01為什么要推出 G3？

在碳中和與高功率密度的雙重賽道上，電源工程師面臨的挑戰(zhàn)從未如此嚴(yán)峻：體積要更小，效率要更高，發(fā)熱要更低。

今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 --基于自主工藝路線開(kāi)發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。

這不僅僅是一次產(chǎn)品迭代，更是我們對(duì)多層外延技術(shù)數(shù)年深耕的成果展示。我們不談虛的“革命”，只談它能為你的設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些實(shí)實(shí)在在的改變。

02四大硬核突破，重構(gòu)性能邊界

G3平臺(tái)不是簡(jiǎn)單的參數(shù)微調(diào)，而是從元胞結(jié)構(gòu)到制造工藝的系統(tǒng)性重塑。

極致緊湊：元胞間距壓縮至5.5μm

這是目前國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品中最緊湊的芯片結(jié)構(gòu)之一。我們通過(guò)多層外延工藝與領(lǐng)先器件設(shè)計(jì)的高度匹配，打破了空間限制。這意味著在同樣的封裝體積下，你能獲得更大的功率密度。對(duì)于車載充電器、高密度服務(wù)器電源等應(yīng)用場(chǎng)景，G3 提供了全新的解題思路。

損耗探底：Rsp 9.0 mΩ·cm2 (600V)

同等硅面積，更低阻抗，更少發(fā)熱。在TO247封裝下，我們成功將導(dǎo)通電阻做到14mΩ，逼近了硅基超結(jié)的理論極限。這意味著電流通道更“寬闊”，傳導(dǎo)損耗被壓到了極致。

極速開(kāi)關(guān)：Qg ↓ 24%，Coss ↓ 50%

這是高頻電源設(shè)計(jì)的福音。相比上一代 G1 平臺(tái)，G3 在動(dòng)態(tài)特性上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍：

柵極電荷（Qg）降低 24%@10V，驅(qū)動(dòng)更輕松，開(kāi)關(guān)速度更快。

輸出電容（Coss）降低 50%@400V，硬開(kāi)關(guān)應(yīng)力顯著緩和。

關(guān)斷損耗（Eoss）降低 40%@400V，使系統(tǒng)在更高頻率下運(yùn)行仍能保持低溫與高效。

圖：G3與G1的Eoss曲線比較

堅(jiān)若磐石：工業(yè)級(jí)可靠性

無(wú)懼電網(wǎng)波動(dòng)與負(fù)載突變，我們深知“炸機(jī)”是工程師的噩夢(mèng)。G3 延續(xù)了我們對(duì)可靠性的偏執(zhí)，在單脈沖雪崩能量（EAS）耐受能力和高溫穩(wěn)定性上做足了冗余，確保在嚴(yán)苛的工業(yè)、通信環(huán)境下依然穩(wěn)如泰山。

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G3系列的設(shè)計(jì)初衷就是“全能”。無(wú)論是追求極致效率的軟開(kāi)關(guān)，還是強(qiáng)調(diào)耐受性的硬開(kāi)關(guān)，它都能勝任。

軟開(kāi)關(guān)場(chǎng)景： LLC 諧振變換器、ZVS 移相全橋

硬開(kāi)關(guān)場(chǎng)景： PFC、TTF 拓?fù)?/p>

目標(biāo)應(yīng)用：

消費(fèi)電子（快充、適配器、LED、TV、PC電源）

工業(yè)電源

數(shù)據(jù)中心與5G通信電源

新能源（光伏儲(chǔ)能）

充電樁、車載充電機(jī)（OBC）