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STM32的GPIO介紹

STM32嵌入式開(kāi)發(fā) ? 來(lái)源:STM32嵌入式開(kāi)發(fā) ? 作者:STM32嵌入式開(kāi)發(fā) ? 2022-04-28 10:38 ? 次閱讀
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STM32的GPIO介紹

GPIO是通用輸入/輸出端口的簡(jiǎn)稱,是STM32可控制的引腳。GPIO的引腳與外部硬件設(shè)備連接,可實(shí)現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)據(jù)的功能。

STM32F103ZET6芯片為144腳芯片,包括7個(gè)通用目的的輸入/輸出口(GPIO)組,分別為GPIOA、GPIOB、GPIOC、GPIOD、GPIOE、GPIOF、GPIOG,同時(shí)每組GPIO口組有16個(gè)GPIO口。通常簡(jiǎn)略稱為PAx、PBx、PCx、PDx、PEx、PFx、PGx,其中x為0-15。

STM32的大部分引腳除了當(dāng)GPIO使用之外,還可以復(fù)用為外設(shè)功能引腳(比如串口),這部分在【STM32】STM32端口復(fù)用和重映射(AFIO輔助功能時(shí)鐘)中有詳細(xì)的介紹。

GPIO基本結(jié)構(gòu)

每個(gè)GPIO內(nèi)部都有這樣的一個(gè)電路結(jié)構(gòu),這個(gè)結(jié)構(gòu)在本文下面會(huì)具體介紹。

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電路圖分析

保護(hù)二極管:IO引腳上下兩邊兩個(gè)二極管用于防止引腳外部過(guò)高、過(guò)低的電壓輸入。當(dāng)引腳電壓高于VDD時(shí),上方的二極管導(dǎo)通;當(dāng)引腳電壓低于VSS時(shí),下方的二極管導(dǎo)通,防止不正常電壓引入芯片導(dǎo)致芯片燒毀。但是盡管如此,還是不能直接外接大功率器件,須加大功率及隔離電路驅(qū)動(dòng),防止燒壞芯片或者外接器件無(wú)法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管組成的單元電路使得GPIO具有“推挽輸出”和“開(kāi)漏輸出”的模式。這里的電路會(huì)在下面很詳細(xì)地分析到。
TTL肖特基觸發(fā)器:信號(hào)經(jīng)過(guò)觸發(fā)器后,模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為0和1的數(shù)字信號(hào)。但是,當(dāng)GPIO引腳作為ADC采集電壓的輸入通道時(shí),用其“模擬輸入”功能,此時(shí)信號(hào)不再經(jīng)過(guò)觸發(fā)器進(jìn)行TTL電平轉(zhuǎn)換。ADC外設(shè)要采集到的原始的模擬信號(hào)。
這里需要注意的是,在查看《STM32中文參考手冊(cè)V10》中的GPIO的表格時(shí),會(huì)看到有“FT”一列,這代表著這個(gè)GPIO口時(shí)兼容3.3V和5V的;如果沒(méi)有標(biāo)注“FT”,就代表著不兼容5V。

STM32的GPIO工作方式

GPIO支持4種輸入模式(浮空輸入、上拉輸入、下拉輸入、模擬輸入)和4種輸出模式(開(kāi)漏輸出、開(kāi)漏復(fù)用輸出、推挽輸出、推挽復(fù)用輸出)。同時(shí),GPIO還支持三種最大翻轉(zhuǎn)速度(2MHz、10MHz、50MHz)。每個(gè)I/O口可以自由編程,但I(xiàn)/O口寄存器必須按32位字被訪問(wèn)。

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GPIO的八種工作方式

浮空輸入模式(浮空輸入模式下,I/O端口的電平信號(hào)直接進(jìn)入輸入數(shù)據(jù)寄存器。也就是說(shuō),I/O的電平狀態(tài)是不確定的,完全由外部輸入決定;如果在該引腳懸空(在無(wú)信號(hào)輸入)的情況下,讀取該端口的電平是不確定的。)

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上拉輸入模式(上拉輸入模式下,I/O端口的電平信號(hào)直接進(jìn)入輸入數(shù)據(jù)寄存器。但是在I/O端口懸空(在無(wú)信號(hào)輸入)的情況下,輸入端的電平可以保持在高電平;并且在I/O端口輸入為低電平的時(shí)候,輸入端的電平也還是低電平。)

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下拉輸入模式(下拉輸入模式下,I/O端口的電平信號(hào)直接進(jìn)入輸入數(shù)據(jù)寄存器。但是在I/O端口懸空(在無(wú)信號(hào)輸入)的情況下,輸入端的電平可以保持在低電平;并且在I/O端口輸入為高電平的時(shí)候,輸入端的電平也還是高電平。)

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模擬輸入模式(模擬輸入模式下,I/O端口的模擬信號(hào)(電壓信號(hào),而非電平信號(hào))直接模擬輸入到片上外設(shè)模塊,比如ADC模塊等等。)

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開(kāi)漏輸出模式(開(kāi)漏輸出模式下,通過(guò)設(shè)置位設(shè)置/清除寄存器或者輸出數(shù)據(jù)寄存器的值,途經(jīng)N-MOS管,最終輸出到I/O端口。這里要注意N-MOS管,當(dāng)設(shè)置輸出的值為高電平的時(shí)候,N-MOS管處于關(guān)閉狀態(tài),此時(shí)I/O端口的電平就不會(huì)由輸出的高低電平?jīng)Q定,而是由I/O端口外部的上拉或者下拉決定;當(dāng)設(shè)置輸出的值為低電平的時(shí)候,N-MOS管處于開(kāi)啟狀態(tài),此時(shí)I/O端口的電平就是低電平。同時(shí),I/O端口的電平也可以通過(guò)輸入電路進(jìn)行讀??;注意,I/O端口的電平不一定是輸出的電平。)

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開(kāi)漏復(fù)用輸出模式(開(kāi)漏復(fù)用輸出模式,與開(kāi)漏輸出模式很是類似。只是輸出的高低電平的來(lái)源,不是讓CPU直接寫(xiě)輸出數(shù)據(jù)寄存器,取而代之利用片上外設(shè)模塊的復(fù)用功能輸出來(lái)決定的。)

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推挽輸出模式(推挽輸出模式下,通過(guò)設(shè)置位設(shè)置/清除寄存器或者輸出數(shù)據(jù)寄存器的值,途經(jīng)P-MOS管和N-MOS管,最終輸出到I/O端口。這里要注意P-MOS管和N-MOS管,當(dāng)設(shè)置輸出的值為高電平的時(shí)候,P-MOS管處于開(kāi)啟狀態(tài),N-MOS管處于關(guān)閉狀態(tài),此時(shí)I/O端口的電平就由P-MOS管決定:高電平;當(dāng)設(shè)置輸出的值為低電平的時(shí)候,P-MOS管處于關(guān)閉狀態(tài),N-MOS管處于開(kāi)啟狀態(tài),此時(shí)I/O端口的電平就由N-MOS管決定:低電平。同時(shí),I/O端口的電平也可以通過(guò)輸入電路進(jìn)行讀?。蛔⒁?,此時(shí)I/O端口的電平一定是輸出的電平。)

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推挽復(fù)用輸出模式(推挽復(fù)用輸出模式,與推挽輸出模式很是類似。只是輸出的高低電平的來(lái)源,不是讓CPU直接寫(xiě)輸出數(shù)據(jù)寄存器,取而代之利用片上外設(shè)模塊的復(fù)用功能輸出來(lái)決定的。)

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什么是推挽結(jié)構(gòu)和推挽電路?

推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOS管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制,總是在一個(gè)三極管或MOS管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止。高低電平由輸出電平?jīng)Q定。

推挽電路是兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)。電路工作時(shí),兩只對(duì)稱的功率開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通,所以導(dǎo)通損耗小、效率高。輸出既可以向負(fù)載灌電流,也可以從負(fù)載抽取電流。推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,又提高開(kāi)關(guān)速度。

開(kāi)漏輸出和推挽輸出的區(qū)別?

開(kāi)漏輸出:只可以輸出強(qiáng)低電平,高電平得靠外部電阻拉高。輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi));

推挽輸出:可以輸出強(qiáng)高、低電平,連接數(shù)字器件。

關(guān)于推挽輸出和開(kāi)漏輸出,最后用一幅最簡(jiǎn)單的圖形來(lái)概括:

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該圖中左邊的便是推挽輸出模式,其中比較器輸出高電平時(shí)下面的PNP三極管截止,而上面NPN三極管導(dǎo)通,輸出電平VS+;當(dāng)比較器輸出低電平時(shí)則恰恰相反,PNP三極管導(dǎo)通,輸出和地相連,為低電平。右邊的則可以理解為開(kāi)漏輸出形式,需要接上拉。

STM32中的I/O模式

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審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:STM32中GPIO工作原理詳解

文章出處:【微信號(hào):c-stm32,微信公眾號(hào):STM32嵌入式開(kāi)發(fā)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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