作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品，構(gòu)建全場(chǎng)景解決方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列憑借革命性的性能升級(jí)，為消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)以及車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域樹(shù)立新標(biāo)桿。

新潔能40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用國(guó)際先進(jìn)屏蔽柵溝槽工藝技術(shù)，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性，其特征比導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA）相比上一代產(chǎn)品降低33%，品質(zhì)因子FOM（導(dǎo)通電阻Ron*柵極總電荷Qg）降低31%，具備更高的電流密度、功率密度和魯棒性。并且三代40V SGT-MOS通過(guò)三維溝槽結(jié)構(gòu)創(chuàng)新與低阻晶圓工藝技術(shù)升級(jí)，提高全溫度區(qū)間Ron穩(wěn)定性，突破傳統(tǒng)導(dǎo)通損耗與散熱的極限平衡。以同面積的MOS芯片相比，Gen.3在150℃結(jié)溫下Ron增量較Gen.1 減少16%，在保持超低Ron的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)溫升效率行業(yè)領(lǐng)先，有效解決高溫場(chǎng)景下的效率衰減難題，助力系統(tǒng)小型化與長(zhǎng)期可靠性，重構(gòu)中低壓功率器件的熱管理能力。

NCE世代產(chǎn)品與最優(yōu)競(jìng)品Rsp性能對(duì)比

NCE世代產(chǎn)品Ron溫升性能對(duì)比

全系產(chǎn)品分為高VTH和低VTH 2個(gè)細(xì)分方向， 提供不同檔位RDS(ON) 產(chǎn)品供客戶(hù)挑選，靈活匹配不同的應(yīng)用領(lǐng)域，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)、同步整流、新能源汽車(chē)和AI算力等。同時(shí)全系產(chǎn)品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封裝形式，能夠提供更靈活的交期與本地化服務(wù)。40V產(chǎn)品系列豐富，本文優(yōu)先推薦DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封裝重點(diǎn)產(chǎn)品型號(hào)。

產(chǎn)品型號(hào)

產(chǎn)品特點(diǎn)

◆ 超低特征導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA）

◆ 極優(yōu)品質(zhì)因子FOM（導(dǎo)通電阻Ron*柵極總電荷Qg）

◆ 更小閾值電壓Vth Range，利于并聯(lián)應(yīng)用

◆ 更優(yōu)溫升效率，有效解決高溫場(chǎng)景下的效率衰減難題

◆ 極高功率密度

◆ 更優(yōu)抗振蕩能力

◆ 更強(qiáng)魯棒性

◆ 更齊全的封裝形式

◆ 更齊全的電阻、電流型號(hào)規(guī)格

應(yīng)用領(lǐng)域

◆ 新能源汽車(chē)

◆ AI算力

◆ 通信服務(wù)器

◆ 不間斷電源UPS

◆ 鋰電池保護(hù)

◆ 電動(dòng)工具

◆ 無(wú)人機(jī)

◆ 適配器

命名規(guī)則

新潔能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更優(yōu)設(shè)計(jì)、更高效率、更高品質(zhì)”為核心競(jìng)爭(zhēng)力，重新定義中低壓功率器件技術(shù)邊界。歡迎訪(fǎng)問(wèn)新潔能官網(wǎng)獲取免費(fèi)樣品及相關(guān)選型指南，或聯(lián)系銷(xiāo)售及技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)獲取定制化選型方案。讓我們攜手推進(jìn)功率電子系統(tǒng)的效率革命！