華為p50e最新曝光 性能如何
華為在3月24號正式推出了華為P50E手機新品，華為P50E繼續(xù)沿用了華為P系列高端美學設(shè)計，是一款直屏旗艦機。
華為P50E手機采用6.5英寸的中間孔設(shè)計的顯示屏，延續(xù)了P50家族的經(jīng)典萬象雙環(huán)設(shè)計。華為P50E手機共有星河藍、雪域白、曜金黑和可可茶金四個選擇顏色。
華為P50E前置攝像頭1300萬像素鏡頭，后攝則繼續(xù)延用P50的5000萬像素主攝+1300萬像素超廣角鏡頭+1200萬像素長焦鏡頭，同時配備全新OIS光學防抖技術(shù)。
華為P50E搭載高通驍龍778G 4G處理器；內(nèi)置電池容量4100mAh，支持66W有線快充；支持IP68級別防塵抗水；出廠預(yù)裝了鴻蒙HarmonyOS 2系統(tǒng)。
綜合快科技和太平洋電腦網(wǎng)整合
審核編輯：郭婷
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
20323瀏覽量
254653 -
華為
+關(guān)注
關(guān)注
218文章
36162瀏覽量
262625
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
SPC560P44Lx/SPC560P50Lx：汽車底盤與安全應(yīng)用的高性能MCU
SPC560P44Lx/SPC560P50Lx：汽車底盤與安全應(yīng)用的高性能MCU 在當今的汽車電子領(lǐng)域，微控制器（MCU）的性能和功能對于實現(xiàn)先進的底盤和安全應(yīng)用至關(guān)重要。SPC560
探索 FL SWITCH 4800E - P5 電源模塊：性能與特性解析
探索 FL SWITCH 4800E - P5 電源模塊：性能與特性解析 在電子工程領(lǐng)域，電源模塊的性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 FL SWITC
NTTFD1D8N02P1E：高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選
NTTFD1D8N02P1E：高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵元件，其性能對整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入了解一款來自
Onsemi NTTFS1D2N02P1E MOSFET：高性能與緊湊設(shè)計的完美結(jié)合
Onsemi NTTFS1D2N02P1E MOSFET：高性能與緊湊設(shè)計的完美結(jié)合 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各種電源
深入解析NTTFSS1D1N02P1E：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
深入解析NTTFSS1D1N02P1E：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討一款高性
DS28E50：安全認證領(lǐng)域的新利器
Integrated推出的DS28E50安全認證器，憑借其獨特的技術(shù)和卓越的性能，為安全認證領(lǐng)域帶來了新的解決方案。 文件下載： DS28E50Q+T.pdf 一、DS28E50概述
探索FQD3P50 P溝道MOSFET：性能、特性與應(yīng)用
探索FQD3P50 P溝道MOSFET：性能、特性與應(yīng)用 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天，我們將深入探討安森美
FQP3P50 P-Channel QFET? MOSFET深度解析
的零件編號需要更改，將Fairchild零件編號中的下劃線（_）改為破折號（-）。我們今天要詳細探討的是FQP3P50 P-Channel QFET? MOSFET，這是一款性能卓越的功率MOSFET
深入解析Onsemi FQD3P50 P溝道MOSFET
深入解析Onsemi FQD3P50 P溝道MOSFET 引言 在電子設(shè)計的世界里，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。Onsemi的FQD3P50 P溝道MOSFET以其卓越的
AWR2944P/AWR2E44P等雷達傳感器芯片詳解
AWR2944P/AWR2E44P等雷達傳感器芯片詳解 在汽車雷達應(yīng)用領(lǐng)域，高精度、高性能的傳感器是實現(xiàn)智能駕駛功能的關(guān)鍵。TI推出的AWR2944P、AWR2
DRV8424E/P、DRV8425E/P雙H橋電機驅(qū)動器技術(shù)解析
、DRV8425E/P雙H橋電機驅(qū)動器憑借其出色的性能和特性，在眾多應(yīng)用場景中得到了廣泛應(yīng)用。本文將深入剖析這兩款電機驅(qū)動器的特點、應(yīng)用及設(shè)計要點，為電子工程師們提供全面的參考。 文件下載
DRV8434E/P雙H橋電機驅(qū)動器：高性能驅(qū)動方案解析
DRV8434E/P雙H橋電機驅(qū)動器：高性能驅(qū)動方案解析 作為電子工程師，在電機驅(qū)動設(shè)計領(lǐng)域中，不斷尋求高性能、高集成度且兼具可靠性的解決方案是我們的重要目標。今天，就來深入探討德州儀
DRV8428E/P：高性能雙H橋電機驅(qū)動的卓越之選
DRV8428E/P：高性能雙H橋電機驅(qū)動的卓越之選 在電機驅(qū)動領(lǐng)域，一款性能卓越、功能豐富的驅(qū)動芯片能為設(shè)計帶來極大的便利與優(yōu)勢。今天，我們就來深入了解一下德州儀器（TI）推出的DR
深入解析DRV8424E/P與DRV8425E/P：雙H橋電機驅(qū)動的理想之選
深入解析DRV8424E/P與DRV8425E/P：雙H橋電機驅(qū)動的理想之選 在工業(yè)應(yīng)用的電機驅(qū)動領(lǐng)域，雙H橋電機驅(qū)動器一直是實現(xiàn)高效、精確控制的關(guān)鍵組件。今天，我們就來深入剖析德州儀
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強型器件的深度解析
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強型器件的深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的電子元件，在各類電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用
評論