編者按: 全球電子供應(yīng)鏈的波動十分微妙, 據(jù)最新外媒消息,臺積電可能已經(jīng)被批準可以向華為繼續(xù)供貨了，但是嚴格控制供貨條件。臺積電獲得許可是 28nm 等成熟的工藝，不包括 16nm、10nm、7nm、5nm 這些先進的制程工藝。11月6日，英飛凌在第三屆中國國際進口博覽會上宣布，將新增在華投資，擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。無錫工廠擴產(chǎn)后，將成為英飛凌最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。

11月7日消息，據(jù)外媒消息稱，臺積電可能已經(jīng)被批準可以向華為繼續(xù)供貨了，不過這有個情況，那就是供貨的貨源是被嚴格限制的，并不是恢復(fù)了所有。

報道中提到，臺積電獲得許可是 28nm 等成熟的工藝，不包括 16nm、10nm、7nm、5nm 這些先進的制程工藝，這也就意味著臺積電依舊不能為華為代工最新的麒麟 9000 處理器，這一處理器采用的是臺積電目前最先進的 5nm 工藝。

另外，像麒麟990、麒麟990 5G等7nm工藝芯片，臺積電也是不允許生產(chǎn)的。

對于這個情況，有行業(yè)人士表示，如果臺積電目前只是被允許上述條件跟華為供貨的話，那么對華為手機業(yè)務(wù)并沒有太多的意義。

之前有消息稱，在禁令開始前，華為已低調(diào)囤積了數(shù)月的 5G 基站核心芯片，至少到 2021 年都確?？捎谩?/p>

據(jù)靠近臺積電的知情人士爆料，臺積電自 2019 年底起開始擴大華為 5G 基站核心通訊芯片天罡的生產(chǎn)。在9月禁令生效前，臺積電應(yīng)華為要求共交付 200 多萬顆 7 nm 天罡芯片。訂單規(guī)模之大，一度讓臺積電高層質(zhì)疑是否低估了 5G 的全球需求。

知情人士稱，華為已告知三大運營商，其零部件仍可支持 2021 年及以后的基站建設(shè)。華為方面至少從去年年底就已經(jīng)開始交付未使用美國技術(shù)的 5G 基站。

英飛凌宣布最新在華投資計劃

11月6日，英飛凌在第三屆中國國際進口博覽會上宣布，將新增在華投資，擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。無錫工廠擴產(chǎn)后，將成為英飛凌最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。英飛凌將以更豐富的IGBT產(chǎn)品線，滿足快速增長的可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

IHS Markit的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，英飛凌是全球排名第一的IGBT供應(yīng)商。IGBT是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品。產(chǎn)品具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，是能源轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵钠骷?，被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”。IGBT可廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機傳動、汽車等強電控制產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

建成后的新生產(chǎn)制造中心將生產(chǎn)用于電動汽車的HybridPACK?雙面冷卻模塊，用于工業(yè)電機驅(qū)動、光伏及儲能等眾多工業(yè)應(yīng)用的Easy 1/2模塊和 1B/2B模塊，用于家電和工業(yè)等領(lǐng)域的CIPOS? Mini智能功率模塊 (IPM）等功率模塊器件。其中，HybridPACK?雙面冷卻模塊是英飛凌全新的IGBT產(chǎn)品，可應(yīng)用于混合動力及電動汽車的主逆變器和充放電。目前該模塊已成功用于全球多款插電式混動、電動汽車中。

英飛凌科技首席運營官Jochen Hanebeck表示:“中國在英飛凌的全球業(yè)務(wù)中占有重要的戰(zhàn)略地位。無錫工廠的升級擴能，不僅能進一步提升我們在中國的產(chǎn)能，而且還將幫助英飛凌鞏固其在全球IGBT業(yè)務(wù)發(fā)展中的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

英飛凌科技大中華區(qū)總裁蘇華博士說:“我們非常高興能夠在進博會上，與無錫市政府一起啟動英飛凌無錫IGBT生產(chǎn)項目。英飛凌在中國的成功發(fā)展，得益于中國持續(xù)良好的營商環(huán)境。今年也是英飛凌連續(xù)第三年參與進博會。正如***主席在進博會的主旨演講中所強調(diào)的，中國將堅定不移全面擴大開放。英飛凌也將憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品和服務(wù)，與我們在中國的合作伙伴一起，打造一個更加‘便利、安全和環(huán)保的世界’?！?br />
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