領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。通過部署超過50,000顆NVIDIA GPU,三星將在整個制造流程中全面導(dǎo)入AI技術(shù),加速下一代半導(dǎo)體、移動
發(fā)表于 11-03 13:41
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三星美國廠2nm 產(chǎn)線運作 美國2nm晶圓代工廠近期再添生力軍,在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下,原本暫緩的三星美國德州新廠2
發(fā)表于 09-02 11:26
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我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進入質(zhì)量測試階段,計劃
發(fā)表于 07-31 19:47
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在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進方面做出重大調(diào)整,原本計劃于2
發(fā)表于 07-03 15:56
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?據(jù)多方消息來源推測,三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在?“Sa
發(fā)表于 03-23 11:17
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 據(jù)多方消息來源推測,三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在 “Sa
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)媒體最新報道,韓國三星電子的晶圓代工部門已正式解除位于平澤園區(qū)的晶圓代工生產(chǎn)線的停機狀態(tài),并計劃在今年6月將產(chǎn)能利用率提升至最高水平。這一
發(fā)表于 02-18 15:00
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近日,據(jù)最新報道,三星計劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模,設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元,削減幅度高達50%。 此次投資削減主要集中在韓國的兩大工廠:平澤P2
發(fā)表于 01-23 11:32
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據(jù)外媒SAMMY FANS報道,三星計劃在2025年推出四款折疊屏手機,在折疊屏領(lǐng)域再展宏圖。 此次新品中,三星會照例更新Flip和Fold產(chǎn)品線,
發(fā)表于 01-22 17:01
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據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
發(fā)表于 01-22 15:54
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據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
發(fā)表于 01-22 14:27
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nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出
發(fā)表于 01-22 14:04
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近日,消息源Jukanlosreve在社交平臺發(fā)文曝料了三星2025年的手機量產(chǎn)計劃。據(jù)其透露,三星對Galaxy S25系列和Galaxy Z Flip7的量產(chǎn)
發(fā)表于 12-20 14:52
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