近日，兆易創(chuàng)新在投資者互動平臺上表示，其DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目于2020年5月完成資金募集，現(xiàn)項目研發(fā)工作正在進行中。

2019年9月，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行股票預(yù)案，擬募集資金總額不超過人民幣43億元，用于DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補充流動資金，以實現(xiàn)國內(nèi)存儲芯片設(shè)計企業(yè)在DRAM領(lǐng)域的突破。

公告顯示，兆易創(chuàng)新DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃投資總額約40億元，擬投入募集資金33億元。兆易創(chuàng)新擬通過本項目，研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

根據(jù)兆易創(chuàng)新此前發(fā)布的《非公開發(fā)行A股股票申請文件一次反饋意見的回復(fù)》顯示，兆易創(chuàng)新對DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目各個階段的實施時間、整體進度進行了安排。

根據(jù)安排，兆易創(chuàng)新計劃在2020年定義首款芯片的生產(chǎn)制程，并將經(jīng)過驗證后的設(shè)計展開流片試樣，經(jīng)過反復(fù)測試、反復(fù)修改直到樣片設(shè)計符合設(shè)計規(guī)范并通過系統(tǒng)驗證；2021年，首款芯片客戶驗證完成后進行小批量產(chǎn)，測試成功后進行大批量產(chǎn)；2022年至2025年，兆易創(chuàng)新計劃完成多系列產(chǎn)品陸續(xù)研發(fā)及量產(chǎn)。

資料顯示，兆易創(chuàng)新自2005年設(shè)立并進入閃存芯片設(shè)計行業(yè)，通過技術(shù)開拓、業(yè)務(wù)并購，目前已成為中國大陸最為領(lǐng)先的芯片設(shè)計企業(yè)之一，其主營業(yè)務(wù)為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品、傳感器模塊的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售。

上述項目的實施有助于兆易創(chuàng)新豐富自身產(chǎn)品線，提升我國在全球存儲器產(chǎn)業(yè)地位。兆易創(chuàng)新表示，本次非公開發(fā)行是公司打造國內(nèi)領(lǐng)先存儲器廠商、全球領(lǐng)先芯片設(shè)計公司的關(guān)鍵戰(zhàn)略，發(fā)行完成后，公司在存儲器領(lǐng)域?qū)⒊蔀楦采wFlash、DRAM的領(lǐng)軍企業(yè)。項目實施完畢后，兆易創(chuàng)新在存儲器領(lǐng)域的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)將得到進一步豐富，在NOR Flash、NAND Flash基礎(chǔ)上切入DRAM存儲芯片。項目完成后，兆易創(chuàng)新將掌握DRAM技術(shù)、具備DRAM產(chǎn)品設(shè)計能力。