現(xiàn)在仍然可以使用離散小信號(hào)MOSFET，本設(shè)計(jì)理念提供了兩個(gè)簡(jiǎn)單的例子：AND門(mén)和幅度調(diào)制器。

圖1顯示了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的雙輸入AND門(mén)及其MOSFET（和單電阻或雙電阻）實(shí)現(xiàn)。

圖1雙輸入與門(mén)（a）和MOSFET實(shí)現(xiàn)（b）

輸入-A和輸入-B在這里連接

到單極由15V電池供電的開(kāi)關(guān)。輸入A連接到MOSFET的漏極端子;輸入-B到其門(mén)終端。標(biāo)記為Output-C的源端子是AND門(mén)的輸出。電路中的MOSFET處于截止或飽和模式。

當(dāng)柵極端子施加邏輯低電平（0V）時(shí)，MOSFET工作在截止模式，并且工作在高電平MOSFET的漏極和源極之間存在阻抗。類(lèi)似地，當(dāng)在柵極端子施加高電壓（15V）時(shí)，MOSFET工作在飽和模式，MOSFET的漏極和源極端之間存在低阻抗。

圖2兩個(gè)輸入的示例模擬= 1

與非門(mén)當(dāng)然可以通過(guò)添加M2和R3來(lái)形成輸出反相器來(lái)實(shí)現(xiàn)。

圖3雙輸入與非門(mén)（a）和MOSFET實(shí)現(xiàn)（b）

對(duì)于更多模擬 MOSFET應(yīng)用，請(qǐng)考慮這種簡(jiǎn)單的AM調(diào)制器。

圖4MOSFET幅度調(diào)制器

電路由N溝道MOSFET，兩個(gè)電阻和一個(gè)肖特基二極管組成。調(diào)制信號(hào) sig（t），連接到MOSFET的漏極端子。載波信號(hào) v-carr（t）連接到柵極端子。幅度調(diào)制輸出信號(hào) v-out（t）從源極端獲得。

載波信號(hào)是方波，并且由于MOSFET的柵極連接到載波，MOSFET將以該頻率接通和斷開(kāi)。接通時(shí)，漏極上的任何電壓都將通過(guò)MOSFET并出現(xiàn)在源極端子上。當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí)，R2會(huì)將輸出拉至地。

為了正常工作，載波信號(hào)的峰峰值電壓應(yīng)為調(diào)制信號(hào)的峰峰值電壓的兩倍。 。肖特基二極管可防止幅度調(diào)制輸出信號(hào)成為雙極性信號(hào)。

圖5采用25kHz 12V PP 載波和1kHz 6V PP 正弦調(diào)制的仿真結(jié)果

圖6如上所述，使用方波調(diào)制