英特爾(Intel)與美光科技(Micron)日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint,該種記憶體號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來的首個新記憶體類別,能徹底改造任何裝置、應(yīng)用、服務(wù),讓它們能快速存取大量的資料,且現(xiàn)已量產(chǎn)。
2015-07-30 11:38:16
1394 目前,閃存芯片存儲技術(shù)以高存儲密度、低功耗、擦寫次數(shù)快等優(yōu)勢占據(jù)了非揮發(fā)性存儲芯片的壟斷地位,但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,閃存芯片存儲技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸,而新一代存儲技術(shù)——阻變存儲器有望成為閃存芯片存儲技術(shù)的替代者。
2015-10-13 08:24:58
3387 存儲產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(SRAM)的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性存儲。如今,透過磁阻隨機(jī)存取存儲(MRAM),可望解決開發(fā)這種“萬能”存儲(可取代各種存儲)的問題。
2016-03-09 09:14:55
2446 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
6033 
存儲器(Volatile memory)。于是,存儲器從大類來分,可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器。后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲,簡稱閃存),掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失,所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
存儲器容量的擴(kuò)展位擴(kuò)展增加存儲字字長用2片1K4位存儲芯片組成1K8位的存儲器,有10根地址線、8根數(shù)據(jù)線。兩個芯片要連接相同的片選字?jǐn)U展增加存儲字的數(shù)量用2片1K8位存儲芯片組成2K8位的存儲器
2021-07-16 06:18:15
請問存儲器的容量有N個字節(jié),是不是就可以定義N個char型的變量
2012-11-30 13:23:13
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲器映射存儲器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片廠商或用戶分配,給存儲器分配地址的過程就稱為存儲器映射,具體見圖 5-5。如果給存儲器再分配一個地址就叫
2021-08-20 06:29:52
1. 存儲器理解存儲器是計算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲器計算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類,易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲器的分類存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù),從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器(又稱易失性存儲器):體積小,功耗低,存取時間短,電源消失的時候,所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器(...
2021-07-26 08:30:22
存儲器重新映射(Remap)的原因:◆使Flash存儲器中的FIQ處理程序不必考慮因為重新映射所導(dǎo)致的存儲器邊界問題;◆用來處理代碼空間中段邊界仲裁的SRAM和Boot Block向量的使用大大減少
2018-06-10 00:47:17
[table][tr][td=670][table][tr][td]arm處理器本身所產(chǎn)生的地址為虛擬地址,每一個arm芯片內(nèi)都有存儲器,而這個芯片內(nèi)的存儲器的地址為物理地址。我們寫程序的目的是為了
2014-03-24 11:57:18
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
當(dāng)系統(tǒng)運行了
一個嵌入
式實時操作系統(tǒng)時(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用
非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存
器),各種各樣的
閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀
存儲器)?! ?/div>
2019-06-28 08:29:29
啟動模式講完了,我們知道是主閃存存儲器啟動的。主閃存存儲器被映射到啟動空間(0x0000 0000),但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來,再看一下它的啟動流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
作者:李建勛 樊曉光 禚真福來源:什么是基于閃存平臺的存儲管理策略?在嵌入式系統(tǒng)中,由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而,閃存常見
2019-07-31 08:17:49
。 2、硬盤存儲器 信息可以長期保存,可以讀寫,容量大,但是不方便攜帶?! ?、移動存儲器 主要包括閃存盤(優(yōu)盤)、移動硬盤、固態(tài)硬盤(SSD)?! ?、閃存盤(優(yōu)盤) 采用Flash存儲器(閃存
2019-06-05 23:54:02
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址,頁(Page),塊(Block)。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器,因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣,才能實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計呢?
2019-08-02 06:49:22
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性靜態(tài)存儲器)等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢:存儲器
2019-07-23 06:15:10
方便移動設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比,被證實可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
怎么設(shè)計一種面向嵌入式存儲器測試和修復(fù)的IIP?如何解決設(shè)計和制造過程各個階段的良品率問題?嵌入式存儲器測試和修復(fù)技術(shù)的未來趨勢是什么?STAR存儲器系統(tǒng)的功能是什么?
2021-04-15 06:05:51
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度(允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性,寫入速度快,無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
存儲器的分類及原理,動態(tài)隨機(jī)存儲器,靜態(tài)隨機(jī)存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:43
20 水產(chǎn)魚蝦揮發(fā)性鹽基氮速測儀深圳市芬析儀器制造有限公司生產(chǎn)的CSY-DS803水產(chǎn)魚蝦揮發(fā)性鹽基氮速測儀可快速檢測肉類、肉制品、魚類等樣品中揮發(fā)性鹽基氮含量檢測下限:20mg/kg線性范圍
2022-05-17 19:37:29
本文設(shè)計了一種基于0.13 微米CMOS 工藝的FPGA 芯片中的嵌入式存儲器模塊。該容量為18Kb 的同步雙端口存儲模塊,可以配置成為只讀存儲器或靜態(tài)隨機(jī)存儲器,每個端口有6 種數(shù)據(jù)寬
2009-12-19 16:19:50
24 文章中簡要介紹了嵌入式存儲器技術(shù)發(fā)展歷程,詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲器的技術(shù)關(guān)鍵詞:IP SOC 存儲器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:17
32 摘要:磁電存儲器不僅存取速度快、功耗小,而且集動態(tài)RAM、磁盤存儲和高速緩沖存儲器功能于一身,因而已成為動態(tài)存儲器研究領(lǐng)域的一個熱點。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:37
2315 
旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布,領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01
892 非接觸式存儲器IC
意法半導(dǎo)體推出一款全新2-Kbit非接觸式門票IC SRi2K。新IC有助于服務(wù)提供商對各種服務(wù)的通行門禁進(jìn)行高效管理,為提高電子票務(wù)的應(yīng)用靈活性、使用
2009-11-21 08:37:02
637 相變存儲器:能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看,相變存儲器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求:
容量
2009-12-31 10:09:30
1360 NAS網(wǎng)絡(luò)存儲器的最大存儲容量 最存儲大存儲容量是指NAS存儲設(shè)備所能存儲數(shù)據(jù)容量的極限,通俗的講,就是NA
2010-01-09 10:27:54
2607 單片機(jī)存儲器,單片機(jī)存儲器結(jié)構(gòu)原理是什么?
存儲器是單片機(jī)的又一個重要組成部分,圖6給出了一種存儲容量為256個單元的存儲器結(jié)
2010-03-11 09:15:44
7285 
MCP存儲器,MCP存儲器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為:MCP是在一個塑料封裝外殼內(nèi),垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片,
2010-03-24 16:31:28
2499 存儲器卡,存儲器卡是什么意思
存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的,能多次重復(fù)使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:07
3966 便攜存儲器的存儲容量 存儲容量是指該便攜存儲產(chǎn)品最大所能存儲的數(shù)據(jù)量,是便攜存儲產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一
2010-01-09 14:51:31
852 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能,適合低電量運作
由于擁有
2010-09-30 11:11:20
1173 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:42
2586 隨著數(shù)碼時代的來臨,除了PC外,越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭:移動電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等,這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動微存儲器。這些存儲器中很大部分是快閃存儲器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:03
4838 
上海華虹NEC電子 有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)今天宣布,基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝平臺,已成功地開發(fā)出了具有超高可靠性(UHR- UltraHighReliability)的嵌入式非揮發(fā)性
2012-02-03 09:25:11
1773 文中研究并實現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲系統(tǒng),成果為實際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
2012-03-23 11:15:53
6 NAND Flash固態(tài)硬盤(SSD)襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬盤間的差異,勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟,即將卷土重來,成為這波革命背后最主要的推手。
2016-12-15 10:13:16
1117 一種高可靠星載大容量存儲器的壞塊表存儲方案設(shè)計_李姍
2017-01-03 15:24:45
0 FLASH存儲器又稱閃存 ,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:37
23692 FLASH存儲器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪問存儲器(NVRAM),特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:46
9157 FLASH存儲器又稱閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:17
16975 閃存存儲器是寄存器嗎? 很明顯不是 ,一個屬于儲存器,一個是寄存器。那么寄存器和存儲器有什么區(qū)別呢? 1、從范圍來看 寄存器在CPU的內(nèi)部,它的訪問速度快,但容量?。?086微處理器只有14個16位
2017-10-11 17:12:21
12475 高、低功耗、成本較低等特點。一般我們都認(rèn)為Flash儲存器具備固有不揮發(fā)性、易更新性,可靠性好的基本特性。 從 Flash儲存器的基本特點可以看出,在單片機(jī)中,可以利用F1ash存儲器固化程序,一般情況下通過編程器來究成F1ash存儲器工作于這種情況,叫監(jiān)控
2017-10-11 18:57:41
5324 
FLASH存儲器又稱閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù),F(xiàn)LASH存儲器通常被用來保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:30
22518 的非揮發(fā)性存儲集成電路,其主要特點是工作速度快、單元面積小、集成度高、可靠性好、可重復(fù)擦寫10萬次以上,數(shù)據(jù)可靠保持超過10年。本文為大家介紹嵌入式存儲器基于不同存儲單元的設(shè)計方案。 基于SystemC的通用嵌入式存儲器模型設(shè)計 本文提出了
2017-10-16 17:20:50
0 目前存儲依儲存特性,以斷電后資料是否消失可分為揮發(fā)性和非揮發(fā)性存儲,揮發(fā)性存儲斷電后資料不能留存,成本較高但是速度快,通常用于資料暫存;非揮發(fā)性存儲存取速度較慢,但可長久保存資料。
2018-06-23 08:37:00
8105 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點,并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:02
1646 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點,并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:00
4986 日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器,核心容量可達(dá) 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲器
2018-07-26 18:01:00
2759 隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價格低廉的非易揮發(fā)存儲器件。閃存Flash存儲介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運而生的。它是一
2020-05-25 08:01:00
1772 
FLASH存儲器(FLASH Memory)是非易失存儲器,即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息, 可以對存儲器單元塊進(jìn)行擦除和再編程,并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。
2019-08-09 08:00:00
3972 
新興存儲器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲器,最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory;PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:05
4935 盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來,但在這競爭激烈的市場,只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而,無論哪一個技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:34
11902 
快閃存儲器的編程時間有時會很長(對于大的存儲器或存儲器組可達(dá)1分鐘)。因此,此時不容許有其它元件的逆驅(qū)動,否則快閃存儲器可能會受到損害。
2019-09-13 12:44:00
1166 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來臨的時代,存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場,而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41
1115 獲取嵌入式存儲器設(shè)計的另一種方法是利用存儲器編譯器,它能夠快捷和廉價地設(shè)計存儲器物理模塊。
2019-10-18 11:52:16
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人們需要了解閃存存儲器和固態(tài)硬盤(SSD)正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因,因為這些超級快速存儲的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲層。
2019-12-05 09:38:45
3512 存儲的發(fā)展時間線對應(yīng)的產(chǎn)物: 1打卡穿孔、打孔紙帶:在之前人們沒有電子產(chǎn)品記錄的時候用的是這種記錄辦法。 2磁鼓存儲器、磁帶:1960年時代開始磁帶興起,磁帶是一種非揮發(fā)性的儲存媒體,由帶有可磁化覆
2020-03-16 15:10:26
1191 最近30年,隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展,由于DRAM具有高密度和每位低價格的優(yōu)點,已成為了生產(chǎn)最多的用于計算機(jī)主體的易失性存儲器(也稱為揮發(fā)性存儲器)。SRAM
2020-05-19 09:27:54
3009 的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲器和新興的非易失性存儲器技術(shù)的特點,并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術(shù)與已建立的存儲器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16
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因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲存器是計算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲器,但也是最貴的,也占用了比動態(tài)隨機(jī)存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:58
3508 磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運用于計算機(jī)存儲系統(tǒng)中。同時非易失性MRAM存儲器也應(yīng)用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:48
1077 MRAM是磁阻式隨機(jī)存取存儲器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的縮寫。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲器( NVRAM )技術(shù),從20世紀(jì)90年代以來
2020-11-24 14:45:22
941 EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達(dá)1333MT /秒/引腳的速率
2021-03-19 16:23:30
1003 存儲器介紹(嵌入式開發(fā)英文怎么說)-存儲器介紹,有需要的可以參考!
2021-07-30 16:10:02
18 PLC系統(tǒng)存儲器與用戶存儲器的功能(嵌入式開發(fā)板有哪些功能接口)-該文檔為PLC系統(tǒng)存儲器與用戶存儲器的功能總結(jié)文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 09:47:10
12 存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲信息,例如R-S鎖存器和門控D鎖存器,進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-11-26 19:36:04
37 光盤存儲器是一種采用光存儲技術(shù)存儲信息的存儲器,主要聚焦激光束在盤式介質(zhì)上非接觸地記錄高密度信息。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種,前者構(gòu)成光盤介質(zhì),后者構(gòu)成磁光盤介質(zhì)。
2022-01-03 06:37:00
3334 磁盤存儲器是以磁盤為存儲介質(zhì)的存儲器,它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲數(shù)據(jù)可以長期保存以及存儲容量大的優(yōu)點,那么一個磁盤存儲器的存儲容量應(yīng)該怎么去計算它的大小呢?
2022-01-29 16:37:00
14444 根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲器(MASK ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、快閃存儲器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:21
5449 中國上?!?022年8月5日——一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出xSPI/Hyperbus/Xcella存儲器(閃存、PSRAM、MRAM 等)的控制器和PHY解決方案,適用于客
2022-08-05 10:17:43
999 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:58
2187 兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快。鐵電存儲器介于兩者之間,并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:04
4097 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:46
4760 何謂半導(dǎo)體存儲器? 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:13
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非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品線實現(xiàn)銷售收入約5.88億元。2023年上半年,存儲市場處于循環(huán)低點時期。本公司存儲產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣,以市場需求為導(dǎo)向,及時調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu),產(chǎn)品線保持較好的增長勢頭。該產(chǎn)品線的一個方面
2023-08-29 10:49:25
1331 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCBA一站式服務(wù)是什么?為什么選擇PCBA一站式服務(wù)。隨著科技的不斷更新和發(fā)展,越來越多的公司開始選擇PCBA一站式服務(wù)。那么,為什么越來越多的客戶選擇PCBA
2024-01-03 08:49:03
1341 通過多級存儲器的設(shè)計,存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度,而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42
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定義: RAM(Random Access Memory):隨機(jī)存取存儲器,是一種易失性存儲器,主要用于計算機(jī)和其他設(shè)備的臨時存儲。 ROM(Read-Only Memory):只讀存儲器,是一
2024-08-06 09:17:48
2549 內(nèi)存儲器,通常指的是計算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲器(RAM),是計算機(jī)硬件的重要組成部分。它負(fù)責(zé)存儲計算機(jī)運行時的數(shù)據(jù)和程序,以便處理器快速訪問。內(nèi)存儲器的特點包括速度快、容量相對較小,但成本并不是
2024-10-14 10:05:47
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