芯片
華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造
發(fā)布于 :2025年09月23日 15:23:19
流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠,正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證,標(biāo)志著中國(guó)大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國(guó)際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)
發(fā)表于 08-04 15:22
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的問題,還存在工藝復(fù)雜度大幅增加的瓶頸。而納米壓印技術(shù)憑借其在高分辨率加工、低成本生產(chǎn)以及高量產(chǎn)效率等方面的顯著優(yōu)勢(shì),正逐步成為下一代微納制造領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。 (注:圖片來源于網(wǎng)絡(luò)) 一、納米壓?。?b class='flag-5'>芯片制造領(lǐng)域的
發(fā)表于 06-19 10:05
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”
除了優(yōu)異的導(dǎo)電性能,低溫納米燒結(jié)銀漿對(duì)各種基材的優(yōu)良粘附性也是提升指紋模組靈敏度的重要因素。在指紋模組中,銀漿需要與傳感器芯片、基板等多個(gè)部件緊密連接,確保整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
低溫納米燒結(jié)銀
發(fā)表于 05-22 10:26
隨著科技的不斷進(jìn)步,全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段,2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期,臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米
發(fā)表于 03-25 11:25
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10納米甚至更小。這種技術(shù)進(jìn)步使得每個(gè)芯片可以容納更多的器件,從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的運(yùn)算能力、更高的存儲(chǔ)容量以及更快的運(yùn)行速度。
發(fā)表于 03-04 09:43
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在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域,互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來,隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展,納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù),備受業(yè)界關(guān)注。然而,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中
發(fā)表于 02-24 11:17
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數(shù)值孔徑 EUV 光刻中的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化,縮小至 3 納米及以下,這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個(gè) 21 世紀(jì),這種令人難以置信的縮小趨勢(shì)(從 90 納米到 7 納米及更小
發(fā)表于 01-22 14:06
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芯片
芯廣場(chǎng)
發(fā)布于 :2025年01月15日 17:45:07
近日,據(jù)最新報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電已正式在美國(guó)亞利桑那州的工廠啟動(dòng)了先進(jìn)的4納米芯片的生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)市場(chǎng)的進(jìn)一步拓展,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 1月11
發(fā)表于 01-13 14:42
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本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會(huì)中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體,這一類獨(dú)特的納米材料,預(yù)計(jì)將在液晶顯示器、發(fā)光二極管、激光器等新一代設(shè)備中發(fā)
發(fā)表于 01-13 09:10
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近日,據(jù)日媒報(bào)道,日本半導(dǎo)體新興企業(yè)Rapidus正與全球知名芯片制造商博通(Broadcom)展開合作,共同致力于2納米尖端芯片的量產(chǎn)。Rapidus計(jì)劃在今年6月向博通提供試產(chǎn)芯片
發(fā)表于 01-10 15:22
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來源:John Boyd IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) 9月,佳能交付了一種技術(shù)的首個(gè)商業(yè)版本,該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進(jìn)硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱為納米壓印光刻技術(shù)(NIL
發(fā)表于 01-09 11:31
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介紹
在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1]
耦合器由高折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]
錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
發(fā)表于 01-08 08:51
本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談?wù)?b class='flag-5'>7納米工藝之前,我
發(fā)表于 12-17 11:32
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評(píng)論