聯(lián)華電子2日表示，在使用USB 2.0測(cè)試載具并成功通過硅驗(yàn)證之后，正式宣布更先進(jìn)的22納米制程技術(shù)就緒。

聯(lián)電表示，相較于一般的USB 2.0 PHY IP，使用聯(lián)電制程的測(cè)試載具所使用面積是全球最小，已展現(xiàn)聯(lián)電技術(shù)的成熟，且新的芯片設(shè)計(jì)若要采用22納米制程，并無需更改現(xiàn)有的28納米設(shè)計(jì)架構(gòu)，客戶將可放心地的直接從28納米制程轉(zhuǎn)移到22納米。

聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，將致力于提供世界領(lǐng)先的晶圓專工特殊技術(shù)，并持續(xù)推出特殊制程，以應(yīng)用于快速成長的5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等芯片市場(chǎng)。與原本的28納米高介電系數(shù)/金屬柵極制程相比，22納米能再縮減10%的晶粒面積、擁有更好的功率效能比，以及強(qiáng)化射頻性能等特點(diǎn)。

另外還提供了與28納米制程相同光罩?jǐn)?shù)的22納米超低功耗版本（22ULP），以及22納米超低泄漏版本（22ULL），將支援0.6~1.0伏特電壓，協(xié)助客戶在系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)中同時(shí)享有兩種技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

日前聯(lián)電已與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)商智原在22納米制程平臺(tái)上合作推出基礎(chǔ)元件IP支援，是市場(chǎng)上需防漏電或長期續(xù)行的產(chǎn)品，如機(jī)頂盒、數(shù)字電視、監(jiān)視器、穿戴式裝置等物聯(lián)網(wǎng)芯片的理想選擇。

目前應(yīng)用22ULP/ULL制程的基礎(chǔ)元件IP已具備進(jìn)階的繞線架構(gòu)，多樣的IO元件庫包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO，且存儲(chǔ)器編譯器還具有雙電源軌功能、多重省電模式、和讀寫輔助功能等特色。
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