曝麒麟1020將采用臺積電5nm工藝 對比麒麟990性能可提升多達50％
高通驍龍865發(fā)布了，性能輕取安卓陣營桂冠，而善于打時間差的華為下一代麒麟旗艦也開始頻繁曝料，不出意外將在明年下半年的Mate 40系列上首發(fā)。
麒麟990 5G處理器采用了臺積電7nm EUV工藝，集成103億個晶體管，移動SoC中首次過百億，芯片面積為113.31平方毫米，算下來每平方毫米大約9090萬個晶體管。
華為下一代旗艦SoC據(jù)說會叫做麒麟1020，代號巴爾的摩（Baltimore），曝料稱相比于麒麟990性能可提升多達50％，主要原因是CPU架構(gòu)從A76跨代升級到A78，領先高通驍龍865、聯(lián)發(fā)科天璣1000里使用的A77，同時標配集成5G基帶。
麒麟1020幾乎鎖定采用臺積電5nm工藝，晶體管密度自然將大大提升，最新消息稱每平方毫米有望達到1.713億個左右，對比麒麟990 5G增加了接近90％。
5nm將是臺積電的又一個重要工藝節(jié)點，使用第五代FinFET晶體管技術，EUV極紫外光刻技術也擴展到10多個光刻層，并分為N5、N5P兩個版本，前者相比于N7 7nm工藝性能提升15％、功耗降低30％，后者在前者基礎上繼續(xù)性能提升7％、功耗降低15％。
臺積電目前正在試產(chǎn)5nm，測試芯片平均良品率高達80％，最高可超90％，預計在明年上半年投入大規(guī)模量產(chǎn)。
責任編輯：wv
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