博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及分銷商，產(chǎn)品形式包括裸片和多種標(biāo)準(zhǔn)封裝的分立器件。此外，博世能夠?yàn)榭蛻籼峁└叨褥`活的方案，能夠根據(jù)其在芯片布局、電氣性能和工藝等方面的具體需求，定制碳化硅芯片解決方案。

歡迎探索博世的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，體驗(yàn)我們的創(chuàng)新技術(shù)賦能高功率應(yīng)用、實(shí)現(xiàn)卓越性能。

博世碳化硅明星產(chǎn)品

裸片

博世碳化硅功率裸片包含750V，1200V，1500V，1700V電壓等級(jí)的產(chǎn)品，分別適用于400V，800V，1000V，1300V系統(tǒng)電壓的應(yīng)用場(chǎng)景，如逆變器。無論是裸片版本還是封裝版本，均具備較低的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，支持更高的開關(guān)頻率，助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率和更緊湊的設(shè)計(jì)。同時(shí)，博世積極布局新產(chǎn)品：鍍銅芯片逐步進(jìn)入客戶送樣階段，嵌入式PCB模塊預(yù)研進(jìn)行中。

分立器件

博世碳化硅功率分立器件包含750V和1200V電壓等級(jí)的產(chǎn)品，適用于分別為400V和800V系統(tǒng)電壓的應(yīng)用場(chǎng)景，封裝版本專為車載充電機(jī)、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及（混合）電動(dòng)汽車的逆變器等高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其堅(jiān)固可靠的特性可有效降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，并支持更高的開關(guān)頻率。

博世DSL分立器件采用了先進(jìn)的基板技術(shù)，包括AMB和Si3N4，以提供卓越的性能。封裝尺寸經(jīng)過設(shè)計(jì)，確保兼容性，采用背面裸露焊盤以及與準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格對(duì)齊的電源和信號(hào)連接。信號(hào)連接器采用共柵控制（邏輯開關(guān)）進(jìn)行簡易集成，且通過選擇性焊接引腳和鍍層實(shí)現(xiàn)。除此之外，電源連接器配備了改進(jìn)的焊接端子，減少模塊的寄生電感并支持更高的電流。

功率模塊

01緊湊型碳化硅功率模塊CSL

博世碳化硅功率模塊CSL涵蓋了電動(dòng)汽車大眾市場(chǎng)的主要需求。憑借可擴(kuò)展的功率范圍，博世CSL功率模塊提供了最大的靈活性：800V母線電壓下，電流范圍可以覆蓋410Arms-500Arms；400V母線電壓下，電流范圍可覆蓋640Arms-800Arms。該產(chǎn)品具備較小的雜散電感（<6nH），以及較好的均流能力（一個(gè)橋臂上不同芯片溫度差可控制在3℃以內(nèi)），性能領(lǐng)先市場(chǎng)。同時(shí)，模塊內(nèi)部搭載的博世碳化硅MOSFET可有效降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，并支持更高的開關(guān)頻率。

02碳化硅功率模塊PM6

博世碳化硅功率模塊PM6在最小體積下實(shí)現(xiàn)了最大功率密度。該多功能平臺(tái)支持多種性能變種，具備出色的可靠性。該模塊采用博世第二代碳化硅芯片，顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，提升RDS(on)性能。通過創(chuàng)新的無鍵合、無焊接AIT設(shè)計(jì)，位于主電流路徑中，具備低電阻和可靠的夾層結(jié)構(gòu)，陶瓷基板覆蓋上下兩面。AMB直接焊接至散熱器，具有低熱阻并兼容標(biāo)準(zhǔn)門驅(qū)動(dòng)器。通過CTE2匹配的AIT結(jié)構(gòu)，PM6支持更大溫度變化范圍，進(jìn)一步提升整體可靠性與功率密度。產(chǎn)品尺寸小，重量輕，除了汽車端客戶，目前此產(chǎn)品也深受低空經(jīng)濟(jì)客戶喜愛。

博世已深耕碳化硅領(lǐng)域二十余年，憑借深厚的研發(fā)積淀與系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)，持續(xù)引領(lǐng)碳化硅技術(shù)的創(chuàng)新與規(guī)?；涞?。我們深耕中國市場(chǎng)，攜手本地伙伴共建安全高效的合作網(wǎng)絡(luò)，以前沿科技推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的綠色發(fā)展。