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東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率

東芝半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:東芝半導(dǎo)體 ? 作者:東芝半導(dǎo)體 ? 2022-04-01 09:12 ? 次閱讀
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源,其中包括數(shù)據(jù)中心電源通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對(duì)新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項(xiàng)電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外,開(kāi)關(guān)操作時(shí)漏極和源極之間的尖峰電壓降低,有助于減少開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾(EMI)。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance(N)這兩種類(lèi)型的表面貼裝封裝。

與此同時(shí),東芝還提供各類(lèi)工具,為開(kāi)關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)提供支持。除了能快速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型,現(xiàn)在還提供能精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線,通過(guò)減少損耗提高設(shè)備電源效率,進(jìn)而幫助其降低功耗。

應(yīng)用

通信設(shè)備電源

開(kāi)關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

特性

優(yōu)異的低損耗特性(在導(dǎo)通電阻和柵開(kāi)關(guān)電荷及輸出電荷間取得平衡)

卓越的導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V

高額定結(jié)溫:Tch(最大值)=175℃

主要規(guī)格

(除非另有說(shuō)明,@Ta=25℃)

63ebe38a-b125-11ec-aa7f-dac502259ad0.png

注:

[1] 截至2022年3月的東芝調(diào)查。

[2] 柵極開(kāi)關(guān)電荷和輸出電荷。

[3] 與現(xiàn)有產(chǎn)品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H系列)相比,該產(chǎn)品將漏源導(dǎo)通電阻×柵開(kāi)關(guān)電荷提高了大約20%,漏源導(dǎo)通電阻×輸出電荷提高了大約28%。

關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新,為客戶(hù)和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司23,100名員工遍布世界各地,致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶(hù)的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng),共同開(kāi)拓新市場(chǎng),公司現(xiàn)已擁有超過(guò)7,110億日元(62億美元)的年銷(xiāo)售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。

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原文標(biāo)題:東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率

文章出處:【微信號(hào):toshiba_semicon,微信公眾號(hào):東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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