電子發(fā)燒友網報道(文/李誠)碳化硅與氮化鎵同屬于第三代半導體材料,均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅與氮化鎵相比,碳化硅的耐壓等級更高,可使用的平臺也更廣。尤其是在新能源汽車領域,碳化硅高效、耐高壓的特性被越來越多的車企認可,市場發(fā)展前景逐漸明朗。
在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國內外碳化硅產業(yè)發(fā)生的重大事件。
天岳先進躋身碳化硅襯底第一梯隊,首發(fā)過會并成功上市
天岳先進是國內碳化硅襯底領域的領軍企業(yè),據Yole統(tǒng)計,天岳先進在2019、2020年連續(xù)躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三,在襯底材料與產能方面均實現(xiàn)了自主可控。
2021年5月,獲得哈勃投資的天岳先進正式向上交所提交了科創(chuàng)板IPO申請。9月,天岳先進科創(chuàng)板IPO成功過會。今年1月21日,正式登陸科創(chuàng)板成功上市。

圖源:天岳先進
從2018至2020的營收與凈利潤來看,天岳先進的營收成逐年遞增的發(fā)展態(tài)勢,甚至在2019年實現(xiàn)了翻倍式的增長,但凈利潤卻出現(xiàn)了連年虧損,凈利潤由2018年的-0.43億元擴大到2020年的-6.42億元。
盡管如此,得益于碳化硅產業(yè)的大熱,以及碳化硅功率器件在電機驅動系統(tǒng)和快速充電站中高效、高功率密度的表現(xiàn)。在天岳先進披露的認購名單中出現(xiàn)了廣汽資本的廣祺柒號、上汽集團、小鵬汽車等眾多車企的身影,甚至吸引來了新加坡最大的國際投資機構(新加坡政府投資公司)的垂愛。上市首日股價上漲了3.27%,市值367.40億元。
博世碳化硅芯片啟動量產計劃
經過多年的研發(fā),以及長時間的產品驗證,博世已經具備了碳化硅芯片大規(guī)模量產的能力,2021年12月,博世通過官網宣布正式開啟碳化硅芯片的大規(guī)模量產計劃。其實,博世在2021年初就已經生產并為特定用戶提供用于驗證的碳化硅芯片,也因此獲得了大量碳化硅芯片訂單。據博世官方表示,目前已經開始著手于研發(fā)能夠滿足更高功率密度應用的第二代碳化硅功率器件,預計將會在2022年實現(xiàn)量產。

圖源:博世
碳化硅功率器件在新能源汽車領域應用的優(yōu)勢愈發(fā)明顯,市場需求不斷攀升,博世于2021年開始增建1000平方米的200mm晶圓生產無塵車間,意圖通過大尺寸晶圓,提升同一生產周期內芯片的生產數量,增加產能。該生產車間已于去年9月實現(xiàn)投產,200mm晶圓產能提升10%。預計到2023年底,博世還會新建一個3000平方米的無塵生產車間,持續(xù)擴大博世碳化硅功率器件的產能。
ST成功制出200mm碳化硅晶圓
近年來芯片短缺的問題限制了眾多產業(yè)的發(fā)展,提高產能已成為了上游芯片廠商的主要目標。2021年7月,ST宣布位于瑞典北雪平的200mm晶圓工廠,成功下線首批200mm的碳化硅晶圓片。200mm的晶圓與此前的150mm晶圓在可用面積上提升近一倍,這也就意味著,ST的碳化硅芯片產能也得到了進一步擴大。
在產品良率方面,憑借著ST在碳化硅領域多年的經驗積累,很好地規(guī)避了碳化硅硬度高且脆而帶來高制備損耗的問題,ST的首批200mm碳化硅晶圓良率極高,芯片合格數量達到了150mm碳化硅晶圓的1.8 - 1.9 倍,隨著產能的擴大,ST的市場經濟效益也會得到進一步的提升。
基本半導體車規(guī)級碳化硅產線落成
汽車電氣化的快速普及,功率器件成為最大的受益者,作為高效、高壓代表碳化的硅功率器件市場需求異常旺盛。2021年12月,國內碳化硅企業(yè)基本半導體傳來好消息,基本半導體位于無錫市的車規(guī)級碳化硅功率模塊產線正式開通,也迎來了首批碳化硅功率模塊的下線。

圖源:基本半導體
據悉,這是國內首條車規(guī)級碳化硅功率模塊專用生產線。為滿足車規(guī)級碳化硅功率器件的生產要求和提升產品的品質與性能,基本半導體為該產線導入了車規(guī)級碳化硅專用的封裝設備,實現(xiàn)了功率模塊在使用壽命、電流流通量、散熱性能的大幅度提升。同時該產線還是一條數字化、智能化的生產線,通過全自動化的生產流程,進一步提升了碳化硅功率模塊的生產效率與一致性。
該產線將于今年3月開始小批量的試生產,年中實現(xiàn)產能交付,首年碳化硅功率模塊計劃產能在25萬只左右,預計將會在2025年之前完成年產能150萬只的目標?;景雽w的前瞻部署,有利于緩解車規(guī)級芯片緊缺的問題,助力“雙碳”目標的實現(xiàn)。
韓國最大無晶圓廠收購LG碳化硅業(yè)務
自2019年開始,LG Innotek的碳化硅業(yè)務一直被作為國家級的產業(yè)項目發(fā)展,因此LG Innotek在碳化硅生產、制備技術方面有一定的經驗積累。LX Semicon同屬于LG集團的控股公司,LCD驅動芯片為該公司的主要營收來源,受韓國國內LCD市場動蕩影響,LX Semicon危機感十足。為擺脫這一僵局,LX Semicon試圖通過布局SiC半導體市場獲得新的營收增長。對收購LG Innotek SiC資產后的商業(yè)計劃,LX Semicon相關負責人稱“是為了強化碳化硅半導體研發(fā)”
積塔完成80億融資,發(fā)力碳化硅
11月30日,積塔半導體對外宣稱已完成了80億人民幣戰(zhàn)略融資,本輪融資吸引了上汽集團旗下尚頎資本、匯川技術、創(chuàng)維投資、小米長江基金等資本的支持。據積塔半導體表示,該輪融資主要用于車規(guī)級電源管理芯片、IGBT和碳化硅功率器件等方向的研發(fā),進一步提升積塔半導體在汽車電子領域的產能,進一步鞏固積塔半導體在車規(guī)級芯片領域的制造優(yōu)勢,緩解目前汽車芯片產能的困境。
同時,積塔半導體在臨港芯片區(qū)的6英寸碳化硅產線已于2020年順利投產,月產能可達5000片。
三安半導體:國內首條碳化硅垂直整合生產線投產
2021年6月,湖南三安半導體的6英寸碳化硅產線點亮投產,該產線是國內首條碳化硅垂直整合生產線,提供從襯底、外延、晶圓代工、裸芯粒直至分立器件的靈活多元合作方式,該產線的建成能夠讓三安半導體在碳化硅領域,充分保證產品的優(yōu)質性和交付的時效性。加速了上游Fabless芯片設計企業(yè)的產品驗證與迭代,縮短了下游終端產品的上市周期。有利于推動我國碳化硅的產業(yè)規(guī)?;l(fā)展。
三安半導體的6英寸碳化硅產線項目總投資160億元,規(guī)劃用地達1000畝,碳化硅晶圓月產能在30000片左右。
CREE更名Wolfspeed專注碳化硅
2021年10月,CREE正式更名Wolfspeed,并于10月4日在納斯達克交易所將原本的“CREE”股票代號更換為“WOLF”。

圖源:Wolfspeed
10月8日,Wolfspeed官方發(fā)布的推文中提到,Wolfspeed經歷了4年的產業(yè)轉型,最終剝離了原先占比近2/3的業(yè)務,并將碳化硅作為公司戰(zhàn)略發(fā)展的核心。Wolfspeed這一名字在該公司的碳化硅產品中已經延續(xù)使用六年,此次更名也意味著Wolfspeed將會更加專注碳化硅技術的研發(fā)。在正式更名當天,Wolfspeed還與通用汽車達成了碳化硅戰(zhàn)略供應協(xié)議,為通用汽車提供更節(jié)能的碳化硅產品,延長電動汽車的續(xù)航里程,推動新能源汽車產業(yè)的發(fā)展。
Wolfspeed在碳化硅領域有著垂直一體化的產業(yè)布局,其中碳化硅襯底占據市場總額的60%。據Wolfspeed披露,該公司位于MohawkValley的全球最大8英寸碳化硅晶圓廠有望在今年實現(xiàn)量產,屆時產能的釋放有望能夠緩解SiC功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴張的問題,加速碳化硅在新能源汽車領域的滲透。
正海集團與羅姆就成立合資公司達成協(xié)議,大力發(fā)展碳化硅
2021年10月,正海集團與功率半導體龍頭企業(yè)正式簽署合資協(xié)議,根據協(xié)議規(guī)定,正海集團和羅姆半導體將會合資成立上海海姆??瓢雽w有限公司,在股權出資方面正海集團出資80%、羅姆出資20%,正海集團由100%控股權。

電子發(fā)燒友網攝
據介紹,海姆??浦鳡I業(yè)務為新能源汽車碳化硅功率模塊業(yè)務,包括產品的開發(fā)、設計、制造和銷售。羅姆與正海集團的合作,主要是為了將羅姆在碳化硅領域芯片與模塊的先進工藝與正海集團在逆變器領域額開發(fā)技術進行整合,致力于開發(fā)出更高效車用碳化硅模塊,力爭在碳化硅功率模塊領域成為中國第一。
據電子發(fā)燒友網獲悉,海姆??菩麻_發(fā)的碳化硅功率模塊已獲得新能源車企應用于高端車型的訂單。在產能方面,海姆??频奶蓟韫β誓K前期將會在羅姆的日本工廠進行小批量的生產,到2023年交由上海閔行工廠開始大批量生產。
安森美斥4.15億美元收購GTAT
2021年8月 ,安森美與GTAT達成最終協(xié)議,安森美將以4.15億美元收購GTAT,延伸安森美的碳化硅版圖,該收購項目預計將于2022年上半年完成。
GTAT是碳化硅的主要供應商,在制造碳化硅和藍寶石材料,以及碳化硅晶體生長方面有用著豐富的經驗積累。此次收購對于安森美而言是一次戰(zhàn)略性垂直整合,安森美在收購GTAT之前,大部分用于芯片生產的碳化硅晶圓均由外部采購而來,完成收購后,安森美不會再因供應鏈產能緊張的問題而影響產品的交付。充足的資源平臺,進一步推動了安森美在碳化硅領域的差異化和領先地位。
同時,安森美還計劃加大GATA在碳化硅領域的研發(fā)力度,進而推進150mm和200mm SiC晶體生長技術,擴大碳化硅產能,盡可能地降低安森美發(fā)展碳化硅受到的產能限制。
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