受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期
近日，DigiTimes在一份報(bào)告中稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
三星原計(jì)劃2021年初量產(chǎn)3nm，但受疫情影響，三星預(yù)期時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年，業(yè)內(nèi)消息人士指出，這并非工藝制造上的延遲，而是因?yàn)镋UV光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲所致。
三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號(hào)稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
而三星最大對(duì)手臺(tái)積電也因?yàn)橐咔樵?a target="_blank">半導(dǎo)體裝備及安裝人員都無(wú)法按期完成，原計(jì)劃在6月份風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的3nm FinFET工藝，試產(chǎn)時(shí)間將延期到10月份。
相應(yīng)地，臺(tái)積電南科18廠的3nm生產(chǎn)線也會(huì)順延一個(gè)季度，原本在10月份安裝設(shè)備，現(xiàn)在也要到2021年初了。
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似乎遇到了一些問(wèn)題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問(wèn)題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
發(fā)表于 04-18 10:52
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