一輛新能源汽車、一組高能效服務(wù)器電源,核心功能的實(shí)現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn),國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日,記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“世紀(jì)金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,與第一代半導(dǎo)體材料硅(Si)相比,擁有更加優(yōu)異的物理化學(xué)特性,使得碳化硅器件能降低能耗20%以上、減少體積和重量30%-50%,降低碳排放量20%以上,實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效化、小型化、輕量化和低耗化。因此,碳化硅電力電子器件將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、通訊雷達(dá)和航空航天等重要國民經(jīng)濟(jì)和軍工領(lǐng)域。國際上部分國家在該領(lǐng)域起步早,6英寸碳化硅襯底已經(jīng)量產(chǎn),8英寸已研制成功。而國內(nèi),以4英寸為主,6英寸尚處在攻關(guān)階段。
世紀(jì)金光早在2010年落戶經(jīng)開區(qū)時(shí)就開始進(jìn)行第三代半導(dǎo)體的研究研發(fā)工作?!爸萍s碳化硅襯底發(fā)展的根本原因是質(zhì)量和成本。”世紀(jì)金光相關(guān)負(fù)責(zé)人說,為了解決行業(yè)難題,世紀(jì)金光研發(fā)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出新的晶體生長與晶片加工技術(shù),提高晶片的出片率,降低成本50%以上,壓低國際同類產(chǎn)品的價(jià)格;通過改造創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)了6英寸晶體生產(chǎn)的技術(shù)突破,縮短了與國外的差距。近幾年來,世紀(jì)金光創(chuàng)新性地解決了高純碳化硅粉料提純技術(shù)、6英寸碳化硅單晶制備技術(shù)、高壓低導(dǎo)通電阻碳化硅SBD、MOSFET材料、結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等。目前已完成從碳化硅功能材料生產(chǎn)、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應(yīng)用開發(fā)和解決方案提供等關(guān)鍵領(lǐng)域的全面布局。
依托在碳化硅領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)與儲(chǔ)備,世紀(jì)金光碳化硅6英寸單晶生產(chǎn)已經(jīng)研制成功并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn);自主設(shè)計(jì)開發(fā)的功率元器件和模塊制備覆蓋碳化硅肖特基二極管(SBD)、金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊,已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域。在應(yīng)用中高效化、小型化、輕量化和低耗化等特性顯現(xiàn)出來,在光伏行業(yè),主要應(yīng)用的分布式光伏逆變器,可使逆變器峰值效率達(dá)到99%以上,自身功率損耗降低70%以上,體積減小1/5以上。在高性能服務(wù)器電源行業(yè),主要為應(yīng)用的SBD產(chǎn)品,可使系統(tǒng)效率提升至超過99%。
據(jù)世紀(jì)金光相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹,為了持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用,將以產(chǎn)學(xué)研用為基礎(chǔ),加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新,與行業(yè)典型客戶在產(chǎn)品應(yīng)用、聯(lián)合開發(fā)、技術(shù)交流、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新等多個(gè)層面進(jìn)行深度合作,將核心關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行“強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合”。還將成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和聯(lián)合應(yīng)用中心,加強(qiáng)戰(zhàn)略合作,共同推動(dòng)基于第三代半導(dǎo)體功率器件在新能源汽車、充電樁、光伏、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用。
責(zé)任編輯:wv
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31192瀏覽量
266317
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
博世碳化硅技術(shù)路線圖持續(xù)演進(jìn)
突破!本土企業(yè)成功研制14英寸SiC單晶
氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃?b class='flag-5'>碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
12英寸碳化硅外延片突破!外延設(shè)備同步交付
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
重大突破!12 英寸碳化硅晶圓剝離成功,打破國外壟斷!
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
江蘇集芯首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶出爐?
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
世紀(jì)金光研制成功碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn) 將持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用
評(píng)論