隨著新能源汽車電驅系統(tǒng)與電池管理（BMS）對高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導體技術正面臨新一輪革新。為應對市場對更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，龍騰半導體正式推出新一代150V G3平臺屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET產品— LSGT15R032。該產品憑借3.25mΩ的超低導通電阻與279A的強大電流能力，成為高端BMS、電驅及DC-DC轉換應用領域的性能新標桿。

產品核心參數(shù)

產品核心特點

1極致低阻設計，能效全面躍升

采用先進的G3代屏蔽柵溝槽技術，在150V電壓等級下實現(xiàn)了3.25mΩ的業(yè)界領先導通電阻，較上一代G2平臺產品（4.0mΩ）顯著降低。這意味著在相同電流下的導通損耗大幅減少，直接提升系統(tǒng)整體效率，并降低溫升。

2超強電流承載，功率輸出澎湃

在25°C殼溫下，連續(xù)漏極電流高達279A，脈沖電流能力更達到1116A。強大的電流處理能力使其能夠從容應對電驅啟動、BMS主回路開關等場景中的瞬時大電流沖擊，系統(tǒng)可靠性與魯棒性倍增。

3卓越堅固性能，穩(wěn)定可靠運行

產品保證100%雪崩能量（EAS）測試，額定雪崩能量高達1600mJ，具備優(yōu)異的抗反向恢復和短路能力。TOLL封裝提供了極低的0.26°C/W結到殼熱阻，確保芯片熱量能夠快速導出，滿足高可靠性應用要求。

4精準聚焦應用，性能量身定制

此產品專為對靜態(tài)損耗和通態(tài)能力要求嚴苛的BMS（電池管理系統(tǒng)）與電機驅動領域優(yōu)化。相較于前一代(G2)產品，在靜態(tài)性能上優(yōu)勢明顯。

注：數(shù)據(jù)來源于龍騰實驗室實測

產品典型應用

BMS

電機驅動

DC-DC轉換器

同步整流SR

不間斷電源UPS