龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。

該產(chǎn)品耐壓為650V，導通電阻僅為99mΩ，使得MOS管在導通狀態(tài)下實現(xiàn)更小的功率損耗和更高的效率，同時成本也隨之下降，為客戶提供低成本設(shè)計方案。該款產(chǎn)品主要適用于電源、逆變器和其它高壓開關(guān)應用等。

產(chǎn)品特點

業(yè)界優(yōu)勢的RDS(on)*A

集成快恢復二極管

出色的高開關(guān)速度

增強的dv/dt能力

競爭優(yōu)勢

業(yè)界優(yōu)勢的RDS(on)*A

Qrr反向恢復電荷性能顯著提升

trr反向恢復時間較同類產(chǎn)品明顯縮短

注：數(shù)據(jù)來源于龍騰實驗室實測

LSD65R099HP采用先進的PT工藝，器件高低溫條件下IDSS漏電較輻照產(chǎn)品低。同時，其Trr和Qrr性能參數(shù)優(yōu)于市面主流產(chǎn)品，顯著提升了產(chǎn)品的可靠性與能效。

應用領(lǐng)域

數(shù)據(jù)中心

通信電源

電動汽車充電OBC

不間斷電源UPS

工業(yè)SMPS