在SoC中，存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中，根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類型和大小。常用的存儲(chǔ)器有SRAM、SDRAM、DDRAM、FLASH和ROM。

1.SRAM

SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的特點(diǎn)是存儲(chǔ)速度非?？?/strong> ，可以達(dá)到和處理器的時(shí)鐘同步。

而且SRAM存儲(chǔ)器的接口簡(jiǎn)單，比較容易設(shè)計(jì) 。 SRAM在系統(tǒng)中常常作為處理器的緩存 。但是一個(gè)通用SRAM的每1位需要6個(gè)晶體管，因此相同存儲(chǔ)空間的RAM的面積較大，在SoC中只能少量使用。

2.SDRAM

SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的價(jià)格低、體積小、容量大，是SoC中比較理想的存儲(chǔ)器件。 與SRAM相比，SDRAM的控制邏輯復(fù)雜，速度較慢 。SDRAM每一個(gè)內(nèi)存單元都是由一個(gè)能短暫存儲(chǔ)電荷的電容器構(gòu)成。

由于動(dòng)態(tài)內(nèi)存單元容易失去電荷，因此會(huì)失去存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)。在SDRAM中，必須包括一個(gè)刷新電路，不斷地刷新其中的電荷，以使其值保持不變。

3.DDRAM

DDRAM（雙倍傳輸速度隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）采用雙倍數(shù)據(jù)技術(shù) ，支持在時(shí)鐘的上升沿和下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，從而增加數(shù)據(jù)的吞吐量。 其最大帶寬可達(dá)SDRAM的兩倍。當(dāng)然它的接口設(shè)計(jì)也更加復(fù)雜 。

4.ROM

ROM（只讀存儲(chǔ)器）是一種只讀存儲(chǔ)器 ，包括掩膜式ROM、可編程ROM（PROM）、可擦除的可編程ROM（EPROM）和電可擦除的可編程ROM（E2PROM）等。ROM在SoC中一般用來(lái)存儲(chǔ)固定的代碼或資料。

有沒(méi)有想過(guò)ROM只讀不寫(xiě)數(shù)據(jù)怎么進(jìn)去的？

只讀存儲(chǔ)器（ROM）是一種用于計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備的非易失性存儲(chǔ)器。

存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù) 在存儲(chǔ)設(shè)備制造之后不能進(jìn)行電子修改 。只讀存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)在系統(tǒng)使用壽命內(nèi)很少更改的軟件，也稱為固件?？删幊淘O(shè)備的軟件應(yīng)用程序（如視頻游戲）可以作為包含ROM的插件盒分發(fā)。

是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無(wú)法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，資料并且不會(huì)因?yàn)?a target="_blank">電源關(guān)閉而消失。

很早以前的rom就是只讀的，但是一般rom在當(dāng)時(shí)變成了指代電腦內(nèi)部（不算硬盤(pán)）可斷電存儲(chǔ)的設(shè)備。

但是后來(lái)rom慢慢發(fā)展出了prom，eprom，eeprom慢慢rom就不只表示只讀存儲(chǔ)器了。

其實(shí)嚴(yán)格意思上現(xiàn)在很多rom屬于flash。

早期的ROM因?yàn)榧夹g(shù)不成熟所以無(wú)法擦寫(xiě)，出廠后就只能讀數(shù)據(jù)，所以叫只讀存儲(chǔ)器，后來(lái)隨著技術(shù)的發(fā)展，在ROM的基礎(chǔ)上出現(xiàn)了新的半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)EPROM和EEPROM，這兩種可擦寫(xiě)，這就不符合ROM的命名，但是由于是在ROM的技術(shù)上衍變出來(lái)的，所以延用了一部分原來(lái)的叫法，此時(shí)非易失的半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)開(kāi)始得以廣泛應(yīng)用，被大量用于電腦主板的bios和嵌入式存儲(chǔ)，而后來(lái)在這兩種技術(shù)的發(fā)展上又發(fā)展出了NAND FLASH閃存，這就是我們現(xiàn)在用的U盤(pán)中用到的技術(shù)，同樣，因?yàn)槠潴w積小，容量和速度均不錯(cuò)，現(xiàn)在手機(jī)存儲(chǔ)中的emmc顆粒也是用的這種技術(shù)，所以有手機(jī)廠商就把手機(jī)的存儲(chǔ)容量約定俗成為ROM，其繼承ROM斷電不丟失數(shù)據(jù)的特性，而且有著較快的速度。

ROM內(nèi)部的資料是在ROM的制造工序中，在工廠里用特殊的方法被燒錄進(jìn)去的，其中的內(nèi)容只能讀不能改，一旦燒錄進(jìn)去，用戶只能驗(yàn)證寫(xiě)入的資料是否正確，不能再作任何修改。如果發(fā)現(xiàn)資料有任何錯(cuò)誤，則只有舍棄不用，重新訂做一份。ROM是在生產(chǎn)線上生產(chǎn)的，由于成本高，一般只用在大批量應(yīng)用的場(chǎng)合。

ROM是Read Only Memory的簡(jiǎn)稱，即為只讀存儲(chǔ)器。ROM內(nèi)部的程序是在ROM的制造時(shí)被燒錄進(jìn)去的，其中的內(nèi)容只能讀不能改，一旦燒錄進(jìn)去，用戶只能讀取內(nèi)部的數(shù)據(jù)，不能再作任何修改。如果發(fā)現(xiàn)ROM的內(nèi)容寫(xiě)錯(cuò)，則該ROM芯片只能報(bào)廢。由于ROM是在生產(chǎn)線上生產(chǎn)的，由于成本高，一般只用在大批量應(yīng)用的場(chǎng)合。

5.Flash

Flash（閃存）存儲(chǔ)器是價(jià)格性能兼顧的一種新型的不揮發(fā)存儲(chǔ)器 。它是EPROM和E2PROM工藝綜合的產(chǎn)物，兼顧了這兩類存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。

Flash存儲(chǔ)器可以像E2PROM那樣進(jìn)行電擦除和電編程，而且它編程所需要的時(shí)間也幾乎和E2PROM相同。但是Flash存儲(chǔ)器本身的成本卻要比E2PROM低。

NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的Flash存儲(chǔ)器。 NOR Flash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)可以直接運(yùn)行程序 ，而不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。 NOR的傳輸效率很高，但寫(xiě)入和擦除速度較低，這大大影響了它的性能 。

NAND Flash能提供比較高的單元密度， 可以達(dá)到較高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除速度也很快 。

NOR Flash的接口比較簡(jiǎn)單而NAND Flash的接口則要復(fù)雜得多。

一般用的NAND，因此安全啟動(dòng)的流程學(xué)習(xí)中，我們看到鏡像必須要搬運(yùn)到DDR中才能運(yùn)行。