在通信、電機(jī)控制、工業(yè)電源等硬開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中，功率MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)效率及可靠性有著重要影響。功率MOSFET反向恢復(fù)電荷大，將導(dǎo)致系統(tǒng)效率低、電壓尖峰高等一系列問(wèn)題，制約系統(tǒng)朝向高性能、高可靠性的進(jìn)一步發(fā)展。新潔能推出具有超快反向恢復(fù)特性的250V SGT 功率MOSFET NCEP025S90T，相比上代產(chǎn)品顯著降低了反向恢復(fù)電荷，為高性能、高可靠性要求的硬開關(guān)應(yīng)用提供更優(yōu)選擇。

核心優(yōu)勢(shì)

1、超低反向恢復(fù)電荷Qrr

超快反向恢復(fù)SGT平臺(tái)產(chǎn)品 NCEP025S90T與通用平臺(tái)產(chǎn)品 NCEP02590T 體二極管反向恢復(fù)對(duì)比測(cè)試如表1。NCEP025S90T的Trr為67ns，相對(duì)NCEP02590T降低約58.9%；Qrr為178nC，相對(duì)降低約86%。更低的Qrr將有效減小硬開關(guān)系統(tǒng)中的過(guò)沖電壓，簡(jiǎn)化緩沖電路設(shè)計(jì)，優(yōu)化系統(tǒng)成本。

表1：NCEP025S90T與 NCEP02590T 反向恢復(fù)對(duì)比測(cè)試結(jié)果

圖1：NCEP025S90T與 NCEP02590T 反向恢復(fù)對(duì)比測(cè)試波形

2、更寬RRSOA（反向恢復(fù)安全工作區(qū)）

反向恢復(fù)安全工作區(qū)是衡量MOSFET體二極管動(dòng)態(tài)續(xù)流能力的重要指標(biāo)。實(shí)驗(yàn)采用雙脈沖電路進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試電路圖和測(cè)試平臺(tái)實(shí)物圖如圖2、圖3所示。測(cè)試方法為，開關(guān)管Q1和續(xù)流管Q2分別同時(shí)更換為NCEP025S90T和NCEP02590T進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試過(guò)程中逐次增加Vgs脈沖寬度T1，T2時(shí)期的續(xù)流管電流隨之增大，在T3上升沿到來(lái)時(shí)，續(xù)流管進(jìn)入反向恢復(fù)階段，若此時(shí)續(xù)流管電流達(dá)到其反向恢復(fù)能力上限，則續(xù)流管發(fā)生損壞。記錄每次測(cè)試T2時(shí)期的續(xù)流管電流ISD以及續(xù)流管能否順利通過(guò)測(cè)試，最終測(cè)試結(jié)果如表2，結(jié)果表明NCEP025S90T相比NCEP02590T反向恢復(fù)安全區(qū)提升5倍以上。

注：藍(lán)色字體數(shù)值為設(shè)備電流能力上限，非MOS管過(guò)流能力上限

表2：NCEP025S90T與 NCEP02590T RRSOA對(duì)比測(cè)試結(jié)果

圖2：雙脈沖測(cè)試電路圖

圖3：雙脈沖測(cè)試平臺(tái)實(shí)物圖

基本特性

NCEP025S90T相比NCEP02590T其它動(dòng)靜態(tài)電性參數(shù)基本匹配，詳細(xì)對(duì)比結(jié)果如表3。

表3：NCEP025S90T與NCEP02590T基本動(dòng)靜態(tài)參數(shù)對(duì)比

應(yīng)用領(lǐng)域

○ 通信

○ 工業(yè)電源

○ 逆變電路

○ 48V-100V電機(jī)控制

○ Class-D音頻放大

命名規(guī)則

針對(duì)不同場(chǎng)景的應(yīng)用，新潔能推出不同系列的產(chǎn)品。NCEP025S90T中的S代表該產(chǎn)品屬于super recovery系列，若此處無(wú)字母，則代表通用平臺(tái)系列。