Redmi小愛音箱推出，內(nèi)置第三代“小愛同學(xué)”售價79元
12月10日消息，今日，小米官方正式發(fā)布了Redmi小愛音箱，售價79元。
Redmi小愛音箱采用1.75英寸高品質(zhì)揚(yáng)聲器單元，U型風(fēng)管設(shè)計，350cc大音腔，音質(zhì)震撼出眾；配合最新一代藍(lán)牙Mesh網(wǎng)關(guān)，幫助藍(lán)牙設(shè)備聯(lián)網(wǎng)，是智能門鎖、燈泡的好搭檔；內(nèi)置第三代“小愛同學(xué)”，是首款支持第三代小愛同學(xué)的小愛音箱，同時還支持小愛男聲；支持全新自研聲紋識別，可聽聲識人。
責(zé)任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
音箱
+關(guān)注
關(guān)注
36文章
648瀏覽量
70526 -
藍(lán)牙
+關(guān)注
關(guān)注
119文章
6303瀏覽量
178530 -
揚(yáng)聲器
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
1355瀏覽量
65900
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
瑞可達(dá)推出第三代模塊化交直流一體充電插座
瑞可達(dá)憑借深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新精神，推出第三代模塊化交直流一體充電插座，以全新設(shè)計突破行業(yè)瓶頸，為新能源汽車充電系統(tǒng)提供更優(yōu)解決方案。
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推
金升陽推出高性能第三代插件式單路驅(qū)動電源
隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求，金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
拆了星鏈終端第三代，明白這相控陣天線的請留言！
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢必會說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
工商網(wǎng)監(jiān)
評論