碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品提供飛躍的機(jī)遇。

碳化硅電力電子器件技術(shù)的進(jìn)步及產(chǎn)業(yè)化，將在高壓電力系統(tǒng)開辟全新應(yīng)用，對電力系統(tǒng)變革產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機(jī)節(jié)能、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、航天航空、石油勘探、自動(dòng)化、雷達(dá)與通信等領(lǐng)域有很大應(yīng)用潛力。

碳化硅電力電子器件介紹

1.碳化硅（SiC）的定義

碳化硅（SiC）電力電子器件是指采用第三代半導(dǎo)體材料SiC制造的一種寬禁帶電力電子器件，具有耐高溫、高頻、高效的特性。按照器件工作形式，SiC電力電子器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管、PiN二極管和超結(jié)二極管;功率開關(guān)管主要包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)開關(guān)管（MOSFET）、結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管（JFET）、雙極型開關(guān)管（BJT）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）和發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管（ETO）等。

2.技術(shù)優(yōu)勢

碳化硅半導(dǎo)體的優(yōu)異性能使得基于碳化硅的電力電子器件與硅器件相比具有以下突出的優(yōu)點(diǎn)：

（1）具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓（約50V）下，碳化硅器件的比導(dǎo)通電阻僅有1.12uΩ，是硅同類器件的約1/100。在高擊穿電壓（約5kV）下，比導(dǎo)通電阻提高到25.9mΩ，卻是硅同類器件的約1/300。更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗，從而能獲得更高的整機(jī)效率。

（2）具有更高的擊穿電壓。例如：商業(yè)化的硅肖特基二極管通常耐壓在300V以下，而首個(gè)商業(yè)化的碳化硅肖特基二極管的電壓定額就已經(jīng)達(dá)到了600V;首個(gè)商業(yè)化的碳化硅MOSFET電壓定額為1200V，而常用的硅MOSFET大多在1kV以下。

（3）更低的結(jié)-殼熱阻，使得器件的溫度上升更慢。

（4）更高的極限工作溫度，碳化硅的極限工作穩(wěn)定可有望達(dá)到600℃以上，而硅器件的最大結(jié)溫僅為150℃。

（5）更強(qiáng)的抗輻射能力，在航空等領(lǐng)域應(yīng)用可以減輕輻射屏蔽設(shè)備的重量。

（6）更高的穩(wěn)定性，碳化硅器件的正向和反向特性隨溫度的變化很小。

（7）更低的開掛損耗。碳化硅器件開關(guān)損耗小，在幾十千瓦功率等級(jí)能夠工作在硅器件難以實(shí)現(xiàn)的更高開關(guān)頻率（》20kHz）狀態(tài)。

3.主要分類

（1）碳化硅肖特基二極管

肖特基勢壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子注入和儲(chǔ)存，因而基本沒有反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。但是硅的肖特基勢壘較低，硅SBD的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低壓場合在電壓較高的場合通常采用PiN二極管，但其反向恢復(fù)電流較大，開關(guān)損耗大。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，制作反向擊穿電壓超過1000V的碳化硅SBD相對比較容易。

基于SiC的這些獨(dú)特優(yōu)勢，Cree等半導(dǎo)體器件商生產(chǎn)出單個(gè)器件電流等級(jí)1-20A，電壓等級(jí)為300V、600V和1200V的高壓SiC肖特基二極管產(chǎn)品，表1給出了目前國際上主要的碳化硅SBD制造商和其商業(yè)化器件的水平，其中Cree公司剛剛推出其最新的1700V電壓等級(jí)的碳化硅SBD。在高壓開關(guān)應(yīng)用中，SiC肖特基二極管能提供近乎理想的性能。它幾乎沒有正向恢復(fù)電壓，因而能夠立即導(dǎo)通，不同于結(jié)電容，它的儲(chǔ)存電荷也非常小，能迅速關(guān)斷。

（2）碳化硅功率晶體管

美國SemiSouth公司對碳化硅JFET進(jìn)行了深入的研究，是目前國際上商業(yè)化碳化硅JFET器件的主要供應(yīng)商，其SiCJFET產(chǎn)品的最高電壓定額達(dá)到1700V，最大電流定額為30A。

由于硅MOSFET的優(yōu)越特性和成功應(yīng)用，碳化硅MOSFET成為碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。美國的Cree公司率先在碳化硅MOSFET研究方面取得突破，推出了10A/1200V和20A/1200V兩款商業(yè)化的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，成為目前國際上唯一提供商業(yè)化分立碳化硅MOSFET的廠商。日本的羅姆公司也正在積極推進(jìn)其碳化硅MOSFET的商業(yè)化進(jìn)程。這些最初的SiCN溝道DMOSFET主要針對1200V的應(yīng)用場合，這個(gè)電壓等級(jí)SiCMOSFET比現(xiàn)在的Si器件具有更大的優(yōu)勢。

碳化硅器件的典型應(yīng)用

1.5G基建——通信電源

通信電源是服務(wù)器、基站通訊的能源庫，為各種傳輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行。碳化硅MOSFET的高頻特性使得電源電路中的磁性單元體積更小、重量更輕，電源整體效率更高；碳化硅肖特基二極管反向恢復(fù)幾乎為零的特性使其在許多PFC電路中具有廣闊的應(yīng)用前景。例如，在3kW高效通信電源無橋交錯(cuò)PFC電路中，使用650V/10A碳化硅肖特基二極管，可以幫助客戶實(shí)現(xiàn)滿載效率大于等于95%的高技術(shù)要求。

2.新能源汽車充電樁——充電樁電源模塊

新能源汽車行業(yè)的快速發(fā)展帶動(dòng)了充電柱的需求增長，對新能源電動(dòng)汽車而言，提升充電速度和降低充電成本是行業(yè)發(fā)展的兩大目標(biāo)。在充電樁電源模塊中使用碳化硅器件，可以實(shí)現(xiàn)充電樁電源模塊的高效化和高功率化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)充電速度的提升和充電成本的降低。

3.大數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)——服務(wù)器電源

服務(wù)器電源是服務(wù)器能源庫，服務(wù)器提供電能，保證服務(wù)器系統(tǒng)正常運(yùn)行。在服務(wù)器電源中使用碳化硅功率器件，可以提升服務(wù)器電源的功率密度和效率，整體上縮小數(shù)據(jù)中心的體積，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心整體建設(shè)成本的降低，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。例如，在3kW服務(wù)器電源模塊中，在圖騰柱PFC中使用碳化硅MOSFET可以顯著提升服務(wù)器電源的效率，實(shí)現(xiàn)更高的效率要求。

4．特高壓——應(yīng)用柔性輸電直流斷路器

特高壓作為大型系統(tǒng)工程，將催發(fā)從原材料和元器件等一系列的需求，而功率器件是輸電端特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)和變電端電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。直流斷路器作為柔性直流輸電的關(guān)鍵部分之一，其可靠性對整個(gè)輸電系統(tǒng)的穩(wěn)定性有著較大影響。使用傳統(tǒng)硅基器件設(shè)計(jì)直流斷路器需要多級(jí)子單元串聯(lián)，在直流斷路器中使用高電壓碳化硅器件可以大大減少串聯(lián)子單元數(shù)量，是行業(yè)研究的重點(diǎn)方向。

5.城際高鐵和城際軌道交通——牽引變流器、電力電子變壓器、輔助變流器、輔助電源

未來軌道交通對電力電子裝置，比如牽引變流器、電力電子電壓器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高這些裝置的功率密度和工作效率，將有助于明顯減輕軌道交通的載重系統(tǒng)。碳化硅器件可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備進(jìn)一步高效率化和小型化，在軌道交通方面具有巨大的技術(shù)優(yōu)勢。日本新干線N700S已經(jīng)率先在牽引變流器中使用碳化硅功率器件，大幅降低整車的重量，實(shí)現(xiàn)更高的運(yùn)載效率和降低運(yùn)營成本。
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