鎧俠宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫速將是UFS 3.0的2~3倍
昨日，iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存，調(diào)試信息顯示芯片顆粒來自三星。
事實上，上周西部數(shù)據(jù)也推出了符合JEDEC最新規(guī)范的UFS 3.1閃存，品名iNAND MC EU521 ，引入第六代SmartSLC緩存技術(shù)，寫速最高可達800MB/s，且號稱容量滿載時也不掉速。
本周，鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲）宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片。
新閃存基于東芝BiCS 3D存儲技術(shù)打造，設(shè)計容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，比西數(shù)EU521豐富，主控和閃存都按照規(guī)范要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內(nèi)。
關(guān)于性能，鎧俠未給出具體數(shù)據(jù)，但表示寫速是UFS 3.0的2~3倍，連續(xù)讀速比UFS 3.0提升30%，引入HPB改善隨機讀取性能，睡眠模式下功耗更低，溫度過高時可主動降低性能避免損壞元件。
鎧俠指出，東芝是最早在2013年推出UFS的廠商，去年也是第一波提供UFS 3.0產(chǎn)品的企業(yè)。
責(zé)任編輯：wv
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