6月17日，三安光電發(fā)布公告稱，公司擬在長沙成立子公司以現(xiàn)金160億元投資建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目。

三安光電表示，根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略，經(jīng)公司董事會研究，公司決定在長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元，公司在用地各項手續(xù)和相關條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)。公司與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會于2020年6月15日簽署《項目投資建設合同》。

長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)創(chuàng)建于1988年，1991年獲批全國首批國家級高新區(qū)。長沙高新區(qū)位于湘江以西、岳麓山下，總面積達到140平方公里，是長株潭國家“兩型社會”建設綜合配套改革試驗區(qū)、長株潭國家自主創(chuàng)新示范區(qū)和國家級湖南湘江新區(qū)“三區(qū)”疊加的核心區(qū)。長沙高新區(qū)依托強大的科技資源和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新優(yōu)勢，先后獲批國家創(chuàng)新型科技園區(qū)、國家海外高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基地、國家創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范基地、國家科技與金融結合試點園區(qū)、國家生態(tài)工業(yè)示范園區(qū)、國家高技術產(chǎn)業(yè)化基地、新材料產(chǎn)業(yè)基地、軟件產(chǎn)業(yè)基地等20多個國家級產(chǎn)業(yè)基地。目前，在全國169個國家高新區(qū)綜合排名中，名列第11位。在工信部賽迪研究院發(fā)布的“中國產(chǎn)業(yè)園區(qū)競爭力100強”排行榜中，位居第10位。

項目具體開發(fā)建設內(nèi)容包括，在甲方園區(qū)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET，以甲方認可的乙方項目實施主體最終可研報告為準。

公告顯示，三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發(fā)與應用，致力于化合物半導體集成電路業(yè)務的發(fā)展，努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。