本文聚焦芯片CP 測試與FT 測試的核心區(qū)別，助力半導(dǎo)體測試工程師厘清二者差異。CP 測試是封裝前的晶圓裸晶集體初篩，借助探針卡接觸焊墊，聚焦核心功能，以低成本剔除缺陷品；FT 測試是封裝后的成品個(gè)體終檢，通過測試座連接引腳，在全溫域下全面驗(yàn)證性能參數(shù)，保障產(chǎn)品交付質(zhì)量。二者在測試階段、對象、目的及技術(shù)實(shí)現(xiàn)上截然不同，結(jié)合兩者數(shù)據(jù)可優(yōu)化芯片制造良率。

一、認(rèn)識(shí)米勒電容 如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。 其中： 輸入電容Ciss=Cgs+Cgd， 輸出電容Coss=Cgd+Cds， 反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。 然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會(huì)影響柵極和源極電容的充電。 二、理解米勒效應(yīng) 米勒效應(yīng)是指MOS管g、d的極間電容Crss在開關(guān)動(dòng)作期間引起的瞬態(tài)效應(yīng)。 可以看成是一個(gè)電容的負(fù)反饋。在驅(qū)動(dòng)前，Crss上是高電壓，當(dāng)驅(qū)動(dòng)波形上升到閾值電壓時(shí)，MOS管導(dǎo)通，d極電壓急劇下降，通過Crss拉低g腳驅(qū)動(dòng)電壓，如果驅(qū)動(dòng)功率不足，將在驅(qū)動(dòng)波形的上升沿閾值電壓附近留下一個(gè)階梯，如下圖。 有時(shí)甚至?xí)幸粋€(gè)下降尖峰趨勢平臺(tái)，而這個(gè)平臺(tái)增加了MOS管的導(dǎo)通時(shí)間，造成了我們通常所說的導(dǎo)通損耗。 三、MOS管的開通過程 ①t0—t1階段 這個(gè)過程中，驅(qū)動(dòng)電流ig為Cgs充電，Vgs上升，Vds和Id保持不變。一直到t1時(shí)刻，Vgs上升到閾值開啟電壓Vg（th）。在t1時(shí)刻以前，MOS處于截止區(qū)。 ②t1—t2階段 t1時(shí)刻，MOS管就要開始導(dǎo)通了，也就標(biāo)志著Id要開始上升了。這個(gè)時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動(dòng)電流仍然是為Cgs充電，Id逐漸上升，在上升的過程中Vds會(huì)稍微有一些下降，這是因?yàn)橄陆档膁i/dt在雜散電感上面形成一些壓降。 從t1時(shí)刻開始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變。 ③t2—t3階段 從t2時(shí)刻開始，進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)期，米勒平臺(tái)就是Vgs在一段時(shí)間幾乎維持不動(dòng)的一個(gè)平臺(tái)。此時(shí)漏電流Id最大。且Vgs的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)移給Cgd充電，Vgs出現(xiàn)了米勒平臺(tái)，Vgs電壓維持不變，然后Vds就開始下降了。 ④t3~t4階段 當(dāng)米勒電容Cgd充滿電時(shí)，Vgs電壓繼續(xù)上升，直至MOS管完全導(dǎo)通。 以上是MOS管開通的四個(gè)過程。 所以在米勒平臺(tái)，是Cgd充電的過程，這時(shí)候Vgs變化很小，當(dāng)Cgd和Cgs處在同等水平時(shí)，Vgs才開始繼續(xù)上升。 四、米勒效應(yīng)能避免嗎？ 由上面的分析可以看出米勒平臺(tái)是有害的，造成開啟延時(shí)，導(dǎo)致?lián)p耗嚴(yán)重。但因?yàn)镸OS管的制造工藝，一定會(huì)產(chǎn)生Cgd，也就是米勒電容一定會(huì)存在，所以米勒效應(yīng)不能避免。 目前減小 MOS 管米勒效應(yīng)的措施如下： 1. 提高驅(qū)動(dòng)電壓或者減小驅(qū)動(dòng)電阻，目的是增大驅(qū)動(dòng)電流，快速充電。但是可能因?yàn)榧纳姼袔碚鹗巻栴}； 2.ZVS 零電壓開關(guān)技術(shù)是可以消除米勒效應(yīng)的，即在 Vds 為 0 時(shí)開啟溝道，在大功率應(yīng)用時(shí)較多。

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