11月14日，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）新一代GD5F1GM9 SPI NAND Flash產(chǎn)品在2025年“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會暨第二十屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動發(fā)布儀式上，榮獲“優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品”獎。這一獎項充分肯定了兆易創(chuàng)新在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)實力與創(chuàng)新能力。

本屆“中國芯”大會以“芯生萬物，智算無界”為主題，在珠海橫琴天沐琴臺會議中心舉行。作為國內(nèi)集成電路領(lǐng)域最具影響力的行業(yè)評選之一，“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品評選活動自2006年啟動以來，始終致力于推動中國芯片技術(shù)與應(yīng)用的結(jié)合，已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“風(fēng)向標(biāo)”。本屆評選共收到來自303家企業(yè)的410款產(chǎn)品報名，參選數(shù)量再創(chuàng)新高，產(chǎn)品覆蓋領(lǐng)域廣泛，競爭尤為激烈。

兆易創(chuàng)新此次獲獎的GD5F1GM9產(chǎn)品是一款基于24nm工藝打造的高性能QSPI NAND Flash。該系列支持3V與1.8V工作電壓，以及Continuous read、Cache Read、Auto Load Next Page等多種高速讀取模式，為用戶提供了靈活的組合設(shè)計方案。

與傳統(tǒng)的SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在關(guān)鍵指標(biāo)上實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。其采用復(fù)雜ECC算法的并行計算方式，解決了傳統(tǒng)串行計算方式帶來的延遲問題，大幅提升糾錯效率。在性能表現(xiàn)上，同等工作頻率讀取速度達(dá)到主流SPI NAND產(chǎn)品的2～3倍，能夠為用戶帶來極致的性能體驗。其新增的壞塊管理（BBM）功能?？纱_保前256個Block均為出廠好塊，并可有效應(yīng)對使用過程中產(chǎn)生的新增壞塊問題，極大減小了標(biāo)準(zhǔn)SPI NAND Flash在可靠性方面的風(fēng)險。多重優(yōu)勢使得該系列成為安防監(jiān)控、工業(yè)控制、IoT設(shè)備等快啟應(yīng)用的理想選擇。

GD5F1GM9系列SPI NAND Flash的推出是兆易創(chuàng)新不斷突破技術(shù)邊界、以創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展的又一例證。未來，兆易創(chuàng)新將繼續(xù)錨定全球存儲技術(shù)前沿，緊密圍繞客戶需求，打造更多具有競爭力的存儲解決方案，賦能千行百業(yè)的數(shù)字化變革。