QLC閃存距離成熟還有一段距離，64層堆疊3D TLC固態(tài)硬盤就成為當下性能與耐久度俱佳的選擇。

固態(tài)硬盤所使用的閃存顆粒內(nèi)部是由晶圓上取下的一到多顆小晶粒組成的，每顆小晶粒的容量間接影響了固態(tài)硬盤的容量。64層堆疊技術也在發(fā)展和進步，主要表現(xiàn)就是單個閃存晶粒的容量從256Gb翻倍提升至512Gb。

高容量版本閃存的問世將促使大容量固態(tài)硬盤更加普及。日前，東芝已經(jīng)開始在大量出貨的TR200固態(tài)硬盤中應用512Gb的高容量閃存。

通過對東芝TR200 480G的拆解可以發(fā)現(xiàn)，過去由256Gb晶粒封裝的TSOP閃存顆粒已經(jīng)發(fā)展為由512Gb晶粒封裝的BGA閃存顆粒。由于存儲密度的增長，TR200固態(tài)硬盤只需更少的閃存顆粒就能達到同過去一樣的容量。

拆解發(fā)現(xiàn)，東芝TR200的主控與閃存顆粒均覆蓋了彈性導熱貼，將芯片工作時產(chǎn)生的熱量快速傳導至金屬外殼散發(fā)，保障了重負載讀寫時硬盤的穩(wěn)定性，較低的工作溫度也有利于延長硬盤的使用壽命。

編號為TOSHIBA TC58NC1010GSB的主控芯片采用了內(nèi)置SRAM緩存的設計，PCB布局簡單而工整。閃存顆粒采用東芝新的絲印格式，TOSHIBA商標與顆粒編號分別居于兩側(cè)，中間位置恰好用于導熱貼接觸。

使用CrystalDiskInfo檢測可以看到，采用512Gb高容閃存的新款東芝TR200固件版本升級至SBFA13.X，SMART項目定義則保持不變。F1項為主機寫入量統(tǒng)計，單位是GB。

AS SSD Benchmark性能測試：

主控內(nèi)置的高速緩存在AS測試中體現(xiàn)了自己的價值，46.83MB/s的單線程4K讀取速度非常出色，甚至要比不少外置DRAM緩存類型的固態(tài)硬盤更好。超過1100的總成績也表現(xiàn)出了TR200的較高性能定位。

PCMark 7存儲性能測試：

PCM7包含了Windows Defender病毒掃描、圖片視頻導入和編輯、應用和游戲啟動速度測試。東芝TR200取得了5256分的佳績，RAW成績5688更是表現(xiàn)出了在日常使用中TR200性能的游刃有余。

PCMark 8存儲性能測試：

PCM8的測試項目涵蓋了更多當代家用/辦公/商用電腦的使用方式，既有游戲加載、Office辦公，也有Adobe設計套件應用性能測試。整個測試過程與CPU、顯卡等無關，只考察硬盤對應用完成速度的影響。東芝TR200 480G取得4908的評分，屬于主流SATA固態(tài)硬盤水平。

總結(jié)：

閃存是固態(tài)硬盤的核心，高密度64層堆疊閃存的問世使得TR200只需更少的閃存顆粒就能達成與過去相同的容量及性能表現(xiàn)。更進一步說，512Gb閃存的應用將大大加快480GB以及960GB等大容量固態(tài)硬盤的普及：固態(tài)硬盤淘汰機械盤，正在逐漸變?yōu)楝F(xiàn)實。