自SiC材料憑借其更優(yōu)的溫度穩(wěn)定性，更高的功率密度和更高的耐壓為特斯拉所采用之后，各汽車廠商為了提高續(xù)航里程以及能量效率越來(lái)越多的跟進(jìn)使用SiC芯片構(gòu)成的能量管理系統(tǒng)。此舉推動(dòng)了SiC功率器件/模塊在越來(lái)越多的應(yīng)用場(chǎng)景中取代Si基功率芯片，同時(shí)也為其發(fā)展出更多的機(jī)會(huì)應(yīng)用在新場(chǎng)景中。

目前針對(duì)SiC的研究已相當(dāng)深入，仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力，本文對(duì)此再做一個(gè)簡(jiǎn)要介紹。如圖1所示，相較于Si基材料，SiC與SiO2柵氧層界面缺陷密度更高，SiC早期失效、非本征失效(虛線)發(fā)生的概率要比Si材料的高三四個(gè)數(shù)量級(jí)；而在本征失效(實(shí)線)部分Si與SiC產(chǎn)品的氧化層擊穿極限是一致的；這意味著若能夠?qū)iC器件中未能達(dá)到壽命要求的那些器件篩選掉，可得到與Si器件相比擬的可靠性，若是使用更嚴(yán)格但不損傷芯片的篩選條件，可以得到可靠性優(yōu)越的器件。

圖1：相同厚度及面積氧化層的Si材料和SiC材料的非本征失效及本征失效的Weibull分布；F是累積失效率，t是時(shí)間，Chip life time是芯片需要達(dá)到的最小壽命。圖片來(lái)源JEP122H。

關(guān)于SiC MOSFET柵氧能力，目前有HTGB（高溫柵壓測(cè)試），HTGBR（高溫柵壓反偏測(cè)試）等傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法，這些方法能對(duì)SiC器件柵氧可靠性進(jìn)行評(píng)估。派恩杰的產(chǎn)品除了這些實(shí)驗(yàn)之外，團(tuán)隊(duì)早已緊跟前沿，于2021年上半年即通過(guò)TDDB實(shí)驗(yàn)確定芯片篩選條件，本文將簡(jiǎn)要介紹篩選后器件經(jīng)過(guò)馬拉松（Marathon）實(shí)驗(yàn)的典型結(jié)果。

目前派恩杰所做馬拉松實(shí)驗(yàn)的思路和方法如下：首先對(duì)于實(shí)驗(yàn)產(chǎn)品施加合適的柵壓進(jìn)行篩選，然后隨機(jī)選取通過(guò)篩選的樣品(一般為千數(shù)量級(jí))，進(jìn)行100天的長(zhǎng)時(shí)間高柵壓應(yīng)力、高溫度應(yīng)力測(cè)試，再將實(shí)驗(yàn)結(jié)果通過(guò)1/E模型評(píng)估產(chǎn)品可靠性。所采用的實(shí)驗(yàn)思路來(lái)自于國(guó)際大廠、學(xué)界曾做過(guò)的實(shí)驗(yàn)及相關(guān)文獻(xiàn)。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

派恩杰團(tuán)隊(duì)近期結(jié)束了1200V80mΩ的P3M12080K3產(chǎn)品為期100天的馬拉松實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)中，派恩杰選取了合適的柵壓條件Vgs = 25V，環(huán)境溫度也是嚴(yán)苛的175℃，實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖2所示：

圖2：橙色實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)為加壓條件下得到的結(jié)果，藍(lán)色數(shù)據(jù)為1/E模型得到柵極使用規(guī)格書電壓等效結(jié)果。

使用此壽命模型，實(shí)驗(yàn)結(jié)果：派恩杰的P3M12080K3產(chǎn)品在目前的篩選條件下，能夠很好地消除SiC材料的失效風(fēng)險(xiǎn)，PPM為個(gè)位數(shù)，與國(guó)際競(jìng)品廠商論文及報(bào)告中的器件可靠性接近。這也意味著派恩杰產(chǎn)品不僅能通過(guò)嚴(yán)苛的車規(guī)測(cè)試，也可以很好地適用于新能源和光伏等領(lǐng)域。

參考文獻(xiàn)：

[1]JEP122H；

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[3] Yu, Liangchun & Dunne, Greg & Matocha, Kevin & Cheung, Kin & Suehle, John & Sheng, Kuang. (2011). Reliability Issues of SiC MOSFETs: A Technology for High-Temperature Environments. Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on. 10. 418 - 426. 10.1109/TDMR.2010.2077295.

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料前沿技術(shù)探討交流平臺(tái)，幫助工程師了解SiC/GaN全球技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。所有內(nèi)容都是SiC/GaN功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人黃興博士和派恩杰工程師原創(chuàng)。

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術(shù)總監(jiān)

美國(guó)北卡州立大學(xué)博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會(huì)員，美國(guó)科學(xué)院院士，IGBT發(fā)明者，奧巴馬授予國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)拢┡cDr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發(fā)射極關(guān)斷晶閘管（ETO）的發(fā)明者）。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經(jīng)驗(yàn)，在世界頂尖碳化硅實(shí)驗(yàn)室參與美國(guó)自然科學(xué)基金委FREEDM項(xiàng)目、美國(guó)能源部Power America項(xiàng)目，曾任職于Qorvo Inc.、聯(lián)合碳化硅。2018年成立派恩杰半導(dǎo)體，立志于幫助中國(guó)建立成熟的功率器件產(chǎn)業(yè)鏈。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

審核編輯 ：李倩