“缺芯少屏”之痛，知痛而痛定思痛，方能化悲痛為力量繼續(xù)負重前行?！叭毙旧倨痢备鼮閲乐氐氖恰叭毙尽?，無論是處理器芯片，還是存儲芯片，都是我們現(xiàn)在最為尷尬的問題。

這次咱們說存儲芯片技術(shù)。長時間以來，大家都覺得我們的電腦手機最為關(guān)鍵的設(shè)備“處理器芯片”依賴外國廠商，其實在存儲芯片上我們照樣是依賴進口，而且說的嚴重一點，我們所使用的U盤都沒有屬于我們自家的，大多數(shù)都是進口人家的存儲顆粒而我們封裝的！

更不要說服務(wù)器、硬盤等方面的存儲需求上了，一句話，進口的！

而為了突破這一尷尬的局面，我們的有志廠商也在不遺余力的拼搏在奮斗的第一線，而截止到目前，我們也漸漸的獲得了一定的突破，其中，尤以長存存儲獲得的進步值得大家關(guān)注。

長江存儲在Xtacking的突破，為解決3D NAND的IO速度，讀寫速度，開發(fā)和生產(chǎn)時間等問題提供了非常可靠而可行的解決方案，舉例來說，現(xiàn)在世界上最快的3D NAND的I/O速度目標值是1.4Gbps，而現(xiàn)在我們所使用的存儲讀寫速度上，一般是1.0Gbps，甚至還有很多達不到這個速度，而長江存在的Xtacking技術(shù)，則可以將I/O的速度提升3倍，達到3.0Gbps，基本上已經(jīng)達到了DDR4的性能。

值得一提的是，Xtacking技術(shù)更加有利于晶圓加工工藝的選擇，比如，可以讓兩塊分別負責計算、存儲的晶圓實現(xiàn)無縫電路結(jié)合，實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸，而且成本上做到經(jīng)濟可控的性價比。

而現(xiàn)在的Xtacking技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了2.0版本，在技術(shù)性能上將有更大的提升，這對于國產(chǎn)存儲技術(shù)的發(fā)展，起到很大的推動作用。

看國產(chǎn)存儲、芯片技術(shù)的發(fā)展，其實以大眾來說，并沒有指望國產(chǎn)企業(yè)能夠做到一天就完全擁有自己的國產(chǎn)技術(shù)，站在科技風景線小編的角度來說，關(guān)鍵就是在于有自己節(jié)奏的技術(shù)突破計劃。比如在哪些方面先做一些努力，接下來再一步一步的攻關(guān)?；蛟S我們的進度很小，但是只要有慢慢的進步，慢慢的突破，終究我們會把自己的存儲技術(shù)發(fā)展起來的。