chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體集成電路芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試全面解析

科準(zhǔn)測(cè)控 ? 來(lái)源:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 作者:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 2023-01-06 17:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)是評(píng)價(jià)芯片黏結(jié)可靠性的主要手段之一。芯片的高度集成小型化的發(fā)展對(duì)芯片剪切設(shè)備的施力范圍、靈敏度等能力的要求也是逐漸提高的。其中芯片剪切設(shè)備是目前最先進(jìn)的芯片剪切儀,該設(shè)備擁有創(chuàng)立的模塊設(shè)計(jì)理念讓配置更靈活,從而使之成為單一或多功能應(yīng)用都具很高性?xún)r(jià)比的推拉力測(cè)試系統(tǒng),達(dá)到高精度、高重復(fù)性、高再現(xiàn)性。今天__【科準(zhǔn)測(cè)控】__小編就來(lái)分享一下半導(dǎo)體集成電路芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試目的、設(shè)備要求、技術(shù)參數(shù)、試驗(yàn)方法以及失效判據(jù),一起往下看吧!

試驗(yàn)?zāi)康?/strong>

本試驗(yàn)的目的是確定將半導(dǎo)體芯片或表面安裝的無(wú)源器件安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟的完整性。通過(guò)測(cè)量對(duì)芯片所加力的大小、觀(guān)察在該力作用下產(chǎn)生的失效類(lèi)型(如果出現(xiàn)失效)以及殘留的芯片附著材料和基板/管座金屬層的外形來(lái)判定器件是否接收。

1672998158845m8277drs8c1672998159246wfcnb3s8if

設(shè)備要求

本試驗(yàn)所需設(shè)備是一臺(tái)能施加負(fù)載的儀器,要求其準(zhǔn)確度達(dá)到滿(mǎn)刻度的±5%或0.5N(取其較大者);一臺(tái)用來(lái)施加本試驗(yàn)所需力的帶有杠桿臂的圓形測(cè)力計(jì)或線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)加力儀。試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)具有下述能力∶

a) 芯片接觸工具,能把力均勻地加到芯片的一條棱邊(見(jiàn)圖 1)??墒褂煤线m的輔助器材(如光滑的爪狀物、線(xiàn)帶等),以確保芯片接觸工具能將應(yīng)力均勻地施加到芯片的一條棱邊。

b) 保證芯片接觸工具與管座或基板上安放芯片的平面垂直。

c) 芯片接觸工具與管座/基板夾具具有相對(duì)旋轉(zhuǎn)能力,這有利于與芯片邊沿線(xiàn)接觸,即對(duì)芯片加力的工具應(yīng)從一端到另一端接觸芯片的整個(gè)邊沿(見(jiàn)圖2)。

d) 一臺(tái)放大倍數(shù)至少為10倍的雙目顯微鏡,其照明應(yīng)有利于在試驗(yàn)過(guò)程中對(duì)芯片與芯片接觸工具的界面進(jìn)行觀(guān)察。

科準(zhǔn)測(cè)控推拉力測(cè)試機(jī)符合以上測(cè)試要求:

DSC01 (3)

技術(shù)參數(shù)

1、測(cè)試精度:±0.25%;

2、X軸有效行程:200mm(標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型)可按需定制

3、Y軸有效行程:160mm(標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型)可按需定制

4、Z軸有效行程:60mm(標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型)可按需定制

5、平臺(tái)夾具:平臺(tái)可共用各種夾具,按客戶(hù)產(chǎn)品訂制

6、雙搖桿控制機(jī)器四軸運(yùn)動(dòng),操作簡(jiǎn)單快捷

7、外形尺寸: L660W355H590(mm)

8、凈重:70KG

9、電源:220V 50/60HZ.≤2KW

10、氣壓:0.4-0.6Mpa

1672998160049hbp0ngcid31672998160413s7900nzf1x

剪切強(qiáng)度試驗(yàn)方法

采用上述設(shè)備對(duì)芯片施加力,該力應(yīng)足以能把芯片從固定位置上剪切下來(lái)或等于規(guī)定的最小剪切強(qiáng)度(見(jiàn)圖4)的兩倍(取其第一個(gè)出現(xiàn)的值)。

注意∶對(duì)于無(wú)源元件,僅元件末端焊接區(qū)與基板焊接,因此用于確定應(yīng)施加推力的大小只計(jì)算元件末端焊接區(qū)面積之和。芯片剪切力應(yīng)施加在無(wú)源元件垂直于最長(zhǎng)軸線(xiàn)上的方向上。粘接面積應(yīng)通過(guò)測(cè)量實(shí)際可能的元件粘接區(qū)域確定。例如,典型的陶瓷片式電容器是通過(guò)其端金屬化區(qū)域粘接。粘結(jié)面積應(yīng)從一個(gè)入射視角,通過(guò)測(cè)量?jī)啥说慕饘賲^(qū)域來(lái)決定。在進(jìn)行剪切試驗(yàn)之前應(yīng)將此測(cè)量值乘以2得到粘結(jié)面積。電容體下的非導(dǎo)電性底架材料的面積,不屬測(cè)量范圍,因?yàn)榇祟?lèi)材料通常用來(lái)對(duì)器件提供足夠的機(jī)械支撐,一般不起電連接作用。如果任何元件的底部表面存在以提高粘接強(qiáng)度為目的的粘接,對(duì)于本評(píng)定,此區(qū)域面積視為粘接面積。

  1. 當(dāng)采用線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)加力儀時(shí),加力方向應(yīng)與管座或基板平面平行,并與被試驗(yàn)的芯片垂直。

b) 當(dāng)采用帶有杠桿臂的圓形測(cè)力計(jì)施加試驗(yàn)所需要的作用力時(shí),它應(yīng)能?chē)@杠桿臂軸轉(zhuǎn)動(dòng)。其運(yùn)動(dòng)方向與管座或基板平面平行,并與被試驗(yàn)的芯片邊沿垂直。與杠桿臂相連的接觸工具應(yīng)位于適當(dāng)距離上,以保證外加力的準(zhǔn)確數(shù)值。

c) 芯片接觸工具應(yīng)在與固定芯片的管座或基板基座近似成90°的芯片邊沿由 ON 到規(guī)定值逐漸施加應(yīng)力(見(jiàn)圖3)。對(duì)長(zhǎng)方形芯片,應(yīng)從與芯片長(zhǎng)邊垂直的方向施加應(yīng)力。當(dāng)試驗(yàn)受到封裝外形結(jié)構(gòu)限制時(shí),如果上述規(guī)定不適用,則可選擇適用的邊進(jìn)行試驗(yàn)。

d) 在與芯片邊沿開(kāi)始接觸之后以及在加力期間,接觸工具的相對(duì)位置不得垂直移動(dòng),以保證與管座/基板或芯片附著材料一直保持接觸。如果芯片接觸工具位于芯片上面,可換用一個(gè)新的芯片或重新對(duì)準(zhǔn)芯片,只要3.1c)的要求得到滿(mǎn)足。

失效判據(jù)

符合以下任一條判據(jù)的器件均應(yīng)視為失效。

a) 達(dá)不到圖4中1.0倍曲線(xiàn)所表示的芯片強(qiáng)度要求。

b) 使芯片與底座脫離時(shí)施加的力小于圖4中標(biāo)有1.0倍的曲線(xiàn)所表示的最小強(qiáng)度的1.25倍,同時(shí)

芯片在附著材料上的殘留小于附著區(qū)面積的50%。

c) 使芯片與底座脫離時(shí)施加的力小于圖4中標(biāo)有1.0倍的曲線(xiàn)所表示的最小強(qiáng)度的2.0倍,同時(shí)芯片在附著材料上的殘留小于附著區(qū)面積的10%。

注∶對(duì)共晶焊料的芯片,殘留在芯片附著區(qū)中的不連續(xù)碎硅片應(yīng)看作此種附著材料;對(duì)金屬玻璃粘接劑粘接

的芯片,在芯片上或在基座上的芯片附著材料應(yīng)作為可接收的附著材料。

3.3 芯片脫離的類(lèi)別

當(dāng)有規(guī)定時(shí),應(yīng)記錄使芯片從底座上脫離時(shí)所加力的大小和脫離的類(lèi)別。a) 芯片被剪切掉,底座上殘留有硅碎片;b) 芯片與芯片附著材料間脫離c) 芯片與芯片附著材料一起脫離底座。

說(shuō)明

有關(guān)的訂購(gòu)文件應(yīng)規(guī)定以下內(nèi)容∶

a))最小芯片粘結(jié)強(qiáng)度要求(若不同于圖4的規(guī)定);

b)應(yīng)接受試驗(yàn)的器件數(shù)和接收判據(jù);

c)適用時(shí)數(shù)據(jù)記錄的要求(見(jiàn)3.3)。

本文就是小編分享的關(guān)于半導(dǎo)體集成電路芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試原理、技術(shù)參數(shù)、試驗(yàn)方法及失效判據(jù)介紹了!希望能給大家?guī)?lái)幫助??茰?zhǔn)專(zhuān)注于推拉力測(cè)試機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售。廣泛用于與LED封裝測(cè)試、IC半導(dǎo)體封裝測(cè)試、TO封裝測(cè)試、IGBT功率模塊封裝測(cè)試、光電元器件封裝測(cè)試、大尺寸PCB測(cè)試、MINI面板測(cè)試、大尺寸樣品測(cè)試、汽車(chē)領(lǐng)域、航天航空領(lǐng)域、軍工產(chǎn)品測(cè)試、研究機(jī)構(gòu)的測(cè)試及各類(lèi)院校的測(cè)試研究等應(yīng)用。如果您有遇到任何有關(guān)推拉力機(jī)、半導(dǎo)體集成電路等問(wèn)題,歡迎給我們私信或留言,科準(zhǔn)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)也會(huì)為您免費(fèi)解答!
審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    53971

    瀏覽量

    465385
  • 測(cè)試機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    267

    瀏覽量

    14007
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體行業(yè)知識(shí)專(zhuān)題九:半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備深度報(bào)告

    (一)測(cè)試設(shè)備貫穿半導(dǎo)體制造全流程半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈核心裝備,涵蓋晶圓測(cè)試、封裝
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:03 ?1477次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)知識(shí)專(zhuān)題九:<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>設(shè)備深度報(bào)告

    誰(shuí)更有效?解碼焊球剪切與鍵合點(diǎn)拉力測(cè)試的真實(shí)對(duì)比

    ,確保即使在長(zhǎng)時(shí)間熱老化后的微小強(qiáng)度變化也能被準(zhǔn)確捕捉。 多功能測(cè)試平臺(tái):我們的系統(tǒng)支持焊球剪切、鍵合點(diǎn)拉拔、界面剝離等多種測(cè)試模式,一臺(tái)設(shè)備即可完成
    發(fā)表于 01-08 09:46

    拉力測(cè)試過(guò)關(guān),產(chǎn)品仍會(huì)失效?揭秘不可替代的半導(dǎo)體焊球-剪切測(cè)試

    失效模式在拉力測(cè)試中難以被發(fā)現(xiàn),卻在產(chǎn)品使用過(guò)程中逐漸顯現(xiàn),嚴(yán)重影響使用壽命。 三、 焊球剪切測(cè)試的獨(dú)特價(jià)值 焊球剪切測(cè)試通過(guò)平行于
    發(fā)表于 12-31 09:09

    不同維度下半導(dǎo)體集成電路的分類(lèi)體系

    半導(dǎo)體集成電路的分類(lèi)體系基于集成度、功能特性、器件結(jié)構(gòu)及應(yīng)用場(chǎng)景等多維度構(gòu)建,歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展已形成多層次、多維度的分類(lèi)框架,并隨技術(shù)演進(jìn)持續(xù)擴(kuò)展新的細(xì)分領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 15:08 ?715次閱讀
    不同維度下<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>集成電路</b>的分類(lèi)體系

    BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)---精準(zhǔn)洞察,卓越測(cè)量

    差異,都能精準(zhǔn)捕捉,不放過(guò)任何一個(gè)可能影響器件性能的瑕疵,精準(zhǔn)評(píng)估器件在靜態(tài)測(cè)試條件下的性能表現(xiàn),確保每一個(gè)半導(dǎo)體器件都能在其設(shè)計(jì)的極限范圍內(nèi)穩(wěn)定可靠地運(yùn)行,為高端芯片制造、復(fù)雜電子系統(tǒng)集成
    發(fā)表于 10-10 10:35

    42.5億,重慶半導(dǎo)體大動(dòng)作,8個(gè)集成電路領(lǐng)域頭部企業(yè)集中簽約,包含2個(gè)傳感器項(xiàng)目

    動(dòng)能。 簽約項(xiàng)目包含華潤(rùn)封測(cè)擴(kuò)能項(xiàng)目、東微電子半導(dǎo)體設(shè)備西南總部項(xiàng)目、芯耀輝半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)先進(jìn)工藝IP研發(fā)中心項(xiàng)目、斯達(dá)半導(dǎo)體IPM模塊制造項(xiàng)目、芯聯(lián)芯集成電路公共設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)項(xiàng)目、積分
    的頭像 發(fā)表于 07-29 18:38 ?2285次閱讀
    42.5億,重慶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>大動(dòng)作,8個(gè)<b class='flag-5'>集成電路</b>領(lǐng)域頭部企業(yè)集中簽約,包含2個(gè)傳感器項(xiàng)目

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    【展會(huì)預(yù)告】2025 中國(guó)西部半導(dǎo)體展重磅來(lái)襲,華秋邀您 7 月 25-27 日西安共探集成電路新未來(lái)!

    芯片浪潮席卷全球,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇!2025年7月25-27日,2025中國(guó)西部半導(dǎo)體集成電路展將在西安國(guó)際會(huì)展中心(浐灞)盛大啟幕!華秋商城誠(chéng)邀您一同踏上這場(chǎng)前沿
    的頭像 發(fā)表于 07-02 07:35 ?1556次閱讀
    【展會(huì)預(yù)告】2025 中國(guó)西部<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>展重磅來(lái)襲,華秋邀您 7 月 25-27 日西安共探<b class='flag-5'>集成電路</b>新未來(lái)!

    越芯半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試基地一期工程喜封金頂

    近日,越芯半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試基地一期工程結(jié)頂儀式在諸暨市政府領(lǐng)導(dǎo)、朗迅芯云股東及合作伙伴代表、公司管理骨干等領(lǐng)導(dǎo)嘉賓出席本次儀式,共同見(jiàn)證這一里程碑時(shí)刻。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 14:56 ?1487次閱讀

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    資料介紹 此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍,作者是美國(guó)人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造,到晶圓廠(chǎng)芯片工藝的四大基本類(lèi)
    發(fā)表于 04-15 13:52

    詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

    半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
    的頭像 發(fā)表于 03-25 15:41 ?2128次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>集成電路</b>的失效機(jī)理

    微焊點(diǎn)剪切測(cè)試必看:原理與流程全解析

    本文介紹了利用Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)進(jìn)行微焊點(diǎn)剪切測(cè)試的方法與應(yīng)用。Beta S100測(cè)試機(jī)具備高精度、多功能性及便捷操作的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于
    的頭像 發(fā)表于 03-10 10:45 ?1266次閱讀
    微焊點(diǎn)<b class='flag-5'>剪切</b>力<b class='flag-5'>測(cè)試</b>必看:原理與流程全<b class='flag-5'>解析</b>!

    半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)

    半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)是一個(gè)綜合性的過(guò)程,涉及多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下:可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)概述、可靠性評(píng)價(jià)的技術(shù)特點(diǎn)、可靠性評(píng)價(jià)的測(cè)試結(jié)構(gòu)、MOS與雙極工藝可靠性評(píng)價(jià)測(cè)試結(jié)構(gòu)差
    的頭像 發(fā)表于 03-04 09:17 ?1789次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>集成電路</b>的可靠性評(píng)價(jià)