jìn)一步增加磁介質(zhì)的磁阻似乎已經(jīng)不是一個(gè)選項(xiàng)，因?yàn)樵跊]有額外寫入場(chǎng)強(qiáng)加持的情況下，信噪比會(huì)太低。
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06 能量輔助磁記錄技術(shù)
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要應(yīng)對(duì)該三角困境帶來的挑戰(zhàn)，有兩種選擇。第一個(gè)是找到方法來施加額外的能量以改變磁寫頭的行為，使其所產(chǎn)生的磁場(chǎng)變得更強(qiáng)或更恒定。如果使場(chǎng)更強(qiáng)或更恒定，就能夠采用更高磁阻的磁介質(zhì)，并且可以使磁比特更小。西部數(shù)據(jù)公司的能量輔助PMR（ePMR）技術(shù)就使用了這一方法。第二種方法是施加額外的能量在寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候臨時(shí)降低磁介質(zhì)的磁阻，讓使用傳統(tǒng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度更容易寫入磁比特。目前已經(jīng)有兩種公認(rèn)的方法來做到這一點(diǎn)，分別是微波輔助磁記錄（MAMR）和熱輔助磁記錄（HAMR）。兩者都允許使用更高磁阻的介質(zhì)，從而生成更小尺寸的磁比特，增加磁密度。
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07 ePMR
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西部數(shù)據(jù)目前采用的ePMR技術(shù)，如圖8所示，通過在寫入端施加一個(gè)直流偏置電流，該電流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)額外的磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)則會(huì)為寫磁頭引起的磁性翻轉(zhuǎn)產(chǎn)生一個(gè)優(yōu)選路徑。該優(yōu)選路徑提高了寫磁場(chǎng)磁力線在磁介質(zhì)上通過路徑的一致性，因而減少了抖動(dòng)并提高了信噪比。磁場(chǎng)的額外恒定性及可預(yù)測(cè)性允許更純粹地寫入磁比特位且磁軌更緊密地靠在一起，因此增加了磁密度。
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ePMR技術(shù)路線還會(huì)繼續(xù)發(fā)展，未來除了提供更一致性的寫場(chǎng)強(qiáng)，還可以增加寫磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而使用更高磁阻的磁介質(zhì)。
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08 熱輔助磁記錄技術(shù)（HAMR）
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HAMR是通過向磁介質(zhì)本身施加熱能，可以使該區(qū)域的磁介質(zhì)更容易發(fā)生翻轉(zhuǎn)，從而臨時(shí)減小目標(biāo)寫入?yún)^(qū)域的切換磁介質(zhì)磁性的磁場(chǎng)強(qiáng)度（即矯頑磁性）。當(dāng)該能量一旦被移除后，則該區(qū)域磁介質(zhì)會(huì)立刻恢復(fù)高磁阻的矯頑磁性。
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HAMR施加的熱能會(huì)高溫加熱局部磁介質(zhì)，磁阻下降，磁介質(zhì)的受熱區(qū)域更容易被寫入。當(dāng)它冷卻下來的時(shí)候，磁阻恢復(fù)，且磁介質(zhì)恢復(fù)不容易被改寫的特性，因此不宜受到常規(guī)溫度變化的影響。通過僅加熱需要寫入的區(qū)域，可以繼續(xù)使用傳統(tǒng)的寫磁頭，并且仍然有效地寫入比傳統(tǒng)PMR所使用磁介質(zhì)高得多的磁阻介質(zhì)。HAMR通過使用激光和光學(xué)傳感器將磁介質(zhì)的局部區(qū)域加熱到其居里溫度以上從而使其失去磁矩來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，該區(qū)域在被寫入并冷卻后，期望的磁顆粒極性將會(huì)非常穩(wěn)定。
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微波輔助磁記錄（MAMR)會(huì)繼續(xù)在西部數(shù)據(jù)的整體產(chǎn)品戰(zhàn)略中發(fā)揮重要作用。今天西數(shù)最先進(jìn)的硬盤產(chǎn)品中采用的ePMR技術(shù)創(chuàng)新就是來源于多年來在MARM方面的研發(fā)結(jié)果。ePMR等令人期待的技術(shù)創(chuàng)新，以及OptiNAND?等配套技術(shù)，會(huì)成為PMR和HAMR的技術(shù)過渡。
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09 磁記錄技術(shù)的分類
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SMR磁記錄格式技術(shù)和能量輔助磁記錄技術(shù)是各自獨(dú)立發(fā)生的，它們并不相互競(jìng)爭(zhēng)。如圖12所示，磁記錄技術(shù)與磁記錄格式可以結(jié)合使用，ePMR、MAMR和HAMR等技術(shù)通過推高磁密度來推動(dòng)硬盤存儲(chǔ)的未來。對(duì)于能夠良好使用SMR硬盤的應(yīng)用程序和工作負(fù)載，SMR技術(shù)會(huì)進(jìn)一步推高磁密度的增長(zhǎng)。
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未來，尤其是大容量企業(yè)盤，無論使用何種底層磁記錄技術(shù)，CMR和SMR都將共存。每個(gè)應(yīng)用程序都可以根據(jù)需求在容量、性能和成本中找到的平衡點(diǎn)。
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SMR在能量輔助技術(shù)之上的磁密度優(yōu)勢(shì)將在許多使用場(chǎng)景引人注目。
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SMR和EAMR的組合將在未來十年后繼續(xù)推高硬盤容量。在過去的幾年里，硬盤技術(shù)已經(jīng)發(fā)生了巨大變化并將繼續(xù)保持快節(jié)奏的發(fā)展速度。新的發(fā)明和技術(shù)需要確保世界上快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)能夠可靠且經(jīng)濟(jì)地被存儲(chǔ)。
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世界每年都在創(chuàng)造驚人的數(shù)據(jù)量，并對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)提出了需要滿足這些數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求。從這些新的需求中涌現(xiàn)出了大量的磁記錄技術(shù)創(chuàng)新，圖13中做了一個(gè)完整的磁記錄分類樹。隨著SMR越來越受歡迎以及EAMR的不斷創(chuàng)新，硬盤在未來許多年都將能夠確保滿足這些需求。
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